本发明提供了一种基片刻蚀方法，所述方法在一等离子体处理装置内进行，所述基片刻蚀方法刻蚀的基片包括光刻胶掩膜层，介质抗反射层，碳硬掩膜层及氧化硅层；以图形化的介质抗反射层为掩膜刻蚀位于介质抗反射层下方的碳硬掩膜层，形成图形化的碳硬掩膜层；...

本发明公开了一种铝坡莫合金夹心板及应用其制备的等离子体处理装置，该夹心板包含：高导磁层，包覆在高导磁层上的高导电层，设置在高导磁层和高导电层之间的高强度耐高温胶层。其中，高导磁层包含：坡莫合金；高导电层包含：铝或铝合金。本发明的夹心板采...

本发明公开了一种等离子体刻蚀设备及用于该设备的喷头。该喷头设置在等离子体刻蚀设备中的反应腔室的上部，包含：喷头本体；设置在喷头本体上的多个气孔，其内形成有台阶，台阶上方气孔具有第一内壁，台阶下方气孔具有第二内壁；设置在气孔内且与气孔形状...

本发明公开了一种聚焦环及其耐腐蚀防护方法，其位于陶瓷的静电卡盘以及套置有静电卡盘侧密封圈的静电卡盘中间层的外周侧，静电卡盘陶瓷层位于所述静电卡盘中间层上方，静电卡盘中间层位于设置在等离子体蚀刻室中的静电卡盘的基体上方，静电卡盘的基体外周...

本发明公开了一种静电吸盘翻新工装及其翻新方法，工装设置在静电吸盘上，用于静电吸盘的上凸表面翻新，去除累积的聚合物，静电吸盘上凸表面外沿有环状密封保护带。工装包含：抛光装置，采用行星齿轮结构，包含一主动齿轮、一行星齿轮、一内齿轮；行星齿轮...

本发明提供一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器，包括：一反应腔，反应腔内具有一导电基座，导电基座通过一个第一匹配器连接到一个低频射频电源，导电基座上包括一个静电夹盘，静电夹盘上表面用于固定待处理基片，导电基座外侧壁涂覆有至少一...

本实用新型提供一种MOCVD反应器，包括：反应腔，反应腔内下部包括位于底部的旋转轴，旋转轴上设置有基片托盘，反应腔内顶部包括一个进气装置，提供反应气体到下方的基片托盘，基片托盘下方包括一个加热器和一个分隔壁，所述分隔壁围绕所述加热器和旋...

本发明提供CVD设备及其温度控制方法与发热体。其中，用于加热可旋转基片承载盘的发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)；所述第一、二加热丝在所述基片承载盘上的加热区域至少部分重叠；所述第一加热丝作用在基片...

本发明提供一种MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置，用以改善气体浪费和颗粒污染。其中的气体供应装置包括气体喷淋头(14)，气体喷淋头内设置有：第一气体扩散区(15)、第二气体扩散区(17)，第一气体扩散区包括相互气体隔离的...

本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负...

实用新型提供一种等离子处理器，包括：反应腔，反应腔内下部包括位于底部的基座，基座上方用于设置基片，反应腔内还设置有进气装置；位于反应腔外的一个气体分配器，包括多个输入端通过多个输气管道连接到多个单一气源，所述气体分配器还包括至少一个输出...

本发明提供一种用于真空处理装置的基片承载台，所述的基片承载台包括：一个基座，基座内开设的一个通孔内具有一绝缘管，所述绝缘管道内设置有一高压直流导电元件，所述高压直流导电元件的上端包括一个导电帽和一个导电杆，导电杆位于导电帽下方与所述导电...

本实用新型提供一种用于热化学气相沉积的基片托盘，包括：中心托盘和边缘环，中心托盘外侧壁上包括一上延伸部，边缘环开口内侧壁上包括一下延伸部，所述上延伸部设置在所述下延伸部上方，使得中心托盘得到边缘环的支撑，所述边缘环底面包括第一区域和第二...

本发明提供一种静电吸盘及其制作方法以及可应用该静电吸盘的等离子体处理装置。其中，所述静电吸盘包括：基座；涂覆于所述基座上方的底部涂层，所述底部涂层至少包括两层涂层，该两层涂层具有不同的孔隙率；涂覆于所述底部涂层上方的电极层；涂覆于所述电...

本发明提供了一种射频滤波电路和应用该射频滤波电路的等离子体处理装置，其中，所述射频滤波电路包括，一级滤波器和二级滤波器，所述二级滤波器包括两个或两个以上的滤波器并行连接，所述一级滤波器通过一开关可选择地和二级滤波器中的其中之一相连；所述...

本发明涉及一种电容耦合等离子体处理装置与对应的等离子体处理方法，用于改善基片刻蚀的均匀性。其中，处理装置包括：相对设置的上电极与下电极，所述上、下电极之间为处理区域；射频功率源；偏置功率源，施加于所述下电极；环形件，环绕所述下电极设置，...

本发明涉及一种电容耦合等离子体处理装置与对应的等离子体处理方法，用于改善基片刻蚀的均匀性。其中，处理装置包括：相对设置的上电极与下电极，所述上、下电极之间为处理区域P；射频功率源；偏置功率源，施加于所述下电极；环形件，环绕所述下电极设置...

本发明提供一种电感耦合等离子处理装置，所述的电感耦合等离子处理装置包括反应腔，反应腔顶部包括一绝缘材料窗，一连接到射频电源的电感线圈设置在所述绝缘材料窗上方，电感线圈产生的射频磁场穿过绝缘材料窗进入反应腔激发反应腔内的反应气体形成等离子...

本发明公开了一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法，所述处理装置包括一处理腔，一射频功率源及一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源通过一射频匹配网络施加到所述处理腔内部用于支撑基片的基座上，所述射频匹配网络包括两个可变电容，所...

本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置与等离子体产生装置，用来在不扩展匹配网络可匹配范围的状况下，获得更宽的对功率分配比例的调节能力。其中的等离子体处理装置包括：绝缘窗；第一线圈与第二线圈；射频功率源，其输入端连接有一匹配网络；功率分配...