提供了一种基板处理设备的清洁方法。基板处理设备的清洁方法包括：将基板装载至腔室中；将包含Zn、Ga、In或Sn中的至少一者的气体喷射至腔室中以于基板上沉积薄膜；将基板卸载至腔室的外部；将含溴的清洁气体喷射至腔室中；以及将通过沉积于除基板...

根据本发明的实施例的碳化硅基板的制造方法包括以下步骤：准备基底；在基底上形成N型碳化硅薄膜或P型碳化硅薄膜；以及将碳化硅薄膜与基底分离，其中，形成碳化硅薄膜的步骤包括：将包含硅(Si)的源气体喷射到基底上的步骤；在停止喷射源气体后喷射吹...

本发明的实施例提供一种缓冲箱，用于将气体供应至处理基板的腔体中，缓冲箱包括其中具有容纳气体的第一空间的第一本体、具有体积小于第一空间且容纳气体的第二空间并安装于第一空间中的第二本体以及安装于第二本体中以设置于第二空间中的过滤器。因此，根...

本发明提供一种显示装置，包括：第一电极，该第一电极设置在基板上；发光层，该发光层设置在第一电极上；第二电极，该第二电极设置在发光层上；以及抗反射层，该抗反射层设置在第二电极上并且包含吸光材料，其中，吸光材料包括选自由非晶碳(a‑C)、聚...

公开了一种原材料供应方法包括：在罐体中将原材料汽化，排出汽化的原材料，测量罐体的内部温度，利用此内部温度计算出计算温度以及通过已计算的温度将设置在罐体上的加热单元加热来补偿内部温度的变化以及应用至所述方法用于供应原材料的原材料供应设备。...

在根据本发明的基板处理设备和基板处理方法中，可以在制程情况下及时量测基板温度，其中设置在基板之上的用于量测基板温度的第二量测单元的数量少于设置在基板之下的用于量测加热器温度的第一量测单元的数量，并且基于计算出的基板温度，可以控制加热器温...

本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：设置在基板上的太阳能电池层；以及设置在太阳能电池层上的封装层，其中：封装层包括掺杂有掺杂剂材料的金属氧化物或掺杂有掺杂剂材料的金属氮氧化物；并且金属氧化物或金属氮氧化物包含选自由W...

根据本发明的实施例，形成一阻障层的方法，包含：喷射一含氨气体使其被吸附在基板上；在喷射含氨气体停止后，向基板喷射一吹除气体以进行初次吹除；利用一氢气气体产生电浆；向基板喷射一含钛气体以形成氮化钛薄膜于基板上；以及在喷射含钛气体停止后，向...

根据本发明实施例的主动层形成步骤包括如下步骤：制备包含第一区域及第二区域的碳化硅基板；将混合有一第一掺杂气体的源气体、清理气体、反应气体及清理气体依序地喷射至该碳化硅基板的该第一区域上以形成该第一主动层；以及将混合有一第二掺杂气体的源气...

根据本发明实施例的基板处理设备包含腔体、位于腔体内部且支撑一基板的一基板支撑件、设置于基板支撑件上方且从基板支撑件的一边缘朝外延伸的一边缘框以及安装于腔体的一侧墙以沿基板支撑件的周缘位于腔体的侧墙及基板支撑件的侧面之间的一气体流动控制单...

本发明的实施例涉及一种制造功率半导体元件的方法，包含在碳化硅基板上形成活性层，其中主动层的形成包含在碳化硅基板上喷射源气体；在停止源气体的喷射后进行喷射清理气体的初始清理；在停止初始清理后喷射反应气体；以及在停止反应气体的喷射后进行喷射...

提供了一种被执行以在基板上沉积薄膜的薄膜沉积方法。薄膜沉积方法包括将源气体与第一扩散气体一起供应至设置在处理空间中的基板上，并将反应气体与第二扩散气体一起供应至基板上并与源气体的供应连续进行。通过与彼此不同的路径将第一扩散气体与源气体以...

本公开涉及一种沉积薄膜的方法，更具体地，涉及一种在碳化硅基板上形成栅极绝缘膜的薄膜沉积方法。根据本发明的实施例的沉积薄膜的方法包括：准备具有多个半导体区域的碳化硅基板；以及通过原子层沉积制程在介于100℃至400℃的温度于所述碳化硅基板...

本发明涉及一种薄膜形成方法，特别系用于形成氮化镓薄膜的薄膜形成方法

本公开提供了一种太阳能电池和该太阳能电池的制造方法，所述太阳能电池包括：半导体基板；设置在半导体基板的一个表面上的第一透明电极层；和设置在第一透明电极层的一个表面上的第一电极，其中，第一电极包括通过使用荫罩的沉积工艺图案化形成的第一图案层

本发明涉及一种基板处理设备，包括：腔体；在腔体中支撑至少一个基板的基板支撑单元；在基板支撑单元上方朝基板支撑单元喷射第一气体的第一喷射单元；在第一喷射单元上方朝基板支撑单元喷射第二气体的第二喷射单元；以及形成在第一喷射单元与第二喷射单元...

本发明涉及一种半导体封装设备，更具体的，涉及一种以晶圆级封装方式进行封装的半导体封装设备

根据一示例性实施例，基板处理方法包含于腔体中将基板设置在支撑件上的准备制程

本发明提供一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基板；设置在所述半导体基板的一个表面上的第一半导体层；设置在所述第一半导体层的一个表面上的第二半导体层；设置在所述第二半导体层的一个表面上的第三半导体层；设置在...

本发明涉及一种封装半导体的方法，特别涉及一种以晶圆等级封装方法来封装半导体装置的封装半导体的方法。根据本发明的实施方案的封装半导体的方法包含步骤：准备包含多个半导体装置的一晶圆；借助使用以独立于该晶圆的方式提供的一遮罩件在该晶圆上形成一...