中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10840项专利

  • 本发明公开了一种可靠性测试分析方法及其参数估计方法,该测试分析方法包括步骤:随机抽取样品进行测试,得到部分或全部样品的测试数据;由部分或全部所述测试数据形成样本库数据;根据所述测试数据满足的分布函数,利用极大似然估计法对所述样本库数据进...
  • 一种变容器的电容-电压模型的形成方法,其特征在于,包括: 在一电压范围内测试变容器的电容值,所述电压具有中点值以及相邻取值之间的间隔值,所述变容器的栅极层的栅极条具有长度L以及宽度W; 计算该电压范围内、栅极条长度为L以及宽度为W的变容...
  • 一种降低像差敏感度的布局方法,其是在布局图形周围加入至少一个布局辅助图形,所述的布局辅助图形互不相交,所述的布局辅助图形与布局图形互不相交,所述的布局辅助图形与相邻的布局图形间的距离大于等于一倍的布局图形临界尺寸且小于等于三倍的布局图形...
  • 本发明公开了一种MOS管电阻的建模方法,包括下列步骤,挑选不同沟道宽度的MOS管作为待建模MOS管;针对每一个MOS管,至少使用一种多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度的组合方式来进行布图;测量根据所述布图结构生产的各个MOS管的I-V特性;...
  • 本发明公开了一种建立应用于噪声的MOS管模型的方法,包括,测量不同晶粒上的MOS管的噪声;根据所得到的MOS管的噪声值,建立噪声分布图;至少添加一个原有噪声模型文件中的噪声参数的变化量到MOS管库文件中来对MOS管进行噪声仿真;如果仿真...
  • 本发明公开一种电阻温度系数测量方法,包括:用电流I对待测电阻R加热,记录加热过程中电阻阻值R随电流I的变化;利用电阻R和电流I查询一第二表格,确定一与电阻R有关的第一变量I↑[2]R;查找一第一表格,确定第一变量I↑[2]R与温度T的关...
  • 本发明提供了一种标识码输入方法,用于向一操作界面中输入标识码,该操作界面对应一用于存储其参数的数据库。现有技术通过人工方式输入标识码存在易出错和输入效率低下的问题。本发明的标识码输入方法先提供一扫瞄输入装置,该扫描输入装置通过一通信接口...
  • 一种布局方法,包括:提供布局图形,所述布局图形包括至少一主边缘和与所述主边缘构成转角的两侧边缘;计算主边缘的转角半径,所述转角半径是内切于主边缘中点的内切圆弧的半径;判断是否存在转角半径小于参考半径的主边缘,若是,则改变所述转角半径小于...
  • 一种电压基准电路,包括:    至少一个非易失性存储器单元,所述单元具有浮栅区、漏极、栅极和源极,所述浮栅区存储电荷,所述存储器单元的阈值电压取决于所述浮栅区存储的电荷量;    第一偏置装置,用于偏置所述存储器单元的所述漏极;    ...
  • 一种晶圆清洗液水柱位置检测装置,其包含:    一光学信号发射装置,具有光学信号发射源,该光学信号发射装置设于一晶圆承载台的第一侧边,且该光学信号发射源中心正对该晶圆承载台的旋转中心;    一光学信号接收装置,设于一晶圆承载台第一侧边...
  • 公开了一种涂胶机的排气控制装置,该装置包括涂胶机排气管、总排气管、感应器、控制器和调节阀;所述感应器位于所述涂胶机排气管内,用于感应所述涂胶机的排气量;所述调节阀位于所述涂胶机排气管与所述总排气管之间,用于控制所述涂胶机的排气量;所述控...
  • 揭示了一种估计工艺过程加工能力的方法,包括:根据预定标准,确定工艺过程的标准上限USL、标准下限LSL。根据工艺过程的实际应用,确定工艺过程偏差σ和目标值T。检测并获取工艺过程的实际平均值μ。根据控制要求,从第一模型和第二模型中选择一个...
  • 一种统计过程控制方法及装置,所述统计过程控制方法包括应用界限对测量数据进行失控分析,所述界限通过下述方法获得:设定容限系数;根据标准正态累积分布函数获得对应所设定的容限系数的正态分布概率值;根据百分位数函数和所述测量数据获得对应所述正态...
  • 一种检测可接受测试数据方法,包括,采集可接受测试数据,计算所采集可接受测试数据的平均值和方差;获得与基准平均值、基准方差以及规格宽度对应的偏移容忍度,以及与可接受测试数据的规格宽度对应的离散容忍度;若所采集可接受测试数据的平均值与基准平...
  • 一种晶圆质量分析装置,包括:用于暂存晶圆分析数据、参考数据以及中间结果的数据库;用于调用数据库中的至少两种晶圆分析数据进行相关分析并输出相关分析结果的数据分析单元;用于根据数据分析单元输出的相关分析结果确定并输出关键参数列表,并根据统计...
  • 本实用新型提供了一种晶圆清洗机台清洗液泄漏的自动处理装置,用于处理晶圆清洗机台防漏盘上渗漏出的清洗液,它包括漏水感应传感器,配有抽水管的抽水器、抽水控制器;抽水器的抽水管连接到防漏盘上,漏水感应传感器置于防漏盘上方并与抽水控制器连接。当...
  • 本实用新型提供了一种具通断反馈功能的阀门,其通过一控制装置来控制其通断。现有技术的阀门并不具通断反馈功能,致使在阀门出现故障或控制阀门通断的控制装置发出错误控制信息时无法及时得知阀门的异常状况。本实用新型的具通断反馈功能的阀门具有阀杆和...
  • 一种制造半导体器件或其它类型器件和/或实体的方法。所述方法包括提供与半导体器件制造相关的过程(例如蚀刻、沉积、注入)。所述方法包括采集多个信息(例如数据),所述信息具有与过程相关的至少一个参数在确定周期内的非单调趋势。所述方法包括处理具...
  • 本发明提供一种改善研磨时间控制的方法,该方法主要利用晶圆上薄膜在研磨前的厚度和研磨后的厚度之间的关系计算研磨时间;其中,该方法将研磨垫寿命作为控制研磨时间的一个因子。与现有技术相比,本发明的方法将研磨垫寿命作为控制研磨时间的基础,就可以...
  • 本发明提供了一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法。现有技术对气相沉积设备反应腔的漏气检查通常在设备维修后通过人工方式启动一检查反应腔是否漏气的程序进行漏气检查,存在检查间隔过长、间隔不均且受人为因素影响的问题,难以有效的检查出反...