株式会社爱发科专利技术

株式会社爱发科共有926项专利

  • 本发明提供一种真空处理装置和真空处理方法,在被主辊卷绕运送的基材的温度变化的情况下抑制被主辊卷绕运送的基材的变形,形成可靠性高的形成有覆膜的基材。真空处理装置具有:卷出辊、卷取辊、主辊、成膜源、辅助辊、温度计、电源、温度调节机构以及控制...
  • 本发明提供一种带有台架的真空处理装置,在所述台架上被处理基板能够不发生位置偏移地错开其相位。所述真空处理装置具备设置有被处理基板(Sw)的台架(4);还具备升降旋转机构(Rm),其将台架上的被处理基板从台架上表面抬起到规定高度位置,可在...
  • 提供基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法,能抑制还原不足。基板处理装置使在表面包括金属层的基板(S)的表面还原,具备:腔主体(42);加热板(22),收纳于腔主体(42),在加热板(22)载置基板(S);等离子体生成部(43),向...
  • 本发明涉及信息处理装置、信息处理方法以及程序。所述信息处理装置包括第一获取部、第二获取部以及机器学习处理部。所述第一获取部对于对象物制造装置获取针对两个以上的器件综合了用于表示多个器件中的每一个器件的事件的状态的事件状态信息而成的总事件...
  • 本发明提供真空处理装置和真空处理方法,在成膜中向主辊稳定地供给偏置电位。在真空处理装置中,第一卷出辊送出第一基材,该第一基材具有成膜面和与上述成膜面相反侧的非成膜面。第一卷取辊卷取上述第一基材。主辊在上述第一基材被运送的方向上设置在上述...
  • 本发明涉及基板处理装置和夹持机构。所述基板处理装置为处理基板的装置。所述基板处理装置具有处理室、被配置于所述处理室内的基板保持部及掩模。所述基板保持部具有载置所述基板的基板载置部以及能够支撑载置于所述基板载置部的所述基板的夹持机构。所述...
  • 本发明提供一种适于通过溅射法形成结晶缺陷少、结晶取向性良好的六方晶系结晶膜的溅射装置。具备配置有靶(31)的真空室(1),具备运输单元(7),其以在所述真空室内通过面对所述溅射面(31a)的Z轴方向上方的空间的方式沿X轴方向运输基板(S...
  • 本发明的基板处理装置是处理基板的装置。所述基板处理装置具备处理室、后背室、掩模和旋转支撑机构。所述旋转支撑机构具有旋转轴和基板保持部。所述旋转支撑机构使支撑所述基板的所述基板保持部在水平搬运位置与成膜直立位置之间旋转。在所述水平搬运位置...
  • 本发明提供一种能够通过磁控溅射进行成膜速率均匀的成膜的成膜装置和成膜方法。本发明的成膜装置对基板进行溅射成膜,其具有多个旋转靶,上述旋转靶具有中心轴和靶面,并且在内部具有能够绕着中心轴转动的磁铁,上述多个旋转靶以规定的间隔进行排列,上述...
  • 本发明提供了一种U型沟槽碳化硅及其刻蚀方法与应用,所述刻蚀方法包括如下步骤:干法刻蚀设置有图形化掩膜的碳化硅衬底,完成U型沟槽的刻蚀;所述干法刻蚀所用工艺气体包括氧化气体、氟基刻蚀气体与SiF<subgt;4</subgt;...
  • 本发明的溅射装置具备向被成膜基板的被处理面发出溅射粒子的阴极单元。所述阴极单元具有靶、磁铁单元、磁铁扫描部和辅助磁铁。辅助磁铁沿着位于第一摆动端的磁铁,使位于第一摆动端的磁铁所形成的磁感线朝向第二摆动端倾斜。
  • 本发明提供一种能够稳定地对真空室内的颗粒进行集尘的集尘方法。以至少表面被绝缘物覆盖的产物作为集尘用输送物(Gs),在大气气氛中通过电离器使集尘用输送物的表面带正电位或负电位。将此时的带电电位设置为比由帕邢定律决定的放电开始电位更低的电位...
  • 本发明的显示装置具备:显示控制部,执行显示控制处理,所述显示控制处理是对规定的显示目的地的动作进行控制,使所述显示目的地显示多个
  • 本发明公开等离子体处理装置及等离子体处理方法。等离子体处理装置具备腔室、内部电极、外部电极、等离子体生成电源和气体导入部。等离子体生成电源对外部电极施加规定频率的交流电。外部电极具有第一电极、第二电极和第三电极。等离子体生成电源具有第一...
  • 本发明提供一种真空蒸镀装置用蒸镀源,其中,当以感应加热方式加热填充有蒸镀物质的坩埚时,包括盖体的坩埚整体呈顶热状态
  • 本发明提供一种磁控溅射装置(SM)用阴极单元(CU)及磁控溅射装置,其不会导致等离子体的局部消失等,可使与溅射的进行相伴的靶侵蚀区域大致均匀,可提高靶的利用效率。设置在真空室(1)内配置的靶(41~44)的背对溅射面一侧上的磁铁单元(5...
  • 本发明提高覆膜的台阶覆盖性。本发明使用具有第一电极、第二电极、第一供电源、第二供电源、相位调节器的成膜装置。第一供电源包含:输出第一高频电力的第一高频电源,和在第一高频电源与第一电极之间连接的第一匹配电路器。第二供电源包含输出与第一高频...
  • 本发明提供一种基板保持装置,其能够不损害提高被处理基板和环状壁的密封性这一功能地顺利排出辅助气体。基板保持装置(SH)具备:基座(6),其突出设置有与被处理基板(Sw)的外周边部抵接的第一环状壁(61)和配置在该第一环状壁内侧的第二环状...
  • 本发明提供一种能够通过反应性溅射形成具有较强拉伸应力的氮化硅膜的氮化硅膜的成膜方法。本发明的氮化硅膜的成膜方法,其中,在真空室(1)内将硅材质靶(3)和成膜对象物(Sw)相对配置,向真空气氛的真空室内导入含有氮气的溅射气体,对硅材质靶施...
  • 本发明提供一种具有能够定期去除在靶的中央区域上残留的非侵蚀区域中形成的再沉积膜的功能,并能够在具有高纵横比的凹部的基板整个面上覆盖性良好地成膜的磁控溅射装置(SM)用阴极单元及磁控溅射装置。阴极单元(CU1)具备多个第一和第二磁体单元(...
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