本文所述的实施方式涉及具有涂覆层的平面光学装置，所述涂覆层包括单层，所述单层选自由以下项组成的组：二硫化钼(MoS<subgt;2</subgt;)、二硫化钨(WS<subgt;2</subgt;)、二硒化钨(W...

描述了一种用于蒸镀材料分配器的喷嘴。所述喷嘴包括：喷嘴入口，所述喷嘴入口用于接收蒸镀材料；喷嘴出口；以及喷嘴通路，所述喷嘴通路在所述喷嘴入口与所述喷嘴出口之间延伸，所述喷嘴通路具有第一通路部分、第二通路部分和第三通路部分，所述第二通路部...

一种化学机械研磨系统，包括支撑件、承载头、原位监控系统、温度控制系统及控制器，所述支撑件固持研磨垫，所述承载头在研磨工艺期间将基板抵靠所述研磨垫固持，所述原位监控系统经配置产生表示所述基板上的材料量的信号，所述温度控制系统控制所述研磨工...

本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠，所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分，电子装置例如显示器...

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种被配置为与用于处理基板的装置一起使用的磁体至靶间距系统包括：传感器，所述传感器被配置为在相对于靶旋转磁体的同时提供同磁体的正面与靶的背面之间的距离相对应的信号；以及磁体控制器，所述磁体控制器...

本文所公开的实施方式包括一种用于测量中性自由基浓度的处理工具。在一实施方式中，所述处理工具包括处理腔室和与所述处理腔室流体耦合的中性自由基质谱(NRMS)分析器。在一实施方式中，所述NRMS分析器包括第一腔室，所述第一腔室与处理腔室流体...

在高K金属栅极(HKMG)堆叠上形成牺牲密封层，以抑制氧化剂(例如氧气及水)影响金属栅极堆叠，从而保护器件EOT。该方法整合了包括以下步骤的处理：在基板上形成界面层；在界面层上形成高K金属氧化物层，该高K金属氧化物层包括与界面层相邻的偶...

本公开涉及用于形成薄形状因子的半导体器件封装的方法和装置。在某些实施例中，通过激光烧蚀对玻璃或硅基板进行图案化以形成用于随后形成贯穿其中的互连的结构。其后，将基板用作框架以用于形成半导体器件封装，所述半导体器件封装可在其中具有一个或多个...

在一个实施例中，提供一种抛光基板的方法。所述方法总体上包括：接收垫调节盘的多个停留时间，其中所述多个停留时间要用于对设置在平台上的垫执行的垫调节工艺中，并且每个停留时间对应于设置在平台上的垫的多个区中的区；确定将要用于垫调节工艺中的多个...

描述了新颖环状硅前驱物及氧化剂。描述了用于在基板上沉积含硅膜的方法。基板经暴露于硅前驱物及反应物以形成含硅膜(例如，元素硅、氧化硅、氮化硅)。这些暴露可为顺序的或同时的。

本公开内容的实施方式涉及测量系统和用于衍射光的方法。该测量系统包括台架、光学臂和一个或多个检测器臂。衍射光的方法包括提供一种衍射光的方法，该方法包括以固定的光束角θ<subgt;0</subgt;和最大定向角φ<sub...

本案提供处理基板的方法和设备。例如，一种与处理腔室的基板支撑件一起使用的冷却设备，包括：热交换器，歧管组件，歧管组件包含第一输入部、第二输入部、第一输出部及第二输出部，第一输入部被构造为连接该热交换器的输出部、第二输入部被构造为连接第一...

半导体处理的示例性方法可包括：将含硅前驱物和含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。含碳前驱物可由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。可将基板设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：将含硼前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方...

本文提供的实施方式通常包括用于在处理腔室中产生用于基板的等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统及方法。一个实施方式包括一种波形产生器，该波形产生器具有选择性地耦接至输出节点的电压源，其中该输出节点经配置以耦接至设置在处理腔室内的电极...

提供一种处理套件，包括：基座，基座具有矩形主体，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且与第一长边和第二长边在相应角部处...

本文提供用于处理基板的方法与装置。例如，用于处理基板的方法包括：将汽化的含硅前驱物从气源供应至处理腔室的处理容积中；将第一工艺气体从气源供应至处理容积中；使用处于第一占空比的射频源功率激励第一工艺气体，以与汽化的含硅前驱物反应；和在提供...

一种用于沉积材料的等离子体气相沉积(PVD)腔室包括用于在沉积期间影响基板边缘区域中的离子轨迹的设备。该设备包括反射器组件及多个永磁体，该反射器组件围绕基板支撑件并被配置为在沉积于基板上的材料回流期间将热反射到基板，该多个永磁体嵌入反射...

提供了用于以固定体积输送熔融金属和金属合金的方法和系统。该系统包括具有流体入口端口的蒸发系统和流体输送系统。流体输送系统包括可操作以容纳源材料的安瓿。安瓿包括流体出口端口和气体入口端口。流体输送系统进一步包括流体输送管线，该流体输送管线...

提供一种方法包括以下步骤：识别基板的第一区域的第一结构数据，和接收与在处理腔室中的一或更多个基板沉积工艺相关联的基板的光学计量数据。方法进一步包括以下步骤：基于光学计量数据及第一结构数据，确定与一或更多个基板沉积工艺相关联的基板的第一区...

一种存储器器件，包含：交替的氧化硅层及字线层的堆叠；字线层的每一者包含与氧化硅层相邻的偶极区域，这些偶极区域包含偶极金属的氮化物、碳化物、氧化物、碳氮化物，或上述的组合。偶极区域是通过将偶极膜驱入字线层的栅极氧化物层中来形成的，并且移除...