本发明公开了一种离子源装卸装置，用于在电弧反应室装卸离子源，包括：半圆柱形承托架，与离子源形状匹配，以承托所述离子源；卡套，设置在所述半圆柱形承托架一端，与所述电弧反应室的钢套形状匹配，用于卡合在所述钢套上，其中所述卡套具有一开口，与所...

本发明公开了一种通孔形成方法，包括以下步骤：提供一硅衬底；依次在所述硅衬底上形成介质层和抗反射层；依次刻蚀抗反射层和介质层，在抗反射层和介质层内形成通孔；溅射清洗所述通孔。该通孔形成的方法，是在主刻蚀通孔后增加溅射清洗步骤，以去除刻蚀过...

本发明提出一种微反射镜层、硅基液晶（ＬＣＯＳ）显示装置及其制作方法。其中，制作微反射镜层的方法，包括下列步骤：提供包含导电插塞及焊盘沟槽的钝化层，所述导电插塞和焊盘沟槽贯穿钝化层；在钝化层及焊盘沟槽底面形成掩膜层；在掩膜层上形成第一金属...

本发明提出一种形成沟槽及双镶嵌结构的方法。其中形成沟槽的方法，包括下列步骤：提供依次形成有氮碳化硅层、碳氧化硅层、正硅酸乙酯层、抗反射层低温氧化层及图案化光刻胶层的半导体衬底，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；以图案化光刻胶层...

本发明提供一种变压器降温增容装置，设置于变压器设备上，用于对运作中产生高温的变压器进行持续有效的降温，防止变压器温度过高负荷满载使之达到９０摄氏度强制断电临界值而停止运行，从而达到增容的目的。所述变压器降温增容装置包括一根以上设置于变压...

本发明提供了一种防止铝焊盘腐蚀的方法，包括：提供铝焊盘，所述铝焊盘上残留有干法刻蚀的刻蚀剂；清洗所述铝焊盘；对所述的铝焊盘进行烘烤。本发明还提供一种铝焊盘的制作工艺，所述方法可避免铝焊盘被腐蚀。

一种接触孔的制作工艺，包括：提供半导体衬底，位于半导体衬底上的半导体器件以及覆盖半导体衬底和所述半导体器件的层间介质层；在层间介质层上形成掩膜图形，掩膜图形的每一开口的位置都与半导体器件的部分第一导电层和部分第二导电层的位置对应；依次刻...

一种闪存中制作外围电路器件栅极的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元区和外围电路区；刻蚀存储单元区的浅沟槽隔离结构；刻蚀浮栅多晶硅层以形成浮栅，进一步形成闪存的堆叠栅；生长第一多晶硅层；生长介质层；生长第二多晶...

本发明提出一种顶层金属介质层沟槽蚀刻工艺中去除抗反射涂层的方法以及利用该技术制造顶层金属介质层沟槽的方法，使用氯气蚀刻去除顶层金属介质层沟槽内的抗反射涂层。本发明能够有效避免顶层金属介质层沟槽制造工艺中出现的栏栅缺陷和刻面缺陷。

本发明提出一种形成沟槽及双镶嵌结构的方法。其中形成沟槽的方法，包括下列步骤：提供依次形成有氮碳化硅层、碳氧化硅层、正硅酸乙酯层、第一抗反射层、第二抗反射层、低温氧化层及图案化光刻胶层的半导体衬底；以图案化光刻胶层为掩膜，分别采用不同气体...

本发明提供射频发生器测试方法及设备，以在离线条件下实现对射频发生器的检测，避免了使用有故障的射频发生器而可能对使用者带来各类损失。该方法包括：将射频发生器与负载连接；向连接有所述负载的射频发生器输入直流电压信号；获得该射频发生器基于所述...

本发明公开了一种浅槽隔离的方法，包括以下步骤：（１）提供一硅衬底；（２）依次在所述硅衬底上形成氧化物层、氮化物层、光阻层；（３）刻蚀光阻形成图案；（４）刻蚀氮化物层；（５）刻蚀氧化物层；（６）刻蚀硅形成浅槽；（７）进行剥离光阻，以去除剩...

一种铜薄膜形成方法，包括：在需要形成铜薄膜的表面，执行第一电镀步骤形成第一厚度的铜薄膜；对已形成的第一厚度的铜薄膜执行第一退火步骤；在已形成的铜薄膜表面，执行第二电镀步骤继续形成铜薄膜直至达到所需的铜薄膜厚度；对已形成的铜薄膜执行第二退...

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以栅极为掩膜，在半导体衬底内进行轻掺杂离子注入；进行慢速尖峰退火，在半导体衬底内形成轻掺杂源／漏区；在栅极介电层和栅极的相对二侧...

一种相变随机存取存储器及制造方法。所述相变随机存取存储器包括开关器件及连接所述开关器件的数据存储器，所述数据存储器包括底部电极、底部电极上的硫族元素化物相变层、硫族元素化物相变层上的顶部电极，所述底部电极、相变层以及顶部电极两侧还具有侧...

一种可靠性测试方法，包括：选定用于本次可靠性测试的样本数，以及测试芯片中测试扇区的数量；根据已选定的本次可靠性测试的样本数，以及已选定的测试扇区的数量，获得本次可靠性测试中测试芯片的数量；以所述测试芯片的数量和测试扇区的数量，进行本次可...

本发明公开了一种半导体的掺杂方法，在衬底上形成栅极后，该方法包括以下步骤：在栅极两侧的衬底表面涂覆底部抗反射涂层ＢＡＲＣ；对涂覆有ＢＡＲＣ的衬底进行离子注入，并保证离子能够注入栅极实现掺杂、但无法穿透ＢＡＲＣ注入栅极两侧的衬底；清除ＢＡ...

本发明公开了一种测量接触孔孔径的图像捕获装置，该装置包括扫描电子显微镜ＳＥＭ，该装置还包括：第一控制单元，用于在旋涂于晶片的光阻胶上曝光形成所述接触孔的形状、以及尺寸大于所述接触孔的预设基准区域的形状后，控制所述ＳＥＭ捕获所述基准区域的...

本发明提供一种掩模版原片的质量检测系统和方法，所述系统包括：辐射收发装置、辐射感应装置和信号处理装置，其中，所述辐射收发装置，用于发出辐射入射至掩模版原片表面，将掩模版原片表面反射的辐射接收并发送给所述辐射感应装置，所述辐射收发装置为掩...

本发明公开了一种晶圆盒清洁设备，包括：机台，其包括一作业面，用于承载晶圆盒；可转动的清洁刷，设置于上述作业面上，用于清洁上述晶圆盒的底座；以及传动马达设置于上述机台中，通过传动带带动上述清洁刷转动。该本发明所提供的晶圆盒清洁设备可以减少...