中芯国际集成电路制造上海有限公司专利技术

中芯国际集成电路制造上海有限公司共有12193项专利

  • 一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,方法包括:对理想轮廓位于缺陷处的评估点进行调整处理,获得调整评估点;调整处理包括:沿理想轮廓的法线方向调整理想轮廓位于缺陷处的原始评估点的位置,适于增大修正后图形对应的仿真轮廓和理想轮...
  • 半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底,衬底包括至少一个单元区,单元区包括沿第一方向排布的相邻的第一区和第二区,第一区包括第一隔离区,第二区包括第二隔离区,第一隔离区平行于第一方向的中轴线与第二隔离区的中轴线不重合;位于第一区上的第一栅...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成第一材料层;对第一材料层进行离子注入,形成位于第一材料层内的离子掺杂区,离子掺杂区平行于第一方向上的尺寸为第一尺寸,第一方向平行于衬底表面,离子掺杂区在垂直于第一方向上的尺寸为第二尺...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:在所述第一区域和第二区域的伪栅结构两侧的沟道叠层中形成源漏凹槽;沿所述沟道层长度的方向,去除所述源漏凹槽侧壁露出的部分厚度牺牲层,使相邻的沟道层与剩余牺牲层之间,或凸起部与相邻的沟道层和剩余牺牲层之间围成...
  • 一种半导体的结构及其形成方法,方法包括:形成位于第一区域的凸起部上的第一沟道叠层结构,第一沟道叠层结构包括一个或多个纵向堆叠的第一沟道叠层,每一个第一沟道叠层包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第一沟道层;形成位于第二区域的凸起部上的成第...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底;在衬底上形成第一材料层;对第一材料层进行离子注入,形成位于第一材料层内的离子掺杂区,离子掺杂区平行于第一方向上的尺寸为第一尺寸,第一方向平行于衬底表面,离子掺杂区在垂直于第一方向上的尺寸为第二尺...
  • 标准单元布局及集成电路,其中,标准单元布局包括:衬底,包括阱区;有源区,位于阱区内;第一导电图案,位于阱区上方;第二导电图案,位于与第一导电图案相对的一侧;多个有源区图案,位于第一导电图案和第二导电图案之间的第一区域和第二区域中,且各有...
  • 一种半导体结构、形成方法及版图设计方法、电路及工作方法,结构包括:衬底,所述衬底包括中间区和位于中间区周围的边缘区;位于中间区上的若干层垂直堆叠的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层平行于第一方向,所述第二金属层平行于第二方向,所述第...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底包括待刻蚀材料层;在待刻蚀材料层上形成第一图形层,第一图形层中的至少部分相邻目标核心结构的间距大于另一部分相邻目标核心结构的间距;在目标核心结构的侧壁上形成目标侧墙,相邻目标侧墙间较小的...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,包括用于形成目标图形的目标层;在所述基底上形成分立的核心层;采用湿法刻蚀工艺,沿平行于基底的方向,对所述核心层进行侧壁减薄处理,所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括缓冲剂和刻蚀剂,所述缓冲剂用于减缓所...
  • 标准单元布局及集成电路,其中,标准单元布局包括:阱区;第一导电图案,位于所述阱区上方;第二导电图案,位于与第一导电图案相对的一侧;多个有源区图案,位于第一导电图案和第二导电图案之间的第一区域和第二区域中,且部分有源区图案位于阱区上方;第...
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,包括相邻的第一区和第二区,第一区上具有垂直间隔堆叠的若干第一沟道层,第二区上具有垂直间隔堆叠的若干第二沟道层;在第一沟道层和第二沟道层表面形成栅介电膜和初始功函数层;在第一区上形成第一掩膜层,第...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底,包括第一区和第二区;位于第一区的第一鳍部结构,包括若干层第一沟道层;位于第二区的第二鳍部结构,包括隔断沟道层和第二沟道层,第二沟道层内的材料采用掺杂有第二掺杂离子的硅锗,第二掺杂离子分别与...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底;在部分衬底上形成若干初始复合层和横跨若干初始复合层的伪栅极结构,伪栅极结构位于初始复合层部分顶部和部分侧壁表面,初始复合层包括若干层重叠的牺牲层和相邻两层牺牲层之间的初始沟道层,伪栅极...
  • 一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的沟道结构,所述沟道结构包括若干垂直堆叠的沟道层,相邻沟道层之间以及沟道层与衬底之间包括间隔结构;横跨所述沟道结构的栅极结构,所述栅极结构还位于所述间隔结构内,所述栅极结构环绕所述沟...
  • 一种半导体结构及半导体结构的形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的沟道结构,所述沟道结构包括若干垂直堆叠的沟道层,相邻沟道层之间以及沟道层与衬底之间包括间隔结构,所述沟道结构还包括位于沟道层两端的外延结构,所述外延结构与沟道层相接触;横...
  • 一种接地屏蔽结构和半导体器件,接地屏蔽结构包括:衬底;屏蔽阵列,屏蔽阵列包括:多个呈阵列排布的屏蔽单元,屏蔽单元包括:有源区,有源区位于衬底内;多晶硅结构,多晶硅结构位于有源区上;第一导电结构,第一导电结构位于多晶硅结构上,第一导电结构...
  • 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:基底,所述基底包括衬底;沟道结构层,位于所述衬底上,且所述沟道结构层包括悬空且间隔设置的一个或多个沟道层,所述沟道层为对初始沟道层进行减薄处理得到;扩散阻挡层,位于所述悬空的沟道层的两端,...
  • 一种半导体结构的形成方法,提供衬底,衬底上具有鳍部;在鳍部的顶部表面和侧壁形成伪栅介质层;在伪栅介质层上形成伪栅材料层;对伪栅材料层进行图形化处理形成伪栅层;对伪栅层的表面进行第一改性处理形成第一改性层;对第一改性层进行第二改性处理形成...
  • 一种光学邻近修正方法,包括:提供第一版图;对第一版图进行曝光处理,形成第一曝光版图;基于第一曝光版图,获取关键区;获取第二版图,第二版图包括第二图形;根据预设规则和关键区,对第二版图进行迭代修正,形成第三版图。从而,提高了修正准确性。
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页