中国电子科技集团公司第四十四研究所专利技术

中国电子科技集团公司第四十四研究所共有289项专利

  • 本发明属于光通信技术领域,具体公开了一种MZ光强度调制器任意偏置点控制装置及其控制方法,在传统MZ光强度调制器偏置控制理论的基础上,提出一种新型无扰动的MZ光强度调制器偏置点控制方法及装置,可以实现光调制器任意偏置点稳定控制,且适用于多...
  • 本发明属于光电探测领域的图像传感器,提出了一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法;所述像素结构包括P型衬底,所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及像元区域;所述像元区域位于P型衬底的顶部的左侧或由右侧,所述像元区域上...
  • 本专利属于辅助驾驶、自动驾驶领域,涉及自动驾驶领域中感知周围环境的激光雷达技术;具体为一种基于非扫描式单线激光雷达的隧道几何参量测量系统;所述系统包括电性连接的控制器、运算器以及多个非扫描式单线激光雷达;其中,所述多个非扫描式单线激光雷...
  • 本发明涉及机械环境试验器具领域,特别涉及陶瓷双列封装器件冲击振动试验夹具,包括母夹具和锁紧压板,所述母夹具上设置有多个方形通槽和中隔板,方形通槽之间由隔板间隔分开,母夹具的上表面、下表面以及锁紧压板上均设置有多个锁紧螺孔且母夹具和锁紧压...
  • 本发明属于光电探测及成像技术领域,具体为一种高灵敏度双倍增内线转移CCD,所述双倍增内线转移CCD包括雪崩光敏二极管、垂直CCD信道、移位寄存器以及电子倍增结构;入射光子进入所述高灵敏度双倍增内线转移CCD,被雪崩光敏二极管吸收,通过对...
  • 本发明属于激光器控制技术领域,涉及一种光模块消光比自适应调整的控制方法;所述方法包括通过调整参考电压,确定初始偏置电流和初始探测器电流;调整微控制中心的调制电流数值,确定出初始调制电流值;根据初始偏置电流、初始探测器电流以及初始调制电流...
  • 本发明涉及半导体光电二极管领域,特别涉及一种提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法,所述结构包括衬底,在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层;所述结构采用台面型芯片结构,台面表面覆盖有钝化层,有源区窗口覆盖有P电极,从台面...
  • 本发明涉及一种激光器控制技术,尤其涉及一种光模块消光比自适应装置及其控制方法;所述光模块消光比自适应调整装置包括探测器、激光器、异步控制中心、偏置电流产生模块、偏置电流测量电路、电流检测电路、微控制中心、调制电流产生模块及电压参考VRE...
  • 本发明属于微处理器接口技术及现场总线信号隔离传输技术领域,具体涉及一种传输方向可选的高速数字型光电耦合器;所述光电耦合器包括三个并行的光电传输通道,分别为第一传输通道、第二传输通道以及第三传输通道;其中所述第一传输通道、第二传输通道为结...
  • 本专利属于封装技术领域,具体为一种陶瓷管壳结构及其封装结构,所述陶瓷管壳结构包括陶瓷底座,所述陶瓷底座的上表面中部有第一凹槽,所述陶瓷底座的下表面中部有第二凹槽;在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间有部分连通,在第二凹槽上安装有多个焊盘;本...
  • 本发明涉及集成光学领域,特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法,所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极,所述光波导位于键合层表面,且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜;铌酸锂厚膜的厚度为8~20微米;本发明厚膜型铌酸...
  • 本发明属于集成光学领域,涉及一种铌酸锂强度调制器,特别涉及一种高开关消光比的M‑Z型铌酸锂强度调制器,所述调制器包括铌酸锂基底以及形成于其表面的缓冲层、行波电极和光波导,所述行波电极包括中心电极和地电极,所述光波导包括输入端直波导、输出...
  • 本发明属于探测器芯片制造技术领域,具体为一种低表面漏电流台面型光电探测器及其制作方法,所述方法包括在外延片的顶层沉积掩膜,通过光刻工艺开出台面刻蚀窗口;采用湿法刻蚀将外延片刻蚀成外延台面,进行表面化学清洗,去除湿法刻蚀反应残留产物等;采...
  • 本发明涉及光纤时间频率传输技术领域,特别涉及一种高精度分布式光纤宽带频率传递系统及方法,所述系统包括宽带频率源、中心站光纤频率传递单元、N个用户单元、M个双向光放大单元和远端光纤频率传递单元,所述宽带频率源与中心站光纤频率传递单元电连接...
  • 本发明提出通过叠层提高近红外谱段效率的CCD器件及其制作方法,属于CCD器件设计技术领域。本发明包括以下步骤:S1、将普通CCD器件进行背面减薄;S2、将两片减薄后的CCD器件背面分别粘接在透光绝缘介质材料的上、下表面,得到至少一组两片...
  • 本发明属于光电技术领域,具体为一种具有高耦合效率的光收发模块,所述光收发模块包括上盒板、下盒板、DIN型接口激光器;DIN型接口激光器的一部分安装在上盒板与下盒板形成的空腔内,另一部分伸出空腔;所述DIN型接口激光器包括DIN型接口、第...
  • 本发明属于光电探测器技术领域,涉及微透镜陷光结构的近红外响应光电探测器及其制备方法。本发明的吸收层上表面的中心区域设置有光敏区钝化层,光敏钝化层的上表面从下至上依次设置有正面反射镜、微透镜垫层和微透镜阵列;微透镜垫层的厚度为微透镜焦距,...
  • 本发明属于光电技术领域,具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。微光栅光腔制作过程集成在硅探测器制作工艺中,与其制作工艺兼容。方法包括对硅探测器圆片进行预处理,在探测器圆片背面形成铬光栅;将铬光栅转移到硅衬底上,在硅衬...
  • 本发明属于探测器阵列的制作工艺技术领域,具体涉及一种高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法,所述制作方法包括在GaN外延片上溅射Ni/Au层;在所述Ni/Au层上采用等离子体增强化学的气相沉淀法PECVD生长SiNx/SiO2膜;在...
  • 本发明提出了一种CMOS图像传感器曝光时序控制装置,包括曝光时间寄存器、曝光时间检测模块、曝光时间计数模块、曝光时序控制模块、FOT时序控制模块、读出时序控制模块、比较模块、曝光起始位置控制模块、控制电路和三个数据选择器;三个数据选择器...
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