本发明属于汽车电子领域中的电源管理芯片技术领域，具体涉及一种车用带自检功能的电压检测电路，包括：分压电阻网络、二选一选择器、开关组合、运算放大器、RS触发器以及组合逻辑电路，其中分压电阻网络包括3个电阻R1～R3，开关组合包括4个MOS...

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种高压带隙基准电路；包括：PMOS管M3的漏极连接PMOS管M4的源极，PMOS管M3的源极连接电源；启动电路连接偏置电流电路、带隙基准电路和PMOS管M3的栅极，启动电路在输入电压上电时将偏置电路和带...

本发明提供一种双极晶体管辐射缺陷退火方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取待退火双极晶体管及样本双极晶体管；对样本双极晶体管的基极与集电极之间施加偏置电压，并对样本双极晶体管的发射极施加不同电流密度的电流，当样本双极晶体管的基极电...

本发明属于半导体集成电路领域，具体涉及一种基于HBT工艺的宽带低相噪的分布式放大器，包括：N个Cascode放大单元、输入隔直电容、输出隔直电容、基极人工传输线、偏置调制网络、集电极人工传输线、集电极吸收网络、集电极偏置网络、基极吸收网...

本发明涉及一种微电子芯片高可靠引线键合封装结构及其制作方法，所述封装结构包括管壳、引脚和微电子芯片；所述微电子芯片与引脚的键合段之间通过键合丝连接；所述管壳的内部空腔底部对应至少一个引脚的键合段正下方还固定设置有绝缘垫块，每一所述绝缘垫...

本发明属于模拟集成电路中的电源管理芯片技术领域，特别是涉及一种负压宽频带高PSRR的低压差线性稳压器，包括：通过把功率环路与输出电压基准环路做成级联，将输出电压基准环路中误差运放的输出极点推至高频，同时在前级偏置中增加一个降压调整器，前...

本发明公开了一种元器件水溶胶清洗设备，包括具有一清洗腔的架体、设于所述清洗腔内以用于装载元器件的装载部、分布于所述装载部上方并能沿着装载部往复移动的滚筒刷以及用于控制所述滚筒刷工作的控制装置和用于调节所述滚筒刷高度的升降调节机构，所述架...

本发明属于模拟集成电路中的电源管理领域，具体涉及一种基于衬底波纹注入的宽频带高PSR低压差线性稳压器，包括：基准电路、LDO主体电路、GTGS电路以及衬底波纹注入电路；LDO主体电路包括误差放大器EA、功率管Mp、电阻R<subg...

本发明提供了一种提升熔封封装的半导体器件可靠性的封装方法，在制作专用电极、设置专用封帽参数及电极测高的基础上，先后结合点焊和平行缝焊，因地制宜地采用平行缝焊设备和平行缝焊工艺，对半导体器件的熔封外壳进行封帽，在短时间内即可完成封帽，相较...

本申请提供一种OTP存储单元的数据读取电路及方法，该电路包括：采样模块、信号处理模块及输出模块，通过采样模块对OTP存储单元的存储数据进行采样，得到采样信号，通过信号处理单元基于第一使能信号及采样信号产生第一过渡信号，再根据第二使能信号...

本发明公开了一种PIND试验夹具及固定方法，包括支架和施压件，所述支架包括交会部和设于所述交会部外周的若干固定臂，若干固定臂共同围合成一位于所述交会部下方的供待测器件放入的容纳空间；所述施压件可拆卸设于所述交会部并可相对所述交会部竖直移...

本发明公开了一种FIR滤波器，包括：数据延时电路，对比特流进行延时处理，得到多组延时数据；数据预处理电路，对多组延时数据进行拼接得到多个拼接结果，并基于多个拼加结果得到第一累加结果；数据运算电路，将第一累加结果与滤波器系数相乘，得到相乘...

本发明涉及半导体集成电路设计领域，特别涉及一种超宽带低噪声放大器，包括输入耦合网络、自偏置网络、反馈网络、达林顿管、共栅放大器以及输出耦合网络，输入耦合网络的输入端作为一放大器输入端，其输出端与达林顿管的输入端、反馈网络的输入端、自偏置...

本发明提供一种断电维持电路，该电路包括：电压监控驱动模块根据第一电压及脉冲电压产生第一控制信号及第二控制信号，电源供给切换模块包括第一开关管及第二开关管，第一开关管输入第一电压，第二开关管输入第二电压，第一控制信号控制第一开关管，第二控...

本发明提供了一种多路输出电源，多路输出电源包括输入电磁干扰滤波模块及N条并行设置的电源变换支路，在基于输入电磁干扰滤波模块进行电磁干扰滤波的基础上，在每条电源变换支路内部的直流变换模块之前设置陷波滤波网络，通过陷波滤波网络对电源变换支路...

本发明涉及一种低应力混合集成电路连接片及其成型夹具和制作方法，连接片包括第一焊接段、去应力段及第二焊接段；所述去应力段的一端与第一焊接段连接，另一端与第二焊接段连接，用于在连接片发生变形时减小其内部应力焊接；所述去应力段上全部或部分包裹...

本申请提供一种脉冲信号的调节放大电路及方法，该电路包括：信号调整模块及放大模块，信号调整模块，接输入信号、正相调节电压及负相调节电压，对输入信号的脉冲进行采样，得到采样信号；将正相调节电压和负相调节电压叠加到采样信号上，对采样信号的基线...

本发明涉及一种背漏极MOSFET晶圆动态参数测试结构及方法，包括晶圆托盘和漏极测试板，所述漏极测试板的背面紧密贴合在晶圆托盘的侧面上，所述漏极测试板的背面设置有D极连接部；所述漏极测试板的正面设置有测试线连接部和电源线连接部，所述测试线...

本发明涉及一种高温曲率补偿的低压带隙基准，包括：通过引入二阶正温度系数的正温补偿电流，达到高温曲率补偿的目的，其中负温电流生成结构产生的负温电流用于在正温补偿电流结构中引入二阶正系数，通过引入二阶正温度系数的正温补偿电流，达到高温曲率补...

本发明涉及一种用于恒定加速度测试仪的柔性微电子器件夹具，包括用于固定在恒定加速度测试仪的测试空腔内壁上的下固定座以及连接在下固定座上的上固定座，所述上固定座和下固定座之间形成有空隙，所述空隙的形状与柔性微电子器件的形状相适配。本发明中，...