中国电子科技集团公司第四十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第四十四研究所共有280项专利

  • 本专利属于封装技术领域,具体为一种陶瓷管壳结构及其封装结构,所述陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘;本...
  • 本发明涉及集成光学领域,特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法,所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极,所述光波导位于键合层表面,且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜;铌酸锂厚膜的厚度为8~20微米;本发明厚膜型铌酸...
  • 本发明属于集成光学领域,涉及一种铌酸锂强度调制器,特别涉及一种高开关消光比的M‑Z型铌酸锂强度调制器,所述调制器包括铌酸锂基底以及形成于其表面的缓冲层、行波电极和光波导,所述行波电极包括中心电极和地电极,所述光波导包括输入端直波导、输出...
  • 本发明属于探测器芯片制造技术领域,具体为一种低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法,所述方法包括在外延片的顶层沉积掩膜,通过光刻工艺开出台面刻蚀窗口;采用湿法刻蚀将外延片刻蚀成外延台面,进行表面化学清洗,去除湿法刻蚀反应残留产物等;采...
  • 本发明涉及光纤时间频率传输技术领域,特别涉及一种高精度分布式光纤宽带频率传递系统及方法,所述系统包括宽带频率源、中心站光纤频率传递单元、N个用户单元、M个双向光放大单元和远端光纤频率传递单元,所述宽带频率源与中心站光纤频率传递单元电连接...
  • 本发明提出通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法,属于CCD器件设计技术领域。本发明包括以下步骤:S1、将普通CCD器件进行背面减薄;S2、将两片减薄后的CCD器件背面分别粘接在透光绝缘介质材料的上、下表面,得到至少一组两片...
  • 本发明属于光电技术领域,具体为一种具有高耦合效率的光收发模块,所述光收发模块包括上盒板、下盒板、DIN型接口激光器;DIN型接口激光器的一部分安装在上盒板与下盒板形成的空腔内,另一部分伸出空腔;所述DIN型接口激光器包括DIN型接口、第...
  • 本发明属于光电探测器技术领域,涉及微透镜陷光结构的近红外响应光电探测器及其制备方法。本发明的吸收层上表面的中心区域设置有光敏区钝化层,光敏钝化层的上表面从下至上依次设置有正面反射镜、微透镜垫层和微透镜阵列;微透镜垫层的厚度为微透镜焦距,...
  • 本发明属于光电技术领域,具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。微光栅光腔制作过程集成在硅探测器制作工艺中,与其制作工艺兼容。方法包括对硅探测器圆片进行预处理,在探测器圆片背面形成铬光栅;将铬光栅转移到硅衬底上,在硅衬...
  • 本发明属于探测器阵列的制作工艺技术领域,具体涉及一种高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法,所述制作方法包括在GaN外延片上溅射Ni/Au层;在所述Ni/Au层上采用等离子体增强化学的气相沉淀法PECVD生长SiNx/SiO2膜;在...
  • 本发明提出了一种CMOS图像传感器曝光时序控制装置,包括曝光时间寄存器、曝光时间检测模块、曝光时间计数模块、曝光时序控制模块、FOT时序控制模块、读出时序控制模块、比较模块、曝光起始位置控制模块、控制电路和三个数据选择器;三个数据选择器...
  • 本发明公开了一种CMOS图像传感器曝光时序控制方法,其创新在于:在单个非初始帧周期的控制中,加入检测阶段,对当前曝光时间和前一帧周期的读出时间的时间大小关系进行检测,根据检测结果,对检测阶段的结束时刻进行调节,从而使得CMOS图像传感器...
  • 本发明提供一种注入锁定半导体激光器,包括:主激光器、第一准直透镜、全反镜、半反半透镜、第二准直透镜、从激光器、聚焦透镜和光纤;主激光器发出的激光经过第一准直透镜整形为第一平行光束,第一平行光束通过全反镜入射到半反半透镜上,半反半透镜的反...
  • 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法,包括:S1、在衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在缓冲层上生长2~4ML的InAs量子点层,生长温度为470~510℃;S3、关闭As源;S4、在InAs量子点层的顶部采用FME模式生长...
  • 一种双向调制的高速铌酸锂相位调制器,包括铌酸锂基底、条形波导和行波电极,所述条形波导和行波电极均形成于铌酸锂基底上,其创新在于:所述铌酸锂基底上设置有两个行波电极,两个行波电极之间留有间隔,两个行波电极沿条形波导轴向顺次排列,条形波导的...
  • M-Z调制器任意偏置点控制系统
    本发明提供一种M‑Z调制器任意偏置点控制系统,包括M‑Z调制器和光耦合器,光电转换放大器,接收光耦合器提供的光信号,并将光信号转换为电信号进行放大处理;第一低通滤波器,滤出电信号的基波分量;带通滤波器,滤出电信号的二次谐波分量;第二低通...
  • 用于内线转移CCD的引线-遮光结构
    本发明公开了一种用于内线转移CCD的引线‑遮光结构,包括多晶硅转移栅、回留层、遮光金属层、平坦化层和金属总线层;多晶硅转移栅形成在衬底上;回留层覆盖在多晶硅转移栅表面,回留层上设置有与多晶硅转移栅对应的接触孔,遮光金属层覆盖在回留层表面...
  • 本发明公开了一种采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,其创新在于:述铌酸锂电光相位调制器包括铌酸锂芯片和四分之一玻片;本发明的有益技术效果是:提出了一种采用四分之一玻片实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,该装置结构简单巧妙...
  • 本发明公开了一种采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,其创新在于:所述铌酸锂电光相位调制器包括铌酸锂芯片、法拉第旋转镜和反射镜;本发明的有益技术效果是:提出了一种采用法拉第旋转镜实现偏振无关的铌酸锂电光相位调制器,该装置结...
  • 本发明提出了一种基于硅微结构的1064nm增强型四象限光电探测器,包括:P+区和N+区分别形成在N型衬底层上下两侧的表层中,硅微结构层形成在N+区的下侧面上;钝化膜设置在硅微结构层表面;增透膜设置在P+区表面;增透膜上设置有P电极孔,P...
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