本发明提供一种基于自校准的去嵌方法、系统、存储介质及终端，晶圆上设置有去嵌结构，所述去嵌结构为左右对称结构，包括直通、反射开路、反射短路和负载匹配；所述基于自校准的去嵌方法包括以下步骤：获取所述负载匹配的直流电阻；对探针尖端面的S参数进...

本发明公开了一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，具体包括如下步骤：101)初始化步骤、102)校准标准件参数设置步骤、103)校准标准件参数采集步骤、104)修正步骤、105)变换处理步骤、106)计算得出相应参数步骤、1...

本发明实施例公开了一种芯片贴装方法，包括以下步骤：A，把晶圆放置在加热板上，加热板中间加热装置对晶圆进行局部加热，加热板在加热区域外设置冷凝管，所述冷凝管包括方形或者圆形，所述边长或者直径在1um到10000um之间，里面用低温液体做循...

本发明公开了一种基于电镀工艺制作大焊锡球的方法，具体包括如下步骤：101)初步处理步骤、102)二次处理步骤、103)焊锡步骤；本发明提供制作方便、处理便捷的一种基于电镀工艺制作大焊锡球的方法。

本发明涉及耐功率的场效应管开关、开关限幅芯片及射频前端系统，该场效应管开关包括自举电容以及至少一个FET管芯、至少一个漏源电阻、至少一个栅极串联电阻；所述场效应管开关的射频信号输入端与射频信号输出端连接，所述射频信号输入端与射频信号输出...

本发明涉及一种匹配网络可重构的多功能功率放大器及雷达系统，其中匹配网络可重构的多功能功率放大器包括：发射功率放大器模块、输出级可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在发射状态时控制：发射功率放大器模块偏置上电，输出级可重构...

本发明涉及一种宽带可重构功率放大器及雷达系统，其中宽带可重构功率放大器包括：输入可重构匹配网络模块、宽带大功率放大器模块、超宽带低功率放大器模块、输出可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在选择宽带大功率模式时控制：超宽带...

本发明公开了一种基于隔膜与异质集成工艺的在片校准件及其制作方法，包括玻璃载板、金属导体层、隔膜层、衬底；金属导体层设置在隔膜层上，隔膜层设置在衬底上，其中衬底与金属导体层相对应的位置处设置衬底空腔；衬底设置在玻璃载板之上；金属导体层引出...

本发明公开了一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法，具体包括如下步骤：101)晶片加工步骤、102)表面处理步骤、103)初步制作步骤、104)二次处理步骤；本发明提供制造出高性能的开路结构、短路结构、直通结构、负载结构、延时结...

本发明公开了一种定量测量评估噪声测试系统精度的系统及方法，包括测控模块、算法模块、处理分析模块；测控模块测出相应数据，并由算法模块进行测量评估，处理分析模块根据算法模块的测量评估生成测量评估报告；本发明提供一种具有全频段测量评估功能，可...

本发明公开了温度补偿有源偏置电路，包括开关晶体管、有源偏置晶体管、电压调节电阻R2和栅极限流电阻R5；开关晶体管的一端与电压调节电阻R2的一端连接，电压调节电阻R2的另一端与有源偏置晶体管、栅极限流电阻R5的一端连接；本发明提供可降低工...

本发明公开了一种低噪放芯片噪声系数自动化在片测试系统，包括频谱分析仪、噪声源、射频同轴线、转接器、射频探针、在片插入损耗补偿系统、自动化测试系统组成,在片插入损耗补偿系统包括信号源、双定向耦合器、接收机、射频同轴线、转接器、射频探针、同...

本发明公开了一种基于电容补偿的衰减器，该衰减器包括一个晶体管开关、一个并联衰减电阻、一个并联开路线电容以及匹配传输线，所述衰减器利用开关切换衰减状态和直通状态从而实现相对衰减的控制；本衰减器结构简单，占用面积小，寄生调相、衰减特性带宽良...

本发明公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻...

本发明公开了GaN功率放大器芯片自动化在片测试系统，包括微波信号源、驱动放大器、耦合器、在片测试模块、功率检测单元、功率环路自动化控制模块和功放自动化测试模块；依次按微波信号源、驱动放大器、耦合器、功率检测单元的顺序进行信号线连接，微波...

本发明公开了一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片，包括四个一样的单通道，分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4，四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连，每个通道包括...

本发明公开了一种砷化镓芯片和CMOS芯片三维封装结构和制作工艺，其中结构包括：砷化镓芯片作为射频部分，砷化镓芯片的逻辑和控制线连接至砷化镓芯片焊盘，通过Bumping工艺在砷化镓芯片焊盘上生长起砷化镓凸起金属柱作为对外电气连接的接口；C...

本实用新型公开了一种基于电容补偿的衰减器，该衰减器包括一个晶体管开关、一个并联衰减电阻、一个并联开路线电容以及匹配传输线，所述衰减器利用开关切换衰减状态和直通状态从而实现相对衰减的控制；本衰减器结构简单，占用面积小，寄生调相、衰减特性带...

本实用新型公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和...

本实用新型公开了毫米波脉冲功率放大器芯片的测试系统，包括自动化测试控制单元、毫米波电性能测试单元、脉冲触发控制单元、脉冲电源控制单元和脉冲功率放大器；毫米波电性能测试单元、脉冲触发控制单元与自动化测试控制单元电性连接，并受其控制实现通信...