中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

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  • 用于锁相环的启动电路及锁相环
    一种用于锁相环的启动电路及锁相环,所述锁相环包括环路滤波器和压控振荡器;其中,所述环路滤波器包括第一电阻单元、第一电容单元和第二电容单元,所述压控振荡器的输入端耦接所述环路滤波器的输出端,适于根据所述环路滤波器的输出信号产生时钟信号;所...
  • 动态随机存储器及其形成方法
    一种动态随机存储器及其形成方法,其中动态随机存储器的形成方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构和层间介质层,所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区,所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面;在所述层间介质层中形成第一开...
  • 晶体管及其形成方法
    一种晶体管及其形成方法,方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成栅极结构;在所述栅极结构两侧的衬底中形成源漏掺杂区;对所述源漏掺杂区进行防扩散离子注入;在防扩散离子注入后,进行退火工艺处理以激活源漏掺杂区中的掺杂离子。本发明提供的晶体管的形...
  • 半导体结构及其形成方法
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,所述形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成栅极结构,所述栅极结构的两侧分别具有相对的第一侧和第二侧;在所述栅极结构第一侧的衬底中形成第一凹槽;在所述第一凹槽邻近所述栅极结构的侧壁表面形成第一...
  • 半导体器件及其制作方法、电子装置
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该制作方法包括下述步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底至少包括存储单元器件区,在所述存储单元器件区的半导体衬底上形成由存储单元组成的存储阵列;在所述半导体衬底上形成初始层间介电层、第一层间...
  • 存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法
    本发明提供一种存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法,其中,存储器结构包括:第一下拉晶体管,所述第一下拉晶体管具有第一沟道宽度;第二下拉晶体管,所述第二下拉晶体管具有第三沟道宽度;第一传输晶体管,所述第一传输晶体管具有第二沟道宽...
  • 半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法,方法包括:提供基底,包括N型和P型逻辑区、上拉晶体管区和传送门晶体管区,N型逻辑区包括用于形成第一N型器件的第一N型阈值电压区、用于形成第二N型器件的第二N型阈值电压区,第一N型器件小于第二N型器件阈值电压;...
  • 晶体管及其形成方法
    一种晶体管及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成栅极结构;在所述栅极结构两侧的基底内形成凹槽;在所述凹槽内形成第一外延层,所述第一外延层内具有掺杂离子;在所述栅极结构两侧的侧壁上形成掩膜层,所述掩膜层位于所述第一外延...
  • 鳍式场效应晶体管及其形成方法
    一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,形成方法包括:提供基底;刻蚀所述基底,形成衬底以及位于衬底上的多个鳍部,所述鳍部之间具有宽度不同的第一间隔和第二间隔,所述第一间隔大于所述第二间隔;在鳍部露出的衬底上形成第一隔离层,第一隔离层在第一间隔...
  • 半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供含锗基底;在基底上形成栅极结构;在栅极结构两侧的基底内形成初始凹槽;采用混合刻蚀气体对初始凹槽的侧壁和底部进行刻蚀,去除部分厚度基底材料形成凹槽;混合刻蚀气体包括硅源气体和HCl气体;在凹槽...
  • 半导体结构及其形成方法
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供衬底,所述衬底包括:相邻的器件区和隔离区;分别在所述器件区和隔离区衬底上形成栅极结构;在所述衬底上形成牺牲层,所述牺牲层覆盖所述栅极结构侧壁;去除所述隔离区栅极结构,在所述牺...
  • 半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法,方法包括:提供具有底层互连结构的基底;在基底和底层互连结构上形成刻蚀停止层;在刻蚀停止层上形成介电层;在介电层上形成硬掩膜层;形成覆盖硬掩膜层的通孔图形层;以通孔图形层为掩膜刻蚀部分厚度介电层形成初始通孔;去...
  • 用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的方法和系统
    本发明提供一种用于解决浅沟槽隔离刻蚀中的球型缺陷的方法和系统,所述方法包括:收集机台运行时反馈的与球型缺陷成因相关的参数;对所述参数进行分析以确定球型缺陷高发参数区域;以及控制所述参数以避开所述球型缺陷高发参数区域。本发明所提供的用于解...
  • 一种半导体器件的制作方法
    本发明提供一种半导体器件的制作方法,所述方法包括:提供封装衬底,所述封装衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面,所述第一表面上设置多个芯片预封装区域以及位于所述多个芯片预封装区域彼此之间的条状区域;至少蚀刻去除部分所述条状区域。根据本发明...
  • 一种半导体器件及其制作方法和电子装置
    本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构;提供支撑晶圆,并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合;对所述器件晶圆的背面进行减薄;在所述器件晶圆...
  • 半导体器件及其形成方法
    一种半导体器件及其形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构以及位于所述栅极结构侧壁上的侧墙,所述栅极结构两侧的基底内具有源漏掺杂区;在所述源漏掺杂区上形成氧化层;在所述氧化层上形成金属层;对所述金属层进行反应退火处理,使得所述金...
  • 晶体管及其形成方法
    一种晶体管及其形成方法,其中形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成栅介质层;在所述栅介质层上形成功函数层;在所述功函数层上形成氮化层;在所述氮化层上形成阻挡层;在所述阻挡层上形成金属层;所述金属层、所述阻挡层、所述氮化层、所述功函数层...
  • 半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供基底;形成介质层;形成开口;形成栅介质层;形成含Al功函数层,沿所述栅介质层指向所述开口的方向上,按原子数百分比,所述含Al功函数层中Al原子含量减小;形成金属层。本发明技术方案有利于降...
  • 半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法,所述形成方法包括:提供衬底,所述衬底内具有多个隔离结构;形成位于相邻隔离结构之间衬底上的栅极结构;在所述栅极结构两侧的衬底内形成应力层;在所述应力层上形成帽层,形成帽层的工艺包括旋涂工艺。本发明技术方案,在形...
  • 半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法,包括:形成基底,基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区、以及位于栅极结构所露出基底上的介质层;在栅极结构两侧形成露出源漏掺杂区的接触开口,包括贯穿介质层厚度的通孔、以及贯穿源漏...
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