中国电子科技集团公司第四十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第四十四研究所共有298项专利

  • 本专利属于封装技术领域,具体为一种陶瓷管壳结构及其封装结构,所述陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘;本...
  • 本发明属于集成光学领域,具体为一种高隔离度的多通道高速电光调制器,其包括衬底,在衬底内包括多个并行的光波导通道;在衬底上表面设置有缓冲层,在缓冲层的表面,对应为每个光波导通道设置有行波电极;其中,光波导通道的输入端连接有输入光纤,光波导...
  • 本发明涉及一种CCD,特别涉及一种细分大尺寸像元CCD结构,大尺寸像元CCD结构包括垂直CCD结构和水平CCD结构,所述垂直CCD结构包括第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组以及第四垂直分组,第四垂直分组与同步时钟线连接,同步时钟线...
  • 本发明涉及半导体光电二极管领域,特别涉及一种高可靠NIP结构台面型光电二极管及制作方法,所述光电二极管包括半绝缘衬底,在衬底上生长有缓冲层、接触层、吸收层、渐变层和阻挡层;所述结构采用三层台面芯片结构,台面表面覆盖有钝化层,从所述N型台...
  • 本发明涉及图像传感器器件设计方法,特别涉及三相驱动结构CCD的水平区结构及其驱动电路,所述结构包括外延层、水平区三相电极、栅介质层、浮置扩散区及复位栅,所述水平区三相电极包括第一相栅(H1)、第二相栅(H2)和第三相栅(H3),其特征在...
  • 本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术,特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法,所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片,所述PDA芯片上设置有In凸点阵列,所述ROIC芯片上设置有金属微管,所述每个微管结构插入对应的In...
  • 本发明属于纳米光栅制作领域,具体涉及一种Ⅲ‑Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法,包括采用干法刻蚀Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆,以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆上;使用氧气干法刻蚀晶圆表面;判断是否达到目标尺寸,若没达到则重复上述步骤,否则结束刻蚀;...
  • 本发明涉及微波光子领域,尤其涉及用于高频宽带电光强度调制器频响特性的精准提取方法,包括双频信号源、频谱分析仪、光电探测器和激光器,待测件将光载波信号从输出端口进入待测件的输入端口,待测件的输出端口连接光电探测器,实现射频信号的光电解调,...
  • 本发明属于微波技术和光电子技术领域,尤其涉及用于光网络参数综合测试仪的一种光电电光器件的关键参数提取装置;所述提取装置用于通过物理接口连接光网络参数综合测试仪,从而提取出待测光电/电光器件的关键参数,并在所述光网络参数综合测试仪中以图像...
  • 本发明属于光通信技术领域,具体公开了一种MZ光强度调制器任意偏置点控制装置及其控制方法,在传统MZ光强度调制器偏置控制理论的基础上,提出一种新型无扰动的MZ光强度调制器偏置点控制方法及装置,可以实现光调制器任意偏置点稳定控制,且适用于多...
  • 本发明属于光电探测领域的图像传感器,提出了一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法;所述像素结构包括P型衬底,所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及像元区域;所述像元区域位于P型衬底的顶部的左侧或由右侧,所述像元区域上...
  • 本专利属于辅助驾驶、自动驾驶领域,涉及自动驾驶领域中感知周围环境的激光雷达技术;具体为一种基于非扫描式单线激光雷达的隧道几何参量测量系统;所述系统包括电性连接的控制器、运算器以及多个非扫描式单线激光雷达;其中,所述多个非扫描式单线激光雷...
  • 本发明涉及机械环境试验器具领域,特别涉及陶瓷双列封装器件冲击振动试验夹具,包括母夹具和锁紧压板,所述母夹具上设置有多个方形通槽和中隔板,方形通槽之间由隔板间隔分开,母夹具的上表面、下表面以及锁紧压板上均设置有多个锁紧螺孔且母夹具和锁紧压...
  • 本发明属于光电探测及成像技术领域,具体为一种高灵敏度双倍增内线转移CCD,所述双倍增内线转移CCD包括雪崩光敏二极管、垂直CCD信道、移位寄存器以及电子倍增结构;入射光子进入所述高灵敏度双倍增内线转移CCD,被雪崩光敏二极管吸收,通过对...
  • 本发明属于激光器控制技术领域,涉及一种光模块消光比自适应调整的控制方法;所述方法包括通过调整参考电压,确定初始偏置电流和初始探测器电流;调整微控制中心的调制电流数值,确定出初始调制电流值;根据初始偏置电流、初始探测器电流以及初始调制电流...
  • 本发明涉及半导体光电二极管领域,特别涉及一种提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法,所述结构包括衬底,在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层;所述结构采用台面型芯片结构,台面表面覆盖有钝化层,有源区窗口覆盖有P电极,从台面...
  • 本发明涉及一种激光器控制技术,尤其涉及一种光模块消光比自适应装置及其控制方法;所述光模块消光比自适应调整装置包括探测器、激光器、异步控制中心、偏置电流产生模块、偏置电流测量电路、电流检测电路、微控制中心、调制电流产生模块及电压参考VRE...
  • 本发明属于微处理器接口技术及现场总线信号隔离传输技术领域,具体涉及一种传输方向可选的高速数字型光电耦合器;所述光电耦合器包括三个并行的光电传输通道,分别为第一传输通道、第二传输通道以及第三传输通道;其中所述第一传输通道、第二传输通道为结...
  • 本专利属于封装技术领域,具体为一种陶瓷管壳结构及其封装结构,所述陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘;本...
  • 本发明涉及集成光学领域,特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法,所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极,所述光波导位于键合层表面,且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜;铌酸锂厚膜的厚度为8~20微米;本发明厚膜型铌酸...
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