涂布半导体部件基板的示例性方法可包括将此半导体部件基板浸没在碱性电解质中。此碱性电解质可包括钇。此方法可包括在此半导体部件基板的表面处点燃等离子体持续小于或约12小时的时间段。此方法可包括在此半导体部件基板上形成含钇氧化物。此含钇氧化物...

提供了金属电极、更具体地含锂阳极、包括前述的含锂电极的诸如二次电池组的高性能电化学装置、及其制造方法，在一个实现方式中，提供了阳电极结构。阳电极结构包含：包含铜的集电器、在集电器上形成的锂金属膜、在锂金属膜上形成的铜膜、和在铜膜上形成的...

提供了一种用于为反应性沉积工艺、反应性沉积设备、及反应性沉积方法提供气体的蒸发系统。蒸发系统包括用于单侧或双侧连续辊到辊或分批涂覆卷材基板的多区扩散器组件。扩散器组件的大小经调节为容纳涂覆滚筒的至少一部分。扩散器组件包括用于朝向卷材基板...

一种为神经网络层的输出引起稀疏性的方法可包括：从神经网络层接收输出；将输出分割为多个分区；识别可以视为具有零值的多个分区中的第一分区；产生识别在多个分区中的剩余第二分区之间的第一分区的位置的编码；和将编码及第二分区发送到在神经网络中的后...

一种包括处理装置的系统及方法。处理装置接收包括等离子体处理的一个或多个等离子体暴露持续时间的数据。等离子体暴露持续时间与受控元件的集合相关联。处理装置促使受控元件的每个集合在第一操作模式与第二操作模式之间切换。受控元件的每个集合将基板的...

示例性蚀刻方法可包括对容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板上的金属氧化物层的暴露表面进行改性，以产生金属氧化物的改性部分。所述方法可包括将金属氧化物的改性部分与含氟前驱物接触。所述接触可产生金属氟氧化物材料。所述方法可包括将蚀刻剂前驱...

一种方法包括：在对制造腔室内的基板执行处理的期间，测量制造腔室内的属性值的子集。该方法进一步包括：确定制造腔室中与进行测量的位置相距较远的位置处的属性值。该方法进一步包括：基于所确定的属性来执行校正动作。

提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相...

所公开的实施方式尤其描述一种系统及方法，其由光束扫描基板并针对基板的一组位置中的每一者侦测与从基板反射(或透射穿过基板)的光束相关联的一组强度值中的相应者。所侦测到的强度值用以决定基板的厚度的概况。

本公开的实施例总体涉及用于将膜模量保持在预定模量范围内的方法、设备和系统。在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括将一种或多种处理气体引入处理腔室的处理空间中，以及在被支撑在设置于处理空间中的基板支撑件上的基板上沉积膜。所述方法包括向基...

示例性沉积方法可包括将含钌前驱物和含氢前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。含钌前驱物或含氢前驱物中的至少一者可包括碳。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上...

示例性半导体处理系统可包括处理腔室。所述系统可包括远程等离子体单元，所述远程等离子体单元与处理腔室耦接。所述系统可包括适配器，所述适配器耦接于远程等离子体单元与处理腔室之间。所述适配器可由第一端和与第一端相对的第二端表征。所述远程等离子...

提供结构的共形自由基氧化的方法。在一个实施方式中，方法包括以第一流率将氢流入处理腔室，其中处理腔室具有定位在其中的基板。方法进一步包括以第二流率将氧流入前驱物活化器。方法进一步包括以第三流率将氩流入前驱物活化器。方法进一步包括在前驱活化...

描述了用于形成半导体结构的方法及半导体结构。该方法包含图案化基板以形成第一开口及第二开口，该基板包含n晶体管及p晶体管，第一开口在n晶体管之上且第二开口在p晶体管之上；预清洁基板；由等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在n晶体管上及p...

示例性基板支撑组件可以包括限定基板支撑表面的吸附主体。基板支撑表面可以限定多个从基板支撑表面向上延伸的突起。基板支撑表面可以限定环形槽和/或脊。多个突起的子集可以设置在环形槽和/或脊内。基板支撑组件可以包括与吸附主体耦合的支撑柄。

本文提供了三维动态随机存取存储器(3D DRAM)结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D DRAM堆叠可以包括交替的硅(Si)层及锗硅(SiGe)层。Si层的每一者可具有比SiGe层的每一者的高度更大的高度。进一步提供了用于形成此种结...

本文提供喷头的实施例。在一些实施例中，喷头组件包括：冷硬板，其包括气体板和冷却板，其间设置有铝硅箔间层，以用于将气体板扩散接合至冷却板；以及加热器板，其包括第一板、第二板和第三板，其中在第一板与冷却板之间设置铝硅箔间层，以用于将第一板扩...

示例性基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体，所述基板支撑表面限定基板座。基板支撑组件可以包括与静电卡盘主体耦接的支撑柄。基板支撑组件可以包括嵌入在静电卡盘主体内的上部加热器。上部加热器可包括中心加热器区，以及与中心加热器区同...

公开了动态调平工艺加热器提升。一种用于通过相对于处理腔室内的表面对基板支撑件进行定向来改进处理腔室中的处理结果的方法和装置。所述方法包括：使基板支撑件的支撑表面相对于喷头的输出表面定向在第一方向上，其中基板支撑表面的第一方向相对于输出表...

揭露了用于在具有硅表面和介电表面的基板的顶上选择性地沉积钛材料层的方法和设备。在实施方式中，一种设备被配置成用于在处理腔室的盖加热器和喷头之间的区域中在摄氏200至800度的第一温度下在四氯化钛(TiCl<subgt;4</...