中国电子科技集团公司第四十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第四十四研究所共有268项专利

  • 本发明提供一种注入锁定半导体激光器,包括:主激光器、第一准直透镜、全反镜、半反半透镜、第二准直透镜、从激光器、聚焦透镜和光纤;主激光器发出的激光经过第一准直透镜整形为第一平行光束,第一平行光束通过全反镜入射到半反半透镜上,半反半透镜的反...
  • 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法,包括:S1、在衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在缓冲层上生长2~4ML的InAs量子点层,生长温度为470~510℃;S3、关闭As源;S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长...
  • 一种双向调制的高速铌酸锂相位调制器,包括铌酸锂基底、条形波导和行波电极,所述条形波导和行波电极均形成于铌酸锂基底上,其创新在于:所述铌酸锂基底上设置有两个行波电极,两个行波电极之间留有间隔,两个行波电极沿条形波导轴向顺次排列,条形波导的...
  • M-Z调制器任意偏置点控制系统
    本发明提供一种M‑Z调制器任意偏置点控制系统,包括M‑Z调制器和光耦合器,光电转换放大器,接收光耦合器提供的光信号,并将光信号转换为电信号进行放大处理;第一低通滤波器,滤出电信号的基波分量;带通滤波器,滤出电信号的二次谐波分量;第二低通...
  • 用于内线转移CCD的引线-遮光结构
    本发明公开了一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,包括多晶硅转移栅、回留层、遮光金属层、平坦化层和金属总线层;多晶硅转移栅形成在衬底上;回留层覆盖在多晶硅转移栅表面,回留层上设置有与多晶硅转移栅对应的接触孔,遮光金属层覆盖在回留层表面...
  • 本发明公开了一种采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,其创新在于:述铌酸锂电光相位调制器包括铌酸锂芯片和四分之一玻片;本发明的有益技术效果是:提出了一种采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,该装置结构简单巧妙...
  • 本发明公开了一种采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,其创新在于:所述铌酸锂电光相位调制器包括铌酸锂芯片、法拉第旋转镜和反射镜;本发明的有益技术效果是:提出了一种采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,该装置结...
  • 本发明提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器,包括:P+区和N+区分别形成在N型衬底层上下两侧的表层中,硅微结构层形成在N+区的下侧面上;钝化膜设置在硅微结构层表面;增透膜设置在P+区表面;增透膜上设置有P电极孔,P...
  • 本发明属于半导体器件技术领域,主要涉及一种具备快速泄放信号功能的CCD,包括硅衬底,所述硅衬底上邻近设置有转移区和光敏区,其特征在于:所述转移区范围内的硅衬底表面上设置有多晶硅转移栅,多晶硅转移栅表面覆盖有遮光层,遮光层表面淀积有回流层...
  • 本发明提供一种平面型AlGaN紫外探测器阵列结构及其制作方法,该结构包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下接触层、吸收层、阻挡层和上接触层,在上接触层上设置有延伸至下接触层的离子注入区,在离子注入区内注入He或B离子后形成电阻隔离区,电...
  • 带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方法
    本发明公开了一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器,该硅基探测器在光敏区表面设置有微结构阵列,微结构阵列表面覆盖有氮化硅应力层;本发明还公开了前述硅基探测器的制作方法;本发明的有益技术效果是:提出了一种带氮化硅致应力结构的硅基探测器及制作方...
  • 能降低偏振成像器件像元间光串扰的微透镜阵列
    本发明提出了一种能降低偏振成像器件像元间光串扰的微透镜阵列,包括像元阵列、平坦化层、光栅阵列和微透镜阵列;像元阵列由多个按阵列形式分布的像元组成;光栅阵列由多个按阵列形式分布的亚波长光栅组成;微透镜阵列由多个按阵列形式分布的微透镜组成;...
  • 一种基于红外LED光纤的数据通信设备及其制造方法和通信方法
    本发明属于光纤数据通信技术领域,本发明的一种基于红外LED光纤的数据通信设备,包括光信号输出设备、光信号接收设备和光纤,所述光信号输出设备包括壳体A、红外LED发光芯片和光源载体,所述红外LED发光芯片安装在光源载体上,光源载体安装在壳...
  • 一种InP基纳米光栅及其制作方法
    本发明提供一种InP基纳米光栅及其制作方法,包括:在InP基晶圆上生长SiNx膜;依次旋转涂覆抗反射涂层、光刻胶层,并通过位相掩膜曝光和显影方法在光刻胶层上形成光栅图形;采用二次曝光和显影方法,去除InP基晶圆边缘的光刻胶并擦拭掉InP...
  • 抗辐照高动态焦平面读出电路
    本发明提供一种抗辐照高动态焦平面读出电路,包括可调补偿电流源、运算放大器和积分电容,可调补偿电流源的第一端接地,第二端连接积分电容的第一端,积分电容的第一端还与未遮蔽焦平面探测器的输出端以及运算放大器的反相输入端连接,第二端与运算放大器...
  • 大功率半导体激光器模块光窗的清洗液及其制备方法、聚四氟乙烯夹具及清洗工艺
    本发明公开了一种大功率半导体激光器模块光窗的清洗液及其制备方法、聚四氟乙烯夹具及清洗工艺,该清洗液主要由浓硫酸、硝酸和重铬酸钾组成,采用该清洗液对光窗片进行镀膜前的表面处理,解决了光窗片批量化清洗不干净导致的镀膜工艺后脱膜问题,并借助一...
  • 雪崩倍增型双向扫描TDICCD
    本发明公开了一种雪崩倍增型双向扫描TDICCD,所述雪崩倍增型双向扫描TDICCD包括像元阵列、多条电荷转移沟道、两条水平转移区、多个雪崩倍增区和多个输出结构;本发明的有益技术效果是:提出了一种雪崩倍增型双向扫描TDICCD,该器件具有...
  • 超多抽头CCD信号处理与采集装置
    本发明公开了一种超多抽头CCD信号处理与采集装置,所述超多抽头CCD信号处理与采集装置由上位机、驱动模块、采样模块、图像采集控制模块和多个信号处理模块组成;本发明的有益技术效果是:提出了一种超多抽头CCD信号处理与采集装置,该方案可以大...
  • 集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件
    本发明提供一种集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件,包括壳体,壳体内侧的底部与制冷器的热端面连接,制冷器的冷端面设有陶瓷基板,陶瓷基板上设有电路布线并安装了单光子雪崩光电二极管芯片,该芯片与陶瓷基板上的侧面电路布线进行连接,单光子雪崩光电...
  • 一种M-Z调制器用正交偏置点控制装置及其控制方法
    本发明提供了一种M‑Z调制器用正交偏置点控制装置,其特征在于:所述正交偏置点控制装置包括光探测放大器、A/D转换器、微控制器、D/A转换器、低通滤波器I、全波整流器I、低通滤波器II、带通滤波器、全波整流器II、低通滤波器III、乘法器...
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