本公开涉及半导体装置及其生产方法。本申请涉及一种功率半导体装置(1)，所述功率半导体装置(1)包括：半导体主体(2)，具有耦合到正面金属化(3)的正面(2‑1)和耦合到背面金属化(4)的背面(2‑2)，并且具有有源区，所述有源区具有多个...

本公开涉及功率半导体装置、测量系统和用于确定功率半导体装置的电流的方法。提出一种功率半导体装置。功率半导体装置包括半导体主体和半导体主体的第一表面上方的配线区域。功率半导体装置还包括双极功率半导体元件，双极功率半导体元件包括配线区域中的...

本公开涉及压控磁阻传感器中的偏移校正。在一些实现方式中，磁性传感器可以跨隧道磁阻(TMR)感测元件的隧道障碍层施加电信号。电信号可以具有在第一时间段期间的第一信号电平和在第二时间段期间的第二信号电平。第二信号电平可以不同于第一信号电平。...

本公开涉及确定电源模块的剩余使用寿命。一种系统可以包括包含电源开关的电源模块、被配置为控制电源开关的接通状态和断开状态的驱动电路，以及被配置为控制驱动电路的处理器。处理器可以被配置为接收与处于接通状态的电源开关相关联的电压，并且基于该电...

一种芯片封装体包括：导电载体结构；第一功率芯片，其布置在载体结构上且包括具有控制接触焊盘和第一类型的受控接触焊盘的第一侧、包括第二类型的受控接触焊盘的相反的第二侧和用于控制受控接触焊盘之间的电流的控制结构，控制接触焊盘通过过孔电连接到控...

一种封装体(100)包括：载体(102)；安装在载体(102)上或上方的电子部件(104)；位于所述电子部件(104)的上主表面的至少一部分上的电绝缘导热层(108)；位于电绝缘导热层(108)上的金属块(114)；以及包封材料(120...

本发明涉及一种半导体电路装置和一种用于半导体电路装置的方法。半导体电路装置包括衬底、衬底第一区域中的至少两个第一应力敏感元件和衬底第二区域中的至少两个第二应力敏感元件。第一应力敏感元件分别具有依赖于第一区域中的机械应力张量的第一分量和第...

在一个实施例中，一种方法包括：接收雷达数字数据；使用多个正弦滤波器处理雷达数字数据以生成相应多个范围慢时间数据，其中每个正弦滤波器与多个范围区域中的相应范围区域相关联；基于多个范围慢时间数据中的第一范围慢时间数据来生成第一存在分数，其中...

本公开涉及超声触摸式传感器与电容式压力传感微机电系统融合。一种触摸式传感器包括：触摸结构，包括触摸界面和与触摸界面相对布置的内界面；电容式超声发射器，被布置在封闭的内部容积内并且被配置为向触摸结构发射超声发射波；电容式超声接收器，被布置...

提供了一种用于非接触式可穿戴设备结构的天线结构(100)。天线结构(100)具有柔性基底(102)，在所述基底(102)上具有多个天线轨迹，所述天线轨迹的相对置的端部能够在弯曲的基底(102)的情况下连接成天线，在所述基底(102)上的...

本公开涉及电流控制电压调节器测试。本公开涉及使用外部供应的控制电流来控制经由电压调节器电路装置生成的内部电源电压的调节，其可以用集成电路(IC)芯片来标识。电压调节器电路装置的配置用于建立控制电流与内部电压电源之间的线性关系。这种配置使...

本公开涉及具有栅极结构和电流扩展区的半导体装置。根据一些实施例，提供一种用于制造半导体装置的方法。一个或多个第一注入过程被执行以在半导体主体中形成第一导电型的注入区。沟槽被形成在半导体主体中。在形成沟槽之后，第二注入过程被执行以在半导体...

公开了晶体管器件。在一个实施例中，提供了一种晶体管器件，其包括：包括：具有第一掺杂剂类型的掺杂浓度的半导体衬底；被形成在半导体衬底的第一表面中的与第一掺杂剂类型相反的第二掺杂剂类型的高掺杂的源极区；被形成在半导体衬底的第一表面中的第二掺...

本公开的实施例涉及磁阻感测元件的自由层中的多个钴铁硼层。隧道磁阻(TMR)感测元件可以包括自由层。TMR感测元件的自由层可以包括第一钴铁硼(CoFeB)层、在第一CoFeB层上方的中间层、在中间层上方的第二CoFeB层、以及在第二CoF...

一种模制封装包括：半导体管芯；衬底，所述衬底附接到所述半导体管芯的底侧；导电压板，所述导电压板附接到所述半导体管芯的顶侧；以及包封所述半导体管芯的模制化合物。所述导电压板的顶侧背向所述半导体管芯，并且具有叠盖所述半导体管芯且不被所述模制...

提供一种芯片封装。所述芯片封装可包含：第一芯片；第二芯片；安装有第一芯片和第二芯片的导电结构；用于与第一芯片和/或第二芯片电接触的至少一个接触端子；以及至少部分地包封第一芯片、第二芯片和导电结构的包封材料，其中，所述包封材料形成芯片封装...

本公开的实施例涉及具有声耦合介质的传感器装置和相应的制造方法。一种传感器装置包含至少一个传感器芯片，其带有至少一个布置在该至少一个传感器芯片的主表面处的MEMS结构，其中至少一个传感器芯片被设置为发送超声信号和/或接收超声信号。该传感器...

提供了监测具有至少两个输出端子(12A，12B，A，B，C)的半导体装置(11)与散热器(14)之间的热路径(13)的至少一部分的热阻抗的方法和装置。该方法包括：通过重新加载半导体装置(11)的寄生电容(18)使得至少两个输出端子(12...

一种图片生成系统包括多个红绿蓝(RGB)光发射器，其被配置为同步地生成相应的像素光束，并沿着相应的传输路径传输相应的像素光束以投射到整个视场(FOV)中。整个FOV被划分成多个FOV部分，该多个FOV部分分别与多个RGB光发射器中的不同...

本公开的一个或多个实施例涉及具有更高的ESD鲁棒性的基于MOSFET的RF开关。一种RF开关器件包括：晶体管，串联耦合以形成RF导电电流路径；第一阻性偏置网络，在该多个晶体管的栅极节点之间形成DC导电偏置路径；以及第一ESD偏置部件，耦...