应用材料公司专利技术

应用材料公司共有2706项专利

  • 一种用于在真空涂布工艺中处理若干掩模的方法。每个掩模被配置为在涂布工艺中使用预定涂布应用时间。方法包括:提供若干匣盒,每个匣盒具有若干掩模狭槽;和根据每个掩模的涂布应用时间,将所述若干掩模分类成至少两个群集群组。方法进一步包括:将所述至...
  • 描述用于利用铜的无缝间隙填充来填充特征结构的方法和装置。通过原子层沉积在基板表面上沉积铜间隙填充种晶层,接着通过物理气相沉积来沉积铜,以用铜填充间隙。
  • 本文描述包含工厂接口环境控制的电子器件处理系统。一个电子器件处理系统具有工厂接口,所述工厂接口具有工厂接口腔室、与所述工厂接口耦接的装载锁定装置、与所述工厂接口耦接的一个或更多个基板载具及与所述工厂接口耦接的环境控制系统,且所述环境控制...
  • 可以用臭氧气体或用去离子水和臭氧气体处理基板上的聚合物层,以提高在化学机械抛光(CMP)工艺中所述聚合物层的去除速率。所述臭氧气体可以直接地扩散到所述聚合物层中或穿过所述聚合物层的表面上的去离子水薄层扩散到所述聚合物层中。还可以在所述工...
  • 提供了一种用于溅射沉积的沉积源和溅射装置,其中沉积源包括:至少一个可旋转阴极(30);RF功率布置(20);以及功率输送组件(40、140),将所述RF功率布置与所述可旋转阴极连接,其中所述功率输送组件包括第一电源连接器(42、142、...
  • 本文描述一种静电吸盘及其使用方法。在一个示例中,提供了一种静电吸盘,所述静电吸盘包括多个可独立替换的静电吸盘组件,所述多个可独立替换的静电吸盘组件安装在横跨吸盘主体的阵列中。所述静电吸盘组件限定适于支撑大面积基板的基板支撑表面。所述多个...
  • 本发明涉及用于制造静电卡盘的方法,该静电卡盘包括:金属材料的基部构件(330);以及介电层(200),该介电层(200)形成于基部构件(330)的上表面上,所述介电层(200)包括电极层(340),DC功率被施加至该电极层(340)的内...
  • 提供一种磁悬浮系统。所述磁悬浮系统包括:基部结构(110);载体(120),可相对于所述基部结构(110)移动;和至少一个主动磁性轴承(112),经构造以将所述载体(120)非接触地保持在所述基部结构(110)处。所述载体(120)包括...
  • 本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中,一种用于处理基板的多腔室处理系统包括:第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统,第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室,...
  • 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中,一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上,并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器,从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的...
  • 描述了具有可独立控制的加热器元件阵列的基板载具。在一个示例中,一种设备包括:基板载具,所述基板载具用于承载基板以供处理;多个电阻式加热元件,所述多个电阻式加热元件位于载具中,用于通过加热载具来加热基板;电源,所述电源用于供应电力至加热元...
  • 本公开的实现大体处理基板的方法,且更具体地,涉及用于预测、量化及修正处理偏移的方法。在一个实现中,所述方法包括在处理腔室内执行实验设计(DOE),以针对与处理腔室相关联的每一个可调整处理控件在基板上多个位置处获得传感器读数和膜特性;使用...
  • 说明了使用加热器元件阵列对基板载具进行温度测量。在一个示例中,一种方法包含:测量静电吸盘中多个加热元件中的每一个的第一结合电流负载;改变所述多个加热元件中的第一加热元件的电力状态;在改变所述第一加热元件的所述电力状态之后,测量所述多个加...
  • 本文描述的实施方式总体涉及集成电路的制造,具体地涉及在半导体基板上沉积硼掺杂的非晶硅层。在一个实施方式中,提供一种在基板上形成硼掺杂的非晶硅层的方法。所述方法包括在基板上沉积预定厚度的牺牲电介质层;通过去除所述牺牲电介质层的部分以暴露所...
  • 本文公开的实施方式涉及用于在外延处理之后,控制有害气体的基板脱气的方法。在一个实施方式中,方法包含将包含外延层的基板提供入移送腔室,其中移送腔室具有设置为邻接移送腔室的顶板的紫外线(UV)灯模块,使含氧气体经过移送腔室的气体线流入移送腔...
  • 本公开的实施例涉及使用在等离子体处理腔室中的等离子体屏,此等离子体屏具有改进的流导与均匀性。一个实施例提供一种等离子体屏。等离子体屏包含圆形板,圆形板具有中心开口与外径。形成穿过圆形板的多个切口。多个切口被布置于两个或更多个同心圆中。每...
  • 本文描述具有可充气狭缝阀开口密封件的真空腔室。在一个示例中,一种真空腔室包括腔室主体、第一可充气密封件和第一狭缝阀门。所述腔室主体具有顶部、底部和侧壁。第一狭缝阀开口形成在所述侧壁中。所述第一可充气密封件密封地耦接至所述侧壁并包围所述第...
  • 本文所述的实施方式总体涉及一种基板处理腔室,并且更具体地涉及一种用于监测所述基板处理腔室的清洁处理的设备和方法。处理器从设置在基板处理腔室中的一个或多个传感器接收一个或多个温度读数。所述处理器从所述一个或多个温度读数确定每个温度读数的峰...
  • 一种沉积非晶碳膜包括至少95%碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30%,且此非晶碳膜的氢含量小于5%。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处...
  • 一种抛光系统包括:工作台,所述工作台具有顶表面;环形抛光垫,所述环形抛光垫被支撑于所述工作台上;承载头,所述承载头用于保持基板与环形抛光垫的接触;支撑结构,其中承载头悬挂于所述支撑结构,所述支撑结构经配置以移动并保持所述承载头横跨所述抛...
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