中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10693项专利

  • 本发明公开一种高压电平位移电路及半导体器件。该高压电平位移电路包括:电平转换电路,用于将具有第一高电平的输入信号转换成具有第二高电平的输出信号;第一开关,所述第一开关的一端与第一电源连接,所述第一开关的另一端与所述第一晶体管的控制端连接...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底包括核心区和周边区;在基底上形成伪栅结构,包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的伪栅电极层;在伪栅结构露出的基底上形成层间介质层,层间介质层露出伪栅结构顶部;去除核心区伪栅结构,在核心区层间...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,所述半导体结构包括:衬底,所述衬底包括单元区,所述单元区包括器件区、保护区和隔离区,所述保护区包围所述器件区,所述隔离区包围所述保护区和器件区;位于所述衬底器件区的器件结构;位于所述保护区衬底...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:形成基底,基底上形成有栅极结构、栅极结构两侧基底内形成有掺杂外延层、基底上形成有覆盖栅极结构顶部的层间介质层;在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出掺杂外延层的接触开口;形成接触开口后,形成覆盖掺杂外...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底包括第一区和第二区,第一区基底上具有第一鳍部和横跨第一鳍部的第一栅极结构,第一栅极结构顶部具有第一掩膜层;在第一鳍部的侧壁和第二基底上形成第一覆盖膜;采用至少一次第一去除工艺步骤去除第...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括:提供半导体结构,该半导体结构包括:衬底;以及在该衬底上的间隔开的第一鳍片和第二鳍片;在半导体结构上沉积第一层间电介质层;对第一层间电介质层进行部分地第一刻蚀以露出第一鳍片的顶部;在露出...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括相邻的第一器件区和第二器件区;在基底上形成功能层;在第一器件区的功能层上形成有机掩膜层;至少在有机掩膜层靠近第二器件区一侧的侧壁上形成牺牲层;以有机掩膜层和牺牲层为掩膜,采用湿法刻...
  • 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管,涉及半导体制造领域。方法包括:提供衬底结构,衬底结构包括用于形成第一PMOS器件的第一部分和用于形成第二PMOS器件的第二部分;在衬底结构上形成第一P型功函数调节层;在...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构,所述基底和栅极结构的侧壁上具有介质层,所述介质层内具有开口,所述开口底部暴露出栅极结构的顶部表面;在所述开口内和介质层上形成保护结构,所述保护结构包括:第一保护...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底;在基底上形成第一刻蚀停止层,包括氮化铝层、以及位于氮化铝层上的氧化铝层;在第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层,包括碳氧化硅层、以及位于碳氧化硅层上的碳氮化硅层。由于氧化铝层与碳氧化硅层之间...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有介质层,所述介质层内具有开口;在所述开口内形成互连线,所述互连线暴露出介质层的顶部表面;在所述介质层上形成钝化层,所述钝化层的密度较介质层的密度大;在所述钝化层和互连线上...
  • 一种半导体器件及其形成方法,方法包括:提供基底和基底上的介质层,基底内有底层金属层;在介质层上形成有第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的顶层掩膜层;在顶层掩膜层上及第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽中形成过渡掩膜层;在过渡掩膜层中形成贯穿过渡掩膜层且延...
  • 一种半导体器件及其形成方法,所述半导体器件的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成栅极;在所述栅极的侧壁上形成偏移侧墙,所述偏移侧墙包括原始侧墙以及位于所述原始侧墙侧壁的氧化层,所述氧化层是由于自然氧化生成的;对所述氧化层...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部,衬底包括周边区;在衬底上形成保护层,保护层至少露出鳍部顶部;形成保护层后,对鳍部进行氧等离子体处理;去除保护层;去除保护层后,形成横跨鳍部的栅氧化层,栅氧化层覆...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底;在所述基底内形成沟槽,所述沟槽底部暴露出基底;在所述沟槽内形成牺牲层;在所述牺牲层上形成纳米线,所述纳米线的材料与牺牲层的材料不同;形成所述纳米线之后,去除所述牺牲层,使纳米线到沟槽的...
  • 一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底表面具有鳍部;所述衬底上具有层间介质层,所述层间介质层的高度高于所述鳍部顶部表面;所述鳍部的部分表面暴露并在所述层间介质层内形成有开口;所述开口的底部和侧壁表面具有栅介质层;在栅介...
  • 本发明提供一种存储器及其数据读出驱动电路,包括:前置单元,适于接收数据信号,所述前置单元根据所述数据信号生成前置上拉信号和前置下拉信号;上拉信号产生单元,其具有电源端和接地端,所述上拉信号产生单元根据所述前置上拉信号生成上拉信号;下拉信...
  • 本发明公开一种静态随机存取存储器SRAM阵列的供电控制电路,该供电控制电路包括:SRAM测试单元,SRAM测试单元的结构与SRAM阵列一个基本单元的结构相同;开关装置,分别与电源、SRAM测试单元和SRAM阵列连接;开关控制电路,分别与...
  • 本发明提供一种半导体指纹传感器及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括逻辑区和像素区;在所述逻辑区形成顶部互连线,在所述像素区形成顶部极板,所述顶部互连线和所述顶部极板位于同一层;对所述像素区的顶部极板...
  • 本发明提供一种半导体指纹传感器及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括像素区;在所述像素区形成顶部极板;对所述像素区的顶部极板进行表面处理,以使所述顶部极板表面因产生空洞而形成粗糙表面。该制作方法可以降...
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