一种电子器件制造系统，包括：传输腔室、位于该传输腔室内的工具站、与该传输腔室耦合的处理腔室、以及传输腔室机器人。该传输腔室机器人被配置为向该处理腔室传输基板和从该处理腔室传输基板。该传输腔室机器人被进一步配置为耦合至包括一个或多个传感器...

一种系统，包括：处理设备，与该存储器设备可操作地耦接，以执行包括以下步骤的操作：获得与在工艺腔室中依据配方执行的用以在基板的表面上沉积膜的沉积工艺相关联的多个传感器值；基于该多个传感器值来产生制造数据图；经由用户界面接收对该制造图上的数...

一种间隙填充基板上的特征的方法通过使用卤化钨浸泡处理来减小特征到特征间隙填充高度变化。在一些实施例中，所述方法可包括将基板加热至大约350摄氏度到大约450摄氏度的温度，在大约5托至大约25托的工艺压力下将基板暴露于卤化钨气体，用卤化钨...

描述了支座组件、用于支座组件的冲洗环、及用于增加边缘冲洗气体在加热的支座组件中的停留时间的处理方法。冲洗环具有限定冲洗环的厚度的内直径面和外直径面、限定冲洗环的高度的顶部表面和底部表面、和热膨胀特征。冲洗环包括延伸穿过厚度并与基板支撑件...

本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板...

本文公开了传递腔室机器人及其使用方法的实施方式。在一个实施方式中，一种用于电子器件制造系统的处理工具包含传递腔室、耦接到传递腔室的处理腔室、及传递腔室机器人。传递腔室机器人经配置为将基板传递到处理腔室及从处理腔室传递基板，并且包含经配置...

本文提供的实施例包括一种用于使用刷子转盘组件清洁基板的第一表面的系统和方法。在一个实施例中，刷子转盘组件包括一个或多个可旋转刷子安装组件，所述一个或多个可旋转刷子安装组件耦合到可旋转托架，具有被配置成围绕托架轴线旋转的托架支撑结构。刷子...

公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

本公开内容提供一种用于在真空沉积工艺中在基板上进行材料沉积的设备。所述设备包括：靶材支撑件；两个或更多个靶材分段，所述两个或更多个靶材分段由所述靶材支撑件支撑，其中在所述两个或更多个靶材分段的相邻靶材分段之间设有第一间隙；和两个或更多个...

描述了高像素密度LED结构的制造方法。方法可包括形成底板基板及LED基板。可将底板基板与LED基板接合在一起，且接合后的基板可包含LED像素阵列。LED像素中的每一者可包括一组隔离的子像素。可在LED像素中的每一者中的隔离子像素中的至少...

本文描述了一种腔室部件，所述腔室部件包括包含镍的金属层和在金属层之上的氧化镍阻挡层。氧化镍阻挡层可通过用包含氢氟酸和/或硝酸的氧化剂处理腔室部件来形成。

一种用于控制电子装置上的噪声的方法可包括以下步骤：确定与在第一配置中且包括在电子装置上的天线相关联的测量特性违反预定阈值。该方法也可包括识别第二配置中的干扰源，该干扰源可以是电子装置上的部件。干扰源可发射导致测量特性违反预定阈值的电磁(...

本文中公开了一种温度致动阀，所述温度致动阀包括固定构件和可动构件，其中固定构件被配置为接收可动构件。第一流动路径被限定在固定构件的外表面与壳体的内表面之间，第二流动路径由可动构件限定并限定在可动构件内。所述温度致动阀进一步包括至少一个温...

一种沉积材料的方法，所述方法包括：从第一旋转靶并用孔径板进行溅射，所述第一旋转靶具有第一磁体组件，所述第一磁体组件具有第一等离子体约束；以及同时地从第二旋转靶并用所述孔径板进行溅射，所述第二旋转靶具有第二磁体组件，所述第二磁体组件具有第...

提供了一种用于进行热蒸发的方法和装置。热蒸发器包括扁平坩埚设计，相对于传统设计，它提供了用于蒸发要沉积的材料的增加的表面面积。增加用于蒸发的表面面积意味着，可以产生更多的蒸发材料的蒸气，这会增加蒸发器主体内部的压力，导致蒸发材料流出喷嘴...

本文提供的实施例大体包括用于减缓失真电流的装置、等离子体处理系统和方法。示例等离子体处理系统包括耦合至输入节点的电压源，输入节点耦合至设置在处理腔室内的电极，其中电压源被配置为在输入节点处产生脉冲电压信号；具有输出的信号产生器，其中RF...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括喷头。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括压板，所述压板由面向喷头的第一表面表征。基板支撑件可包括轴，所述轴沿着压板的与压板的第一表面相对的第二表面与压板耦接。轴可至少部分地延伸穿过腔室主...

叙述了半导体装置及其制造方法。所述方法包括在基板上形成底部介电隔离(BDI)层及在源极/漏极沟槽中沉积模板材料。此模板材料被结晶。接着进行源极与漏极区的外延成长，其中成长有利地发生在源极与漏极区的底部与侧壁上。

本文所述的实施方式提供了获得光学器件的全场域光场以确定光学器件的多个计量度量的计量工具和方法。计量工具用于将光束分成第一光路和第二光路。第一光路和第二光路被组合成组合光束并被递送至检测器。该检测器测量组合光束的强度。将第一等式和第二等式...

示例性沉积方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括提供具有含硼前驱物和含氮前驱物的含氢前驱物。含氢前驱物与含硼前驱物或含氮前驱物中的任一者的流率比可为大于或约2:1。方法可包括在半导体处理腔室的处理区...