本公开涉及半导体器件和功率封装件。一种半导体器件包括：封装件，包括：管芯，具有与第二表面相对的第一表面和与第二侧相对的第一侧；第一接触，在第一表面处耦合到管芯且延伸超过管芯的第二表面，第一接触在第一表面处覆盖管芯的第一区域；第二接触，在...

本公开涉及静电放电保护。一种电子器件，包括第一导电类型的掺杂半导体衬底。与第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂阱从掺杂半导体衬底的表面延伸到掺杂半导体衬底中。第一导电类型的第二掺杂阱位于第一阱中。第三电绝缘阱位于第二阱中。第一导电类...

本公开涉及具有铜镀层和模制结构的功率封装件。本公开涉及一种具有铜镀层端子的功率封装。功率封装包括耦合到半导体管芯的至少两个端子。第一端子的面积大于第二端子的面积。第一和第二端子延伸到封装后侧中的第一和第二导电层。第三导电层耦合到与第一和...

本公开涉及具有静态随机存取存储器电路的绝缘体上硅半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括载体衬底，覆盖载体衬底的掩埋介电区，以及通过掩埋介电区与载体衬底分隔的半导体膜。NMOS晶体管和PMOS晶体管设置在半导体膜的表面并耦合在一起以形...

一种时钟发生器电路包括耦合到偏置电路的振荡器电路。偏置电路包括电流镜、第三晶体管和第四晶体管以及共源共栅晶体管。电流镜包括参考晶体管和可编程的一组复制晶体管。第三晶体管具有连接到冷点的源极、漏极和连接到该漏极的栅极。第四晶体管具有连接到...

公开了电子器件。电子器件包括：衬底；在衬底上的半导体器件；在衬底上的玻璃板，玻璃板具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及对应于半导体器件的传感器区域；粘合剂，在半导体器件与玻璃板之间；以及多个孔，从第一表面穿过玻璃板到第二表面，多个...

本公开的各实施例涉及转换器电路。本说明书涉及一种用于从第一AC电压转换为第二电压的电路。该电路包括：第一晶闸管；第一晶闸管的第一控制电路；包括线圈的功率因数校正电路；以及被配置为将第三电压转换为第四DC电压的第一电路。第三电压与连接到线...

本公开涉及一种集成光学开关，其形成在半导体衬底中和在半导体衬底上，该集成光学开关包括光电导体体部

本公开涉及一种半导体器件。一种器件包括有源半导体层，所述有源半导体层位于覆盖在半导体衬底上的绝缘层顶部上并且与所述绝缘层接触。所述器件的晶体管包括布置在所述有源半导体层中的源极区、漏极区和本体区。所述晶体管的所述本体区使用穿过所述绝缘层...

本申请涉及在嵌入式存储器上部署文件系统的方法、系统和电路。用于模拟存储器架构以为嵌入在可编程计算设备上的存储器生成文件树的bin映像的系统、方法和电路系统。获得存储器的存储器配置和标识要在存储器中使用的文件结构的文件树。使用存储器模拟器...

本公开的实施例涉及电子器件和封装件。一种电子器件，其特征在于，包括：管芯，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一层压层，在管芯的第一表面上；多个开口，穿过第一层压层；再分布层，在第一层压层上、穿过多个开口延伸至管芯的第一表面；多个...

本实用新型涉及静电放电保护设备。静电放电保护设备仅使用电连接的晶体管来形成。晶体管包括：第一MOS型晶体管，形成耦合在第一供应节点与第二供应节点之间的钳位电路；第二MOS型晶体管，被耦合在第一供应节点与第一MOS型晶体管的栅极端子之间；...

本实用新型涉及静电放电保护设备。静电放电保护设备仅使用电连接的晶体管来形成。晶体管包括：第一MOS型晶体管，形成耦合在第一供应节点与第二供应节点之间的钳位电路；第二MOS型晶体管，被耦合在第一供应节点与第一MOS型晶体管的栅极端子之间；...

本公开的各实施例涉及集成电路晶体管器件。半导体衬底包括：掺杂有第一类型掺杂剂的基底衬底层；在基底衬底层上的第一外延层，第一外延层具有第一厚度并且掺杂有第一类型掺杂剂以提供第一电阻率；在第一外延层上的第二外延层，第二外延层具有第二厚度并且...

公开了具有气体释放孔的半导体封装件。一种半导体封装件包括具有有源表面和无源表面的硅衬底。半导体器件，例如图像、光或光学传感器，形成在有源表面中并设置在衬底上。玻璃板用粘合剂耦接到衬底上。玻璃板包括对应于半导体器件的区域的传感器区域和穿过...

本公开涉及沟槽栅极MOS晶体管和屏蔽栅极MOS晶体管自动对准制造方法。一种垂直导电沟槽栅极类型的MOS晶体管包括与沟槽栅极的栅极氧化物的从半导体衬底突出的部分相邻的第一间隔物和第二间隔物，第一间隔物和第二间隔物关于对称轴彼此镜像；通过使...

本公开的实施例涉及一种不利用引线框架的集成电路芯片封装。一种集成电路裸片包括半导体衬底、包括接合焊盘的互连层、以及覆盖互连层并且包括接合焊盘处的开口的钝化层。钝化层支撑包括导线和导电通孔的导电再分布层。绝缘层覆盖导电再分布层和钝化层。在...

本公开的实施例涉及用于引线键合应力减小的厚接合焊盘结构。一种用于集成电路的接合焊盘，由接合焊盘层的堆叠形成。下接合焊盘层由接合衬支撑层支撑。钝化层在下接合焊盘层上延伸，并包括在下接合焊盘层的上表面的一部分处的钝化开口。上接合焊盘层位于钝...

本公开的实施例涉及零加热器功率激活的基于半导体金属氧化物的气体传感器。气体传感器由薄膜半导体金属氧化物气体感测层形成，具有导热且电绝缘层，该导热且电绝缘层与气体感测层的背部直接物理接触以承载气体感测层。感测电路系统向气体感测层施加电压并...

本公开的实施例涉及一种无引线框架的集成电路封装。一种集成电路裸片包括半导体衬底、包括接合焊盘的互连层、以及覆盖互连层并且包括接合焊盘处的开口的钝化层。钝化层支撑包括导线和导电通孔的导电再分布层。绝缘层覆盖导电再分布层和钝化层。在绝缘层的...