应用材料公司专利技术

应用材料公司共有2488项专利

  • 本发明涉及用于提供均匀气流的设备与方法。提供了一种具有输送通道的气体分配设备,其中输送通道具有一入口端、一出口端与沿着长度而分隔开的多个孔隙。入口端系可连接至一惰性气体源,且出口端系可连接于一真空源。同时提供了一种具有螺旋输送通道、互相...
  • 描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜,接着所述金属膜体积膨胀。
  • 本公开内容涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。改变在基板组件内的中心电极和环形电极上的电压/电流分布促进等离子体在所述基板上的空间分布。所述方法包括将第一射频功率施加到嵌入在基板支撑件中的中心电极并且将第二射频功率施加到...
  • 本公开涉及处理腔室和递归分配连接器。本公开总体涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘的方法和设备。所述设备包括可邻近静电卡盘定位的辅助电极。使用长度相等且阻抗相等的馈电线从电源递归地对辅助电极馈电。辅助电极是能够竖直地致动的,并且可相对...
  • 描述了切割半导体晶片的方法,每个晶片具有多个集成电路。在一示例中,一种切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及:在该半导体晶片上方形成掩模,该掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。接着利用旋转激光光束激光刻划工艺图案化该掩模,以提供具有...
  • 本文中所述的实施方式一般涉及30nm排队式液体颗粒计数测试装备,所述装备分析和清洁半导体处理装备。更具体而言,所述的实施方式涉及用于稀释、分析和调整流体以允许观察流体的成分的系统。稀释物取样工具与液体颗粒检测器耦合以读取包含来自清洁槽中...
  • 实施例包括用于检测由晶片处理工具执行的材料沉积和材料移除的装置和方法。在实施例中,安装于晶片处理工具的处理腔室上的一或多个微传感器能够在真空条件下操作和/或可在无等离子体晶片制造处理期间实时测量材料沉积和移除速率。亦描述及主张其他实施例。
  • 方法及气体流量控制组件被配置为以所需流量比例输送气体至处理腔室区。在一些实施方式中,组件包含一个或更多个MFC和背压控制器(BPC)。组件包含控制器、处理气体源、分配歧管、耦接至分配歧管且被配置为感测分配歧管的背压的压力传感器、处理腔室...
  • 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中,用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括:内部容积和待溅射靶材,内部容积包括中心部分和周边部分;可旋转磁控管,处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体;基板支撑件...
  • 用于形成间隔件的方法包含以下步骤:在特征的顶部、底部、及侧壁上沉积膜,以及对膜加工,以改变特征的顶部与底部上的膜的性质,而可以相对于特征的侧壁上的膜对特征的顶部与底部上的膜选择性蚀刻。
  • 此公开内容一般地涉及以电化学方式形成三氧化二钇或氧化钇的方法。所述方法可包括视情况地制备电化学浴、将三氧化二钇或氧化钇电沉积至基板上、从基板的表面上去除溶剂,及后处理其上具有经电沉积的三氧化二钇或氧化钇的基板。
  • 用于形成间隔物的方法包含以下步骤:在特征的顶部、底部及侧壁上沉积膜,以及对膜进行处理以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。相对于特征的侧壁上的膜,使用高强度等离子体从特征的顶部与底部选择性地干式蚀刻膜。
  • 描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件,所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极...
  • 本发明描述了用于冷却加热管的热交换器,所述热交换器包含:至少两个冷却管,其中所述至少两个冷却管被布置以使得所述至少两个冷却管的每个冷却管被配置以与加热管热接触;和用于产生气雾剂的装置,所述装置被配置以在至少两个冷却管中提供气雾剂。
  • 本公开内容提供一种用于真空系统(300)中使用的载体(100)。载体(100)包括壳体(120),配置为容纳一或多个电子装置(130)及在载体(100)于真空系统(300)中的使用期间包含气体环境,其中载体(100)被配置为在真空处理期...
  • 本公开内容提供一种用于基板(10)的真空处理的设备(200)。设备(200)包括真空腔室、输送基板载具(120)的第一轨道布置(110)、输送掩模载具(140)的第二轨道布置(130)以及将基板载具(120)和掩模载具(140)相对于彼...
  • 本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括:反应室,由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分;加热单元,设置于反应室外部,且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热;以及反应气体导入单元,与基板的水...
  • 说明一种用于将蒸发的源材料沉积于两个或更多个基板上的沉积设备。沉积设备包括真空腔室;基板支撑组件,提供第一沉积区域给两个或更多个基板的第一基板并提供第二沉积区域给两个或更多个基板的第二基板,并且其中第一沉积区域和第二沉积区域并排布置;和...
  • 本公开内容的实施方式可包括电镀特征的数种方法,这些特征形成于半导体器件上,诸如沟槽或通孔,该沟槽或介层窗是通过使用钴镀覆浴以单镶嵌或双镶嵌工艺形成。该钴电镀浴可含有“添加剂包”或“添加剂系统”,该“添加剂包”或“添加剂系统”包括某些比例...
  • 一种用于电子处理器的接触环具有多余的接触指,即,比用于接触基板(诸如半导体晶片)上的非常窄的边缘排除区域所需的更多接触指。接触指具有稍微不同的长度,使得它们延伸到不同的径向位置。通过提供多余的接触指,且通过稍微改变接触指的长度,足够数量...
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