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意法半导体国际有限公司专利技术
意法半导体国际有限公司共有392项专利
集成电路制造技术
本公开的实施例涉及一种集成电路。一种集成电路包括输入焊盘和施密特触发器。施密特触发器包括:耦接到输入焊盘的输入;第一主晶体管支路,耦接在高电源电压与中间节点之间;充电辅助电路,包括耦接在高电源电压与中间节点之间的第一导电类型的并联晶体管...
存储器内计算操作的自适应字线欠驱动控制制造技术
本公开的实施例涉及存储器内计算操作的自适应字线欠驱动控制。存储器内计算电路包括具有SRAM单元的存储器阵列,SRAM单元通过字线以行连接并且通过位线以列连接。每个行包括由自适应电源电压供电的字线驱动电路。行控制器电路同时致动并行字线以用...
对静态随机存取存储器的多个行进行同时访问的存内计算操作的自适应位线过驱动控制制造技术
本公开涉及对静态随机存取存储器(SRAM)的多个行进行同时访问的存内计算操作的自适应位线过驱动控制。一种电路包括具有SRAM单元的存储器阵列,该SRAM单元通过字线以行连接并且通过位线以列连接。行控制器电路通过用于每个行的字线驱动器电路...
用于存储器内计算操作的自适应体偏置管理制造技术
本公开的实施例涉及用于存储器内计算操作的自适应体偏置管理。存储器内计算电路包括具有SRAM单元的存储器阵列,SRAM单元通过字线按行连接并且通过位线按列连接。每个SRAM单元中的晶体管的体偏置节点由调制体偏置电压偏置。行控制器电路同时并...
具有链接的源电压供应调制的串行字线激励制造技术
本公开的实施例涉及具有链接的源电压供应调制的串行字线激励。SRAM单元通过位线按列连接,并且通过耦合到SRAM单元的第一和第二数据存储侧的第一和第二字线按行连接。首先并行地激励第一字线,然后分别在存储器内计算操作的第一和第二阶段并行地激...
存储器内计算操作的选择性位线钳位控制制造技术
本公开的实施例涉及存储器内计算操作的选择性位线钳位控制。一种电路包括具有SRAM单元的存储器阵列,SRAM单元通过字线以行连接并且通过位线以列连接。行控制器电路通过用于每个行的字线驱动器电路同时致动并行字线,以用于存储器内计算操作。列处...
二进制乘积累加系统和方法的超低功率和低面积解决方案技术方案
本公开的各实施例涉及二进制乘积累加系统和方法的超低功率和低面积解决方案。使用权重的多个部分副本执行二进制乘积累加操作的数据结构和微控制器架构。目的地寄存器位置、源寄存器位置和权重寄存器位置被接收。使用权重寄存器位置,基于所接收的滤波器索...
检测NVM阵列中的字线漏电和工艺缺陷的电路和方法技术
本公开的实施例涉及检测NVM阵列中的字线漏电和工艺缺陷的电路和方法。集成电路管芯包括存储器扇区,每个存储器扇区包括存储器阵列。管芯包括电压调节器,其具有由输出电压驱动,从而生成栅极电压的第一晶体管,该输出电压是基于恒定电流和漏电电流之间...
具有补偿供应电压变化的输出驱动器的集成电路制造技术
本公开的实施例涉及具有补偿供应电压变化的输出驱动器的集成电路。集成电路包括输出焊盘,将数据驱动到输出焊盘的I/O驱动器,以及控制I/O驱动器的预驱动器。所述集成电路包含最大电压发生器,其接收第一供应电压及第二供应电压且将对应于所述第一供...
带电流辅助电路的施密特触发器制造技术
本公开的实施例涉及一种带电流辅助电路的施密特触发器。一种集成电路包括输入焊盘和耦接到输入焊盘的施密特触发器。施密特触发器包括一个主PMOS支路,其响应于输入节点处的电压转换对施密特触发器的中间节点进行充电。施密特触发器包括一个充电辅助电...
电路制造技术
公开了一种电路,该电路包括由第一时钟信号驱动的升压电容器和由第二时钟信号驱动的自举电容器。第一时钟信号和第二时钟信号具有不同的占空比,其中第二时钟信号的占空比小于第一时钟信号的占空比。输入晶体管耦合在输入节点和耦合到升压电容器的升压节点...
具有高Q因子调谐组的压控振荡器制造技术
公开了具有高Q因子调谐组的压控振荡器。压控振荡器(VCO)具有VCO核和调谐组。调谐组包括第一调谐电容器和第二调谐电容器。主开关耦合在第一调谐电容器和第二调谐电容器之间。调谐组还包括控制开关,控制开关接收控制信号以选择性地激活调谐组。主...
处理系统、相关集成电路、设备及方法技术方案
一种通信系统将多个处理核心耦合在一起,每个处理核心具有存储虚拟机ID的关联寄存器,该虚拟机ID被插入到由相应处理核心发送的请求中。主电路关联了主接口电路,其中该主接口电路关联了用于存储第二虚拟机ID的寄存器,该第二虚拟机ID被插入到由主...
包括具有降低的寄生电容的RF开关的电子电路制造技术
本公开的各实施例涉及包括具有降低的寄生电容的RF开关的电子电路。本公开涉及一种电子电路,其包括半导体衬底、与MOS晶体管相对应的射频开关,该MOS晶体管包括衬底中的掺杂半导体区、覆盖衬底的至少两个金属化层级,每个金属化层级包括绝缘层的堆...
受控放电电路制造技术
本公开的各实施例涉及受控放电电路。电荷泵电路包括与第二电荷泵级电路串联耦合的第一电荷泵级电路。放电电路操作以对电荷泵电路放电。放电电路包括:第一开关电路,被耦合到第一电荷泵级电路的第一输出,并且被配置为在被致动时对第一输出放电;以及第二...
用于连续时间Δ∑模数转换器的片上测试架构制造技术
本公开的实施例涉及用于连续时间Δ∑DELTA SIGMA模数转换器的片上测试架构。一种集成电路包括连续时间Δ∑模数转换器(CTDS ADC)和用于测试CTDS ADC的测试电路。测试电路将多比特数字参考数据转换为单比特数字流。然后,测试...
用于半导体调节器的有源补偿电路制造技术
本公开的实施例涉及用于半导体调节器的有源补偿电路。提供一种用于补偿调节器的稳定性的有源补偿电路。有源补偿电路呈现等效电容和等效电阻,并使用等效电容和等效电阻补偿系统的稳定性。调节器包括功率晶体管,其接收驱动信号并将所需电流引导至由该块驱...
虚拟模式执行管理器制造技术
本文涉及虚拟模式执行管理器,公开了用于简化改变虚拟机及其相关资源的执行模式的处理的硬件。通过采用硬件,可以自动方式触发执行模式的改变,而无需软件干预,也不会干扰其他虚拟机的执行。此外,在虚拟机出现错误并被检测到的情况下,硬件可用于禁用与...
处理系统、相关集成电路、设备和方法技术方案
本公开的各实施例涉及处理系统、相关集成电路、设备和方法。一种处理系统包括安全监测电路,安全监测电路被配置为通过监测微处理器操作、存储器控制器和/或资源来生成误差信号。系统还包括故障收集子电路,每个故障收集子电路包括一个或多个误差组合电路...
高频分辨率数字正弦波发生器制造技术
公开了高频分辨率数字正弦波发生器。延迟电路对第一数字正弦信号施加一个采样延迟,并输出延迟的数字正弦信号。然后,通过加法器电路将第一数字正弦信号和延迟的数字正弦信号相加,以产生相加后的数字正弦信号。增益定标电路将定标因子应用于相加后的数字...
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