中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有10271项专利

  • 本实用新型提供了一种测试结构,包括:相互并联的多条支路,每条中包括相互串联的测试单元和保护单元,测试单元包括至少两条间隔排列的金属线和设置于相邻金属线之间的介电材料层,介电材料层分别与其两侧相邻的金属线接触,每个测试单元中各相邻金属线之...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成介质层及位于所述介质层中的沟槽;在所述介质层上和所述沟槽中形成功函数层;对所述功函数层进行改性处理;在所述沟槽中填充金属,并进行化学机械研磨以露出所...
  • 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法,所述鳍式场效应管的形成方法包括:提供衬底,衬底上具有多个鳍部,所述多个鳍部呈阵列排布;在所述鳍部之间形成隔离层,沿鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第一隔离层,沿垂直鳍部延伸方向鳍部之间的隔离层为第二...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有层间介电层,在所述层间介电层中形成有栅极沟槽;在所述栅极沟槽的底部和侧壁上以及所述层间介电层的表面上依次形成高k介电层和保护层;去除所述保护层位于所...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极沟槽;在栅极沟槽的底部形成高k介电层,其中,还包括以下步骤:在形成高k介电层之前,在含氢元素的气氛下进行第一退火,以钝化从栅极沟槽中...
  • 本发明提供一种激光退火方法,所述方法包括:提供半导体晶圆,所述半导体晶圆至少包括第一区域和第二区域;通过激光束斑扫描所述半导体晶圆进行激光退火;其中,所述激光束斑扫描所述第一区域时边缘排除的尺寸,与扫描所述第二区域时边缘排除的尺寸不同;...
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部;在衬底上形成隔离结构;形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面的伪栅结构;在伪栅结构侧壁上形成侧墙;形成侧墙后,形成覆盖隔离结构且露出鳍部顶部的保护层;形成保护层后...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:在第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底上形成栅介质层以及位于栅介质层上的第一功函数层;对第一P区的第一功函数层下方的栅介质层进行还原处理,增加所述第一P区的栅介质层内的氧空位含量;在进...
  • 本发明揭示了一种芯片拾取方法以及封装工艺,其中,将所述第一芯片从所述晶圆取走后,所述晶圆上所述第一芯片所在的位置出现缝隙,在所述缝隙中填充支撑物,对所述第一表面进行第二减薄,至暴露出所述第二芯片,将所述第二芯片从所述晶圆取走。由于,所述...
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成图形化的核心层;形成保形覆盖基底和核心层的第一侧墙膜;在H2或He氛围下,对第一侧墙膜进行等离子体处理;在等离子体处理后,采用湿法刻蚀工艺去除基底和核心层顶部的第一侧墙膜,...
  • 一种差分放大器,包括:依次耦接的共模放大电路及差模放大电路,共模放大电路包括同相及反相输入端和输出共模反馈信号的输出端,差模放大电路包括反馈信号输入端、第一及第二输入端、一级及二级放大电路、第一及第二输出端,反馈信号输入端与共模放大电路...
  • 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有多列条状鳍片,所述条状鳍片中形成有凹槽,所述凹槽在所述条状鳍片的延伸方向上将所述条状鳍片分割为相互间隔的鳍片结构;在所述半导体衬底上形成...
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底中设置有第一源区和第一漏区;在半导体衬底上形成层间介电层;在层间介电层中形成第一接触孔开口,第一接触孔开口分别露出所述第一源区和所述第一漏区;进行预非晶化离子...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括PMOS器件区,在所述PMOS器件区的所述半导体衬底上形成有第一栅极结构,在所述第一栅极结构两侧的所述PMOS器件区内的源/漏极区域中形成有...
  • 本发明公开了一种LDMOS器件及其制造方法,涉及半导体技术领域。该LDMOS器件包括:具有第一导电类型的第一区域;位于该第一区域内的具有第二导电类型的漂移区域,该第二导电类型与该第一导电类型相反;以及具有第一导电类型的多个第二区域,该第...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成有隔离结构;在所述半导体衬底中形成第一导电类型的源极和漏极,其中,所述源极和所述漏极分别位于所述隔离结构的两侧,所述源极和所述隔离结构间隔设置;...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,将具有离子注入层的第一半导体衬底与第二半导体衬底的键合,之后去除所述离子注入层及其远离所述第二半导体衬底一侧的一部分所述第一半导体衬底,在剩余的所述第一半导体衬底薄膜区域内暴露出的表面上形成保护层...
  • 本发明提供一种半导体器件,包括若干导电元件和电容阵列,所述电容阵列包括多个金属‑氧化物‑金属电容单元,相邻的所述金属‑氧化物‑金属电容单元之间的彼此相邻的两个电极连接至同一所述导电元件,以使所述两个电极能获得相等的电压值。本发明提供的半...
  • 本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置。所述方法包括:提供包括像素区的第一晶圆,所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面;提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合;在与所述像素区相对的所述第二表面中形...
  • 本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置。所述方法包括:提供包括像素区的第一晶圆,所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面;提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合;在与所述像素区相对的所述第二表面中形...
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