中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有12201项专利

  • 一种芯片封装外引线成型模具,用于具有翘曲的薄型小尺寸封装块外引线成型;包括基本部,所述基本部上具有外引线压着部,所述外引线压着部具有与所述薄型小尺寸封装块外引线接触的接触部,在所述外引线压着部之间形成有用于咬合所述薄型小尺寸封装块的凹槽...
  • 一种抑制等离子体不稳定的方法,包括以下步骤:通过在供应至等离子体发生装置的包含负电性等离子体气体的原料气体中加入正电性等离子体气体,使得所述等离子体发生装置中产生的等离子体的电子密度增加,其中正电性等离子体气体的加入量使得所述产生的等离...
  • 本发明一种用于产生等离子体的系统,包括:反应室;设置在所述反应室内的晶片卡盘;位于所述反应室上部和顶部的第一线圈;射频功率源,所述射频功率源输出射频电流激励所述第一线圈产生等离子体;以及设置在所述反应室下方的第二线圈。本发明的用于产生等...
  • 圆片在进行表面分析时,常常因为圆片表面发生电荷效应而使分析产生误差。本发明通过一套装置和相应的使用方法消除了该问题。本发明提出的装置含有:金属网格,样品台,和螺栓组件构成三部分。当圆片放置在样品台后,放下金属网格,使圆片表面上的积累电荷...
  • 本发明提供一种离子化装置,其至少包括一个反应腔和一个阴极,阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内;其中,阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面。与现...
  • 一种消除蚀刻图形转移的方法及装置,通过在等离子轰击装置上采用较薄的聚焦环,或将聚焦环与晶片的距离增大,从而减小对等离子轰击方向的影响使等离子轰击保持方向。本发明能有效地解决蚀刻图形转移的问题,提高了成品率,节约了生产成本。
  • 一种消除蚀刻图形转移的方法及装置,通过将等离子轰击装置的配件聚焦环表面部分磨成倒角,从而减小对等离子轰击的折射使等离子轰击保持方向。本发明能有效地解决蚀刻图形转移的问题,提高了成品率,节约了生产成本。
  • 本实用新型提出一种路灯控制器,包括电路装置,其中电路装置包括光敏控制器、光敏电路开关、时钟控制器、时钟电路开关和接触器,光敏控制器用于控制光敏电路开关,时钟控制器用于控制时钟电路开关,其中光敏电路开关和时钟电路开关与接触器串联连接,光敏...
  • 一种用于与加热器相连的片状金属导电装置,所述装置包括:导电装置主体;位于所述导电装置主体一端的、用于与加热器连接以向加热器传输电流的加热器连接部分,以及位于所述导电装置主体另一端的、用于与电源提供/传输装置相连、以从 ...
  • 本实用新型涉及一种带温度控制功能的加热装置,用于半导体器件可靠性测试的加热。所述装置含有:一加热部件,由辐射源构成;一直流电源,用于对系统供电;一传感器与一温度控制器,用于对测试环境的温度控制。本实用新型结构简单,成本低,可靠性高,可用...
  • 本实用新型提供一种陶瓷环,其中,所述陶瓷环包括部件和套件,部件和套件均为圆柱形的环状结构,内部均为圆柱形的通孔;部件在其外壁上对称设有至少两个凸块,套件的圆柱形内壁上至少设有两个与部件的凸块相配合的第一凹槽和第二凹槽。第一凹槽和第二凹槽...
  • 本发明提供一种高温晶片夹持器,用于在测量调整热板温度时放置热电阻温度检测器晶片。目前将热电阻温度检测器晶片用于测量调节各种热板温度时,需要工程师手工放置热电阻温度检测器晶片于热板上,这个过程中,一方面由于空间狭窄使得操作不便,另一方面所...
  • 本发明涉及一种疏散照明系统,现有疏散照明系统存在疏散照明装置故障率高,电力消耗大等问题。本发明的疏散照明系统,包括电源、备用电源和若干个疏散照明装置,其中上述电源和疏散照明装置之间还包括一自动开关,自动开关与控制模组连接并根据控制模组的...
  • 本实用新型提供了一种集成有激光笔的移动通信装置。现有技术中单独使用的激光笔存在着易丢失和需频繁更换电池的问题。本实用新型的集成有激光笔的移动通信装置,其具有机壳以及设置在机壳中的显示模块、按键模块、移动通信模块、控制处理模块和电源模块,...
  • 本发明提供了一种电子邮件与短消息通信支持系统以及方法,用于供具电子邮件收发功能的电子邮箱和具短消息收发功能的移动通信装置分别使用电子邮件和短消息进行通信,该电子邮箱和移动通信装置分别设置在第一和第二网络中且分别通过第一和第二网络与服务器...
  • 在CMOS上感测图像的系统和方法。根据一个实施方案,本发明提供CMOS图像感测像素。所述像素包括n-型衬底,和-P型外延层,形成的二极管np结的宽度和彩色光谱在像素单元中的吸收与收集特性相关。通过外围电路来控制三种不同的np结宽来达到分...
  • 本发明提供了一种pin或pn结光电二极管及其制造方法,包括外延生长在衬底上的锗或硅锗(Si↓[x]Ge↓[1-x])吸收层,其增强了光吸收性和光电转换效率,从而提高了光电流。由于锗对光的高吸收系数和对光生载子的高迁移率,该光电二极管应用...
  • 本发明公开了一种检测半导体器件的方法包括,预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤;根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待测半导体器件,并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测半导体器件的端口对应...
  • 一种数据恢复电路,包括过采样电路,用于对输入的串行数据进行n倍的过采样,并输出n组并行数据;数据选择电路,用于获取所述过采样电路输出的n组并行数据,分别将各组并行数据与预设的补偿数据进行比较,补偿各组并行数据的位偏移和获得各组数据的匹配...
  • 本发明揭示了一种局域网的防病毒方法,包括:收集局域网的基础网络信息;收集应用于局域网的网络工具信息;根据预定规则,基于基础网络信息和网络工具信息产生访问控制列表,该访问控制列表控制局域网网络工具对于局域网内各个节点的访问以及数据传输;将...