中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有9765项专利

  • 一种石墨烯FinFET器件及其制造方法、电子装置
    本发明提供了一种石墨烯FinFET器件及其制造方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有鳍片和至少覆盖所述鳍片侧壁的绝缘外延层;在所述绝缘外延层上外延生长石墨烯层,以覆盖所述绝缘外延层;对所述石墨烯层执行化学...
  • 半导体器件的形成方法
    一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有第一鳍部和第二鳍部,第一鳍部具有第一宽度,第二鳍部具有第二宽度,第二宽度大于第一宽度;在半导体衬底上形成覆盖第一鳍部侧壁和第二鳍部侧壁的第一隔离膜;在所述第一隔离膜中形...
  • 半导体器件的制备方法
    本发明提供一种半导体器件的制备方法,包括:提供第一衬底,在所述第一衬底中形成沟槽;在所述沟槽中填充金属形成第一插塞,且所述第一插塞的上表面高于所述第一衬底的一表面;提供第二衬底,所述第二衬底中具有第二插塞及与所述第二插塞的一端连接的器件...
  • 一种FinFET器件及制备方法、电子装置
    本发明涉及一种FinFET器件及制备方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层;在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层,所述开口图案露出所述种子层;在所述掩膜层和露出的所述种子层上形成蚀...
  • 半导体器件的形成方法
    一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区和第二区,第一区和第二区的半导体衬底上具有鳍部;在第一区的鳍部表面形成第一阻挡层;采用流体化学气相沉积工艺在半导体衬底上形成隔离膜,所述隔离膜覆盖第一阻挡层和第二区...
  • 半导体器件的形成方法
    一种半导体器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上具有第一鳍部和第二鳍部,第一鳍部具有第一宽度,第二鳍部具有第二宽度,第二宽度大于第一宽度;在半导体衬底上形成覆盖第一鳍部侧壁和第二鳍部侧壁的第一隔离膜;在所述第一隔离膜中形...
  • FinFET器件的制造方法
    本发明提供一种FinFET器件的制造方法,在相邻鳍片之间形成第一隔离结构并在单个鳍片上形成第二隔离结构后,在所述第一隔离结构、第二隔离结构和硬掩膜层表面上形成分立的牺牲层结构,利用分立的牺牲层结构为掩膜,保护第二隔离结构并对第一隔离结构...
  • 一种半导体器件及其制备方法
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成待刻蚀材料层,所述待刻蚀材料层包括第一材料层和位于所述第一材料层下方的第二材料层;在所述待刻蚀材料层上形成具有第一窗口的掩膜层,所述第一窗口具有第...
  • 一种半导体器件及其制造方法和电子装置
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置。该方法包括:提供半导体衬底,在第一PMOS区、第二PMOS区、第一NMOS区和第二NMOS区内分别形成有第一、第二、第三以及第四栅极凹槽;形成第一厚度的第一P型功函数层,以覆盖第一、第三栅...
  • 一种访问时间测量电路和访问时间测量方法
    本发明提供一种访问时间测量电路和访问时间测量方法。所述访问时间测量电路包括:多个测量支路,每一所述测量支路均包括依次串联连接的静态随机存取存储器、辅助延迟链模块和延迟触发模块;以及一参考支路,所述参考支路的输出端分别连接至每一所述延迟触...
  • 图案化光阻的形成方法
    本发明公开了一种图案化光阻的形成方法,包括:提供一基底,在基底表面涂覆第一光阻层;对第一光阻层进行第一次曝光、显影,形成第一子图案和若干个沟槽,并且对所述第一子图案进行第一次加热固化处理;在沟槽中形成一牺牲区域,然后去除牺牲区域;涂覆第...
  • 一种掩膜图形缺陷的修复方法
    本发明提供一种掩膜图形缺陷的修复方法,涉及半导体技术领域。本发明的修复方法通过减小所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的像素,使所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的尺寸相应缩小,放大掩膜缺陷图形和正常掩膜图形之间的不同区,该不同区即为...
  • 一种半导体器件及其制造方法
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的金属栅极;以及位于所述金属栅极与所述半导体衬底之间的覆盖层,所述覆盖层具有渐变的Si掺杂浓度。本发明提供的半导体器件,其中的覆盖层具有较高的扩散...
  • 半导体器件及其制作方法、电子装置
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括低压器件区、高压器件区和核心器件区,在低压器件区、高压器件区和核心器件区形成虚拟栅极氧化层和虚拟栅极,以及包围虚拟栅极氧化层和虚拟栅极的层...
  • 鳍式场效应晶体管及其制造方法
    本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制造方法,通过富氮低K介质层和富氧低K介质层交替堆叠形成复合侧墙,能够在减小栅电极和后续形成的源区和漏区导电插塞之间的寄生电容的同时,通过内层的富氮低K介质层来阻挡氧向后续形成的高K金属栅极中的扩散,从...
  • 一种半导体器件及其制备方法
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。所述方法包括提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成具有窗口的掩膜层,所述窗口对应于所述半导体衬底中待形成的沟槽。执行预先离子注入,所述预先离子注入的注入方向与所述半导体衬底的法线方向具有夹角,以在所...
  • 图案化光阻的形成方法及其结构
    本发明公开了一种图案化光阻的形成方法及其结构,包括:提供一基底,在基底表面涂覆第一光阻层;对第一光阻层进行第一次曝光,在第一光阻层中形成第一子图案区域以及第一待去除区域;在所述第一子图案区域上形成一金属氧化物薄膜;涂覆第二光阻层,第二光...
  • 半导体装置的制造方法
    本发明公开了一种半导体装置的制造方法,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供衬底结构,其包括:半导体衬底;在衬底上的至少两个半导体鳍片,其包括第一和第二半导体鳍片;在衬底上的绝缘材料,其具有至少两个凹陷,其包括第一和第二凹陷,第一凹陷使得...
  • 互连结构及其制造方法
    本发明公开了一种互连结构及其制造方法,涉及半导体技术领域。其中,所述方法包括:提供衬底结构,所述衬底结构包括:衬底;在所述衬底上的第一电介质层;和在所述衬底上贯穿所述第一电介质层的金属互连线;去除金属互连线两侧的第一电介质层以形成凹陷;...
  • 用于温度测量的半导体结构和温度测量方法
    本发明公开了一种用于温度测量的半导体结构和温度测量方法,涉及半导体器件测试领域。该半导体结构包括:待测半导体器件;从栅极延伸的超出用于待测半导体器件的有源区的栅极线;金属布线,金属布线位于栅极线上方,并通过两个或更多个节点与栅极线电连接...
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