本发明公开了一种铝硅硼电子封装材料，该铝硅硼电子封装材料由纳米氮化铝、纳米二氧化硅和纳米氮化硼制成，三者混合均匀后40‑50MPa压制10‑20小时，所述纳米氮化铝、纳米二氧化硅和纳米氮化硼的重量份之比为17‑23:14‑19:25‑2...

本发明公开了一种基于氧化锌的电子传输材料及在太阳能电池中的应用。该电子传输材料由纳米氧化锌、纳米氧化铜和石墨烯经过高压压制而成，压制之前将三者混合分散均匀。所述纳米氧化锌、纳米氧化铜和石墨烯的重量份之比为20‑40:13‑19:8‑14...

本发明公开了一种钙镁电子传输材料及应用。该电子传输材料由纳米氧化镁、纳米氧化钙和石墨烯经过高压压制而成，压制之前将三者混合分散均匀。所述纳米氧化镁、纳米氧化钙和石墨烯的重量份之比为20‑40:13‑19:8‑14。本发明提供的电子传输材...

本发明公开了一种导热高分子材料及用作电子封装材料的用途。该导热高分子材料由聚碳酸酯、纳米氮化铝和纳米铁粉制成，聚碳酸酯、纳米氮化铝和纳米铁粉的重量份之比为20‑30:7:3。本发明提供的高分子材料导热性能优异，可以用作电子封装材料。

本发明公开了一种环保硅铝复合材料及在电子封装材料方面的应用。该硅铝复合材料由纳米氧化铝、纳米二氧化硅、环氧树脂混合均匀后，熔炼浇注成。所述纳米氧化铝、纳米二氧化硅、环氧树脂的重量份之比为5:8:25。本发明提供的硅铝复合材料导热性能优异...

本发明公开了一种用作电子封装材料的金刚石‑铝复合材料。该金刚石‑铝复合材料，由纳米金刚石粉、纳米铝粉和聚丙烯酸酯经反复熔融和冷却制成，熔融和冷却6个循环。所述纳米金刚石粉、纳米铝粉和聚丙烯酸酯的重量份之比为9:14:28。本发明提供的金...

本发明公开了一种铜硅复合材料及在电子领域应用。该硅铝复合材料由纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯混合均匀后，熔炼浇注成。所述纳米硫化铜、纳米碳化硅、聚氯乙烯的重量份之比为5:8:25。本发明提供的硅铝复合材料导热性能优异，健康环保，可以用...

本发明公开了一种电子封装材料用石墨烯‑硼复合材料。该石墨烯‑硼复合材料，由纳米石墨烯粉、纳米氮化硼和聚氯乙烯经反复熔融和冷却制成，熔融和冷却4个循环。所述纳米石墨烯粉、纳米氮化硼和聚氯乙烯的重量份之比为9:14:28。本发明提供的石墨烯...

本发明公开了一种有机电子俘获材料。本发明提供的材料具有优异的电子俘获性能，可以用于电子检测领域，与现有技术相比具有突出的实质性特点和显著的进步。

本发明公开了一种有机太阳能电池电子受体材料及其应用，该材料可以用作有机太阳能电池电子受体材料，具有能级可调、合成简便、加工成本低、溶解性能优异等特点，更重要的是，此材料在可见太阳光光谱中比富勒烯及其衍生物材料有更加宽广的吸收范围。

本发明公开了一种电子封装基板材料，由纳米氧化铝、纳米碳化硅和聚乙烯蜡制成。所述纳米氧化铝、纳米碳化硅和聚乙烯蜡的重量份之比为15‑25:10‑20:3。本发明提供的电子封装基板材料性能优异，与现有技术相比具有突出的实质性特点和显著的进步...

本发明公开了一种电池用电子传输材料，该电子传输材料具有优异的电子传输性能，可以用于钙钛矿太阳能电池。本发明提供的电子传输材料具有优异的电子传输性能，可以用于钙钛矿太阳能电池。使用本发明提供的材料制备的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已经接...

本发明公开了一种钨热电子发射材料及其应用。该钨热电子发射材料由钨、铜和氮化硼制成，所述钨、铜和氮化硼的重量份之比为50‑60:10‑20:9‑13。本发明提供的钨热电子发射材料性能优异，可以用于制备电子发射材料。

本发明公开了一种高性能电子发射材料。该高性能电子发射材料由锌、镁和氮化硅制成，所述锌、镁和氮化硅的重量份之比为50‑60:10‑20:9‑13。本发明提供的高性能电子发射材料性能优异，可以用于制备电子发射材料。

本发明公开了一种电子封装用金属基复合材料。该电子封装用金属基复合材料由纳米锌粉和聚碳酸酯制成，所述纳米锌粉的质量为所述聚碳酸酯质量的55‑75%。本发明提供的金属基复合材料具有优异的性能，可以用于制备电子封装材料。

本发明公开了一种性能优异的高分子材料及其应用的用途。该导热高分子材料由聚氯乙烯、氮化硅和钛白粉制成，聚氯乙烯、氮化硅和钛白粉的重量份之比为20‑30:7:3。本发明提供的高分子材料导热性能优异，可以用作电子封装材料。

本发明公开了一种电子俘获材料及其应用。本发明提供的材料具有优异的电子俘获性能，可以用于电子检测领域，与现有技术相比具有突出的实质性特点和显著的进步。

本发明公开了一种材料及用作电子封装材料的用途。该材料由混合均匀的纳米铜粉、纳米石墨烯粉混合后经压制而成，纳米铜粉和纳米石墨烯粉重量比为1‑3:5。本发明提供的材料性能出色，可以用作电子封装材料，与现有技术相比具备突出的实质性特点和显著的...

本发明公开了一种电子封装材料用复合材料。该材料由混合均匀的纳米硫化钙、纳米氧化镁混合后经压制而成，纳米硫化钙和纳米氧化镁重量比为1‑3:5。本发明提供的材料性能出色，可以用作电子封装材料，与现有技术相比具备突出的实质性特点和显著的进步。

本发明公开了一种电子封装用高性能复合材料。该电子封装用高性能复合材料由纳米镁粉和聚氯乙烯制成，所述纳米镁粉的质量为所述聚氯乙烯质量的55‑75%。本发明提供的高性能复合材料具有优异的性能，可以用于制备电子封装材料。