一种栅极及ＭＯＳ晶体管的制作方法。其中栅极的制作方法，包括下列步骤：在半导体衬底上依次形成栅介电层、多晶硅层和腐蚀阻挡层；采用Ｔ型掩膜方法刻蚀腐蚀阻挡层至露出多晶硅层，形成倒梯形栅极图形；以腐蚀阻挡层为掩膜，沿倒梯形栅极图形刻蚀多晶硅层...

本发明公开了一种控制侧墙形成的方法，包括在刻蚀前，对刻蚀结构进行测量，完成刻蚀后，对刻蚀后的结构进行测量；比较刻蚀前后的特征参数，以获取刻蚀参数，并对刻蚀参数进行实时控制。当刻蚀后的特征参数偏离目标值时，通过本发明的控制侧墙形成的方法，...

本发明公开了一种净化管路和炉管杂质的装置，应用于晶圆片沉积工序结束后，正硅酸乙酯ＴＥＯＳ气体管路中设置有流量控制器，该装置包括：加热带和清洗气体管路；所述加热带位于所述的ＴＥＯＳ气体管路外；所述清洗气体管路与所述的ＴＥＯＳ气体管路及炉管...

本发明公开了一种改善栅极特征线宽均匀性的方法，对栅极上的光阻胶曝光显影之后，对所述光阻胶进行后烘，所述后烘的温度在１００摄氏度至１１０摄氏度之间。采用该方法大大提高了栅极特征线宽均匀性。

本发明中公开了一种浅沟道隔离结构的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成垫氧化层、氮化硅层和光刻胶层，在进行曝光显影工艺后，以光刻胶层为掩膜对氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底进行刻蚀，形成浅沟槽；对氮化硅层进行回蚀；使用现场蒸汽生成...

本发明中公开了一种半导体元器件的干蚀刻方法，该方法包括：在硅基底材料上依次形成ＳｉＯ２层、低介电常数绝缘材料层、顶层、含Ｓｉ的底部抗反射层和光阻层；对含Ｓｉ的底部抗反射层和光阻层进行蚀刻后，对顶层和低介电常数绝缘材料层进行蚀刻，并去除蚀...

本发明公开了一种ＭＯＳ晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法，ＭＯＳ晶体管的形成方法包括在半导体衬底上直接进行离子注入，形成用于调节阈值电压的离子扩散区；在半导体衬底上形成栅极结构，在栅极结构两侧、半导体衬底中进行离子注入以形成袋状注入区...

本发明公开了一种沟槽的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上沉积形成绝缘层；在绝缘层上形成图案化的光阻胶；对所述图案化的光阻胶采用氮气进行预处理；以所述预处理过的图案化的光阻胶为掩膜，对所述绝缘层进行刻蚀，形成沟槽。该方法使刻蚀形成的沟槽...

本发明公开了一种制造分离栅级存储器浮栅的方法，包括如下步骤：在单晶硅晶片表面沉积第一氧化硅薄膜；在所述第一氧化硅薄膜的上表面沉积氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的厚度大于所需浮栅的厚度；在所述氮化硅薄膜的上表面沉积第二氧化硅薄膜；对所述晶片依...

本发明提供一种金属－绝缘体－金属电容器及其制造方法，其中，制造方法包括：将本层金属互连层中的金属层间介质刻蚀为Ｕ型沟槽后，在所述Ｕ型沟槽内及未刻蚀的金属层间介质上依次沉积作为金属－绝缘体－金属ＭＩＭ电容器下电极板的第一金属层、电介质层及...

本发明公开了一种图形转印方法，使用氟碳比随时间升高的蚀刻气体在对晶圆上未被光阻材料遮挡的部分进行蚀刻。本发明方案既保证在蚀刻初期能够产生足够的聚合物来对晶圆图形侧壁进行保护，又可以在蚀刻后期及时清除过多的聚合物，避免图形侧壁上不规则条纹...

本发明中公开了一种电感器，该电感器包括：半导体衬底、至少一层金属层、电感线圈和用于隔绝基底噪声的保护环；所述电感线圈，设置于所述电感器的顶层的金属层中；所述保护环的侧壁的底部设置于所述半导体衬底之上，所述保护环的侧壁的顶部通过通孔与所述...

本发明公开了一种降低沟槽内残留物的方法，依次进行氧化硅层的刻蚀及衬垫层蚀除ＬＲＭ，在ＬＲＭ之后，采用氧气等离子体灰化的方法，去除ＬＲＭ过程中产生的聚合物。采用该方法能够去除沟槽内产生的聚合物，从而降低由聚合物演变而成的难以清除的残留物，...

一种在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法：在器件衬底依次沉积垫氧化膜、非掺杂多晶硅层及氮化硅层；根据图案化的氮化硅层，依次刻蚀氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及器件衬底，形成掺杂多晶硅沟槽；在掺杂多晶硅沟槽内沉积氧化硅层后，沉积...

本发明公开了一种在铜互连层上的熔丝制程方法，所述铜互连层包括顶层、中间层和底层铜互连层，关键在于，该方法包括：在顶层铜互连层上沉积钝化层；图案化该钝化层，刻蚀至暴露出顶层互连层中的铜互连线；在图案化的钝化层表面及顶层铜互连层的互连线表面...

本发明公开了一种测试晶片的方法及测试结构，包括模拟晶片、要测试晶片及电连接模拟晶片和要测试晶片的两个接点的金属引线，使模拟晶片和要测试晶片进行测试信号交互，得到要测试晶片的测试结果，对要测试晶片测试之前，在所述金属引线及模拟晶片周围设置...

本发明涉及一种用于栅氧化层失效分析的测试结构及栅氧化层失效分析方法，所述测试结构包括含有栅氧化层的待测半导体器件，以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少１个半导体器件，避免了现有技术在失效定位过程中产生的叠图...

一种光刻装置和方法，其中，光刻装置包括：照明单元，用于提供原始入射光线；掩模单元，用于提供转移图案，所述原始入射光线在所述转移图案上发生衍射，产生包含零级光和一级光的多级衍射光；透镜，用于聚焦所述多级衍射光；光阑，用于与所述透镜相配合，...

一种系统级封装结构及封装方法。其中系统级封装结构，包含引线框架，所述引线框架包括：管芯垫和位于管芯垫周围的引线，所述管芯垫内形成有电感器线圈，其中电感器线圈的末端与引线连接；所述系统级封装结构还包括：形成于管芯垫上的绝缘介质层，贯穿绝缘...

本发明涉及浅沟槽及其制造方法和浅沟槽隔离结构。其中，浅沟槽的制造方法包括步骤：提供具有掩膜层的半导体衬底；刻蚀所述掩膜层，使得所述掩膜层在平行于浅沟槽宽度方向上的截面为长方形或正方形；以所述掩膜层为掩膜，利用含卤素的等离子体在半导体衬底...