本发明公开了一种MIM电容及其制备方法，所述MIM电容包括电容，所述电容设在衬底的上方；所述电容包括由下至上依次设置的下极板、下电容介质层、中极板、上电容介质层、上极板；电容中极板通过接地模块、背孔、背金与地相接，上下极板通过加电模块施...

本发明公开了一种Si基高频低损耗基片集成波导封装系统，包括Si基封帽以及Si基基板；其中Si基封帽以及Si基基板键合连接，Si基封帽由一定厚度的Si晶元制成，其内壁金属化，底部设置键合区，用于Si基基板键合。Si基基板通过三维堆叠可实现...

本发明公开了一种异形超薄石英衬底太赫兹芯片的制备方法，包括：将正面具有太赫兹电路图形的石英晶圆倒扣并通过临时键合材料贴在临时载片上，通过砂轮减薄和化学抛光得到超薄石英衬底；经过光刻定义划片道区域，将划片道内的石英材料蚀穿至键合所用的键合...

本申请公开了一种降低氮化物半导体材料中氢杂质浓度的外延方法，将衬底转移到金属有机物化学气相沉积设备中，依次生长成核层、缓冲层、有源层、p型层和氮化硅保护层；在氮气气氛下进行高温原位退火，激活p型层；高退火温度可以降低氮化物半导体材料中氢...

本发明公开了一种Micro‑LED显示器件及其制造方法，所述制造方法包括：首先在驱动背板上构造独立的物理隔离的像素台阶，再通过EBL和ICP刻蚀工艺在像素四周形成周期性排列的光子晶体结构，利用光子晶体周期对匹配的特定波长光线的约束，解决...

本发明公开了一种金刚石铜热沉封装材料传热检测装置及其检测方法，装置包括开口的壳体，在壳体内从底部开始依次叠放第二纳米银浆层、金刚石铜热沉、第一纳米银浆层、热源芯片。通过将金刚石铜热沉与热源芯片集成后进行传热性能检测，得出金刚石铜热沉的传...

本发明公开了一种基于三阶互调幅相控制的毫米波高线性Doherty功率放大器，包括功分器、三阶互调分量幅度控制输入匹配网络、三阶互调分量相位控制输入匹配网络、级间匹配网络、载波三阶互调分量幅相控制输出匹配网络、峰值三阶互调分量幅相控制输出...

本发明提供了一种基于微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统及其制造方法，所述微机械硅波导空间一体化集成的太赫兹微纳系统包括：自下而上设置的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底；射频芯片；芯片埋置槽；输...

本发明公开了一种高可靠性的磁增强小型化环隔器，其中磁屏蔽罩的内侧设置凹槽，永磁体的一端嵌合在该凹槽内，永磁体的另一端与上层介质基板的一侧连接；上层介质基板的另一端制备金属线路层，金属线路层和下层介质基板晶圆级键合；下层介质基板上设置通孔...

本申请公开了一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法，首先采用氨气脉冲与Al源流量调制的方法生长AlN，在反应腔通氨气时，通高流量三甲基铝，降低V/III比，改善氮化铝质量；反应腔不通氨气时，通低流量三甲基铝，增加Al原子迁移...

一种低层错和基平面位错密度碳化硅外延薄膜的制备方法。具体步骤如下：采用熔融碱溶液或者高温氢气对SiC衬底/仅生长过缓冲层的SiC外延片进行腐蚀而形成腐蚀坑，基于低速外延工艺生长一层阻断层对层错和基平面位错的腐蚀坑进行横向外延填充，以此阻...

本发明涉及飞行技术领域，具体涉及一种柔性SMA无损互联高频小模块测试工装及使用方法。所述柔性SMA无损互联高频小模块测试工装包括底座模块、加电模块、滑台模块、推杆模块；所述柔性SMA无损互联高频小模块测试工装的使用方法是将被测件放入测试...

本发明公开了硅基薄膜铌酸锂波导集成磷化铟光电探测器及其制备方法，包括硅衬底；埋氧层，设置在硅衬底的上表面；铌酸锂光波导，设置在埋氧层的部分上表面；氧化硅上包层，设置在铌酸锂光波导和埋氧层剩余部分上表面；BCB键合层，设置在氧化硅上包层的...

本发明公开了一种基于HTCC工艺SIP陶瓷外壳结构，其包含金属盖板、金属围框、钎焊料、陶瓷基板、薄金区、阻焊区、厚金区。本发明还提供了一种基于HTCC工艺SIP陶瓷外壳的制作方法。其制造方法包括：金属盖板制备、金属围框制备、陶瓷件制备、...

本发明公开了一种射频微系统的电磁屏蔽三维互连结构及信号传输方法，包括基板三维互连结构、裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构；基板三维互连结构包括上基板和下基板，上基板设置有定位孔和互连基座，裸芯片三维互连结构、电磁屏蔽互连结构均位于下基...

本发明公开了一种小型化3dB正交耦合器，包括耦合线图形层、介质基板层、金属地层和跨接导线，耦合线图形层设置在介质基板层上，介质基板层底部设置金属地层，所述耦合线图形层内部通过跨接导线连接，耦合线图形层包括螺旋交指耦合线以及信号端口；螺旋...

本发明公开了一种基于悬浮金属栅终端结构HEMT器件的制备方法，包括步骤：S1，在GaAs衬底上生成外延层，作为器件的有源区；S2，设计两种对准图形，并采用电子束蒸发Ti/Au在外延层上完成图形的转移；S3，制作欧姆电极；S4，进行栅极区...

本发明公开了一种太赫兹低噪声放大器芯片的噪声系数测试系统，包括冷热源、太赫兹接收前端、天线、运动载台和总控制系统，所述运动载台用于搭载天线、待测样品和太赫兹接收前端，并使天线移动至冷源下方或者热源下方，冷热源分别提供冷源热源辐射，天线用...

本发明公开了一种MIM电容器的制备方法及MIM电容器，所述MIM电容器包括：衬底，所述衬底上开设有若干背孔；背金层，所述背金层附着在衬底下表面、背孔的侧壁；电容第一极板，所述电容第一极板设在衬底上方，且与附着在衬底下表面的背金层接触；电...

本申请公开了提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管沟道迁移率的材料处理方法，在SiC圆片完成n型和p型离子注入后，不再进行氩气气氛高温退火激活，直接进入外延炉进行氢气气氛退火激活，为避免高温退火激活过程中的氢气刻蚀破坏圆片结构，先外延生...