中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10492项专利

  • 本申请公开了一种麦克风及其制造方法,涉及半导体技术领域。该麦克风包括:衬底,其形成有贯穿该衬底的背孔;在该衬底上且覆盖该背孔的第一电极板层;在该衬底上的背板层,该背板层与该第一电极板层形成空腔;以及在该背板层的下表面上的第二电极板层,该...
  • 本申请公开了一种功率放大器电路及其形成方法,涉及无线通信领域。其中,该功率放大器电路包括:依次连接的差分到单端转换器、增益级电路、驱动级电路和输出级电路;偏置电路,与增益级电路的偏置电压端口连接,用于调节增益级电路的偏置电压。本申请通过...
  • 一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括若干芯片区域和位于相邻芯片区域之间的间隔区域,所述间隔区域包括测试区域和切割区域,切割区域位于测试区域两侧,且切割区域位于测试区域和芯片区域之间;在所述半导体衬...
  • 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,方法包括:提供半导体衬底,半导体衬底上具有鳍部,鳍部的侧壁包括第一侧壁区和位于第一侧壁区上的第二侧壁区;在半导体衬底和鳍部上形成层间介质层,层间介质层中具有暴露出鳍部部分侧壁表面和部分顶部表面的开口;在...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底,包括器件区以及位于器件区两侧的隔离区,衬底上形成有分立的鳍部;在衬底上形成隔离结构,隔离结构顶部低于鳍部顶部;形成隔离结构后,刻蚀隔离区的鳍部;刻蚀隔离区的鳍部后,形成横跨器件区鳍部的栅极...
  • 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。其中,所述方法包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底;在所述衬底上的鳍片;在所述鳍片上的硬掩模层;以及在所述衬底上用于隔离所述鳍片的第一隔离材料层,所述第一隔离材料层的上表...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供半导体结构,该半导体结构包括:衬底和在该衬底上的半导体鳍片;在该半导体鳍片上形成伪栅极结构;在形成该伪栅极结构后的半导体结构上形成第一电介质层,该第一电介质层露...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成隔离结构材料层和隔离结构硬掩膜层;图形化所述隔离结构硬掩膜层和隔离结构材料层,以形成隔离结构并露出所述半导体衬底;在露出的所述半导体衬...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成隔离结构和被所述隔离结构分割的有源区;在所述有源区上形成浮栅和位于所述浮栅之上的控制栅;在所述有源区和隔离结构之上形成层间介电层,所述...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构以及通过所述浅沟槽隔离结构相隔离的若干有源区,所述浅沟槽隔离结构中形成有位线空气隙,所述有源区的半导体衬底上形成有浮栅;在所述浮栅...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括制作接触孔时,在字线带状接触区两侧的初始层间介电层中形成保护接触孔,并在去除存储单元器件区中的初始层间介电层时以保护层覆盖所述字线带状接触区,从而避免字线带状接触区中的初始层...
  • 一种存储器及其形成方法,其中方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有若干相互分立的浮栅极膜和位于浮栅极膜顶部表面的掩膜结构;在浮栅极膜的侧壁形成保护层;形成所述保护层后,以所述掩膜结构为掩膜刻蚀半导体衬底,在半导体衬底中形成凹槽。...
  • 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括第一器件区和第二器件区,且所述衬底上具有多个分立的鳍部;形成横跨所述鳍部的伪栅极;在所述伪栅极露出的鳍部上形成层间介质层,所述层间介质层露出所述伪栅极;去除...
  • 本发明提供一种电熔丝装置及其形成方法,其中,所述电熔丝装置包括:基底,所述基底包括熔断区和分别位于所述熔断区两侧的电极区,所述熔断区基底中具有开口;位于所述基底熔断区的电熔丝,电熔丝横跨所述开口顶部,所述开口到所述熔断区电熔丝邻近所述电...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底,所述基底上形成有栅极结构,所述栅极结构包括栅极以及位于栅极侧壁上的侧墙,所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区;在所述侧墙的侧壁上形成牺牲层;对所述源漏掺杂区进行预非晶...
  • 一种半导体器件的形成方法,其包括:提供基底结构,所述基底结构包括晶体管,所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极;进行预清洗;进行预清洗后至少在所述源极、漏极的表面形成金属层;向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物,所述掺杂...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底,包括相邻NMOS区域和PMOS区域;分别在NMOS区域和PMOS区域衬底上形成栅极结构;在栅极结构露出的衬底上形成多晶硅互连层;在PMOS区域栅极结构两侧衬底内形成P型源漏掺杂区;向P...
  • 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括:提供半导体结构,其包括衬底、在衬底上的一个或多个半导体鳍片和在每个半导体鳍片周围的沟槽隔离结构;该沟槽隔离结构包括:与半导体鳍片的延伸方向相交的第一沟槽隔离部和与半导体鳍片的延伸方向平...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底,所述基底上形成有栅极;在所述栅极的侧壁上形成第一侧墙;形成第一侧墙后,于基底上形成氧化层;在所述第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙,所述栅极、所述第一侧墙和所述第二侧墙构成栅极...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底;对所述衬底进行刻蚀处理,在所述衬底中形成第一凹槽;通过预处理气体对所述第一凹槽底部和侧壁进行预处理,形成第二凹槽,所述预处理气体与所述第一凹槽底部和侧壁发生化学反应;在所述第...
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