意法半导体国际有限公司专利技术

意法半导体国际有限公司共有134项专利

  • 本公开涉及使用电压倍增器电平移位时钟信号的电路。例如,一种电压倍增器电路,响应于接收到的时钟信号进行操作以对输入电压执行电压倍增操作以生成输出电压。电压倍增器电路包括一对中间节点,它们电容性地耦合以分别接收时钟信号的相反相位。第一CMO...
  • 本公开涉及具有控制钳位超时行为的电路的用于静电放电(ESD)保护的电源钳位。例如,在使用由ESD事件驱动晶体管器件形成的电源钳位电路中提供了静电放电(ESD)保护。响应于独立于电压的电流发生器电路的操作而生成偏置电流。偏置电流被发起以确...
  • 本文公开了用于确定低压差分感测接收器中是否接收实际传输的电路。一种电路具有确定第一输入处的信号是否具有高于第一阈值但低于第二阈值的电压的第一窗口比较器和确定第二输入处的信号是否具有高于第一阈值但低于第二阈值的电压的第二窗口比较器。逻辑电...
  • 应用数据以及与该应用数据相关联的纠错码(ECC)校验位存储在第一存储器中。ECC校验位而不是应用数据存储在第二存储器中。响应于从第一存储器读取应用数据的请求,也从第一存储器读取ECC校验位并用于检测、以及可能纠正所读取应用数据中的错误。...
  • 本公开涉及使用电压倍增器电平移位时钟信号的电路。例如,一种电压倍增器电路,响应于接收到的时钟信号进行操作以对输入电压执行电压倍增操作以生成输出电压。电压倍增器电路包括一对中间节点,它们电容性地耦合以分别接收时钟信号的相反相位。第一CMO...
  • 本公开的实施例涉及用于生成正电压和负电压的电压倍增器电路。一种电压倍增器电路支持既在正电压升压模式中操作以从第一节点到第二节点正向升压,又在负电压升压模式中操作以从第二节点到第一节点负向升压。电压倍增器电路由共享公共主体的相同导电类型的...
  • 本文公开了使用锁相环和锁频环对压控振荡器进行校准以修整其增益。本文中公开了一种校准用于锁相环的压控振荡器(VCO)的方法。该方法包括在激活锁相环之前以及在激活锁频环之前,引起偏置信号生成电路生成具有用于VCO的固定控制电压的控制信号。该...
  • 本文公开了在设备测试操作期间可用的电压调节器旁路电路。该电路包括:低压调节器,在操作中生成第一电压范围内的第一电压,用于为第一电路供电;以及中压调节器,在操作中生成大于第一电压范围的第二电压范围内的第二电压,用于为第二电路供电。低压调节...
  • 本公开涉及用于生产测试和调试的集成电路的电压水平监测。扫描链从功能电路的测试中收集扫描链数据,并且输出包含扫描链数据的扫描链信号。电压监测器电路进行操作以将电源电压与阈值进行比较,并且在电源电压越过阈值时断言复位信号。复位信号复位触发器...
  • 本公开涉及用于测试功率管理模块的不可屏蔽电压监视器的电路。例如,一种在复制的电压监视器的测试操作模式期间操作电子设备的方法,该方法包括通过电压监视器来感测功能电源电压,如果功能电源电压超过阈值,则使电压监视器的输出无效,并且如果功能电源...
  • 本公开涉及电子设备,并且涉及包括复制晶体管的SRAM读复用器。第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点...
  • 在核心电路区域中感测全局地适用于集成电路裸片的工艺和温度变化操作状态,以生成全局工艺和温度补偿信号。感测局部适用于集成电路裸片的外围电路区域内的输入/输出电路的电压变化操作状态,以生成局部电压补偿信号。更具体地,根据响应于经受电压变化的...
  • 本申请涉及在JTAG接口中的组合串行和并行测试访问端口选择。电路用于将测试访问端口(TAP)信号耦合到集成电路封装中的联合测试动作组(JTAG)接口。nTRST引脚接收测试复位信号,TMS引脚接收测试模式选择信号,测试用测试访问端口(T...
  • 本公开的实施例涉及JTAG接口中的顺序测试访问端口选择。IC中的JTAG接口包括:接收测试模式选择(TMS)信号的TMS引脚;具有TMS信号输入的测试用测试访问端口(TAP);具有TMS信号输入的调试测试访问端口(TAP);以及胶合逻辑...
  • 本公开涉及对于过程、温度和电压变化而具有稳定频率的CMOS振荡器。时钟信号生成电路被配置为生成具有跨越多个运行条件的变化而被保持的频率的时钟信号,多个运行条件的变化例如供应电压、温度以及处理时间的改变。在实施例中,PVT补偿的CMOS环...
  • 本实用新型涉及用于具有字线和位线的存储器阵列的存储器控制器。一种存储器阵列具有字线和位线。行解码器可操作来解码行地址并且选择对应的字线。读写时钟生成器可操作以生成保持时钟信号。地址时钟生成器接收读地址、写地址、双端口模式控制信号、读芯片...
  • 本公开涉及包括复制晶体管的SRAM读复用器。第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和通...
  • 本公开涉及操作用于同时生成正电压和负电压的多级电荷泵电路。例如,一种电荷泵包括级联耦合在第一与第二节点之间的升压电路,其中,每个升压电路可操作用于在正电压升压模式下正向地升高电压并且在负电压升压模式下负向地升高电压。第一切换电路响应于周...
  • 本发明涉及具有支持存储器操作的虚拟行的非易失性存储器。一种存储器阵列,包括多个行和列、具有存储器单元部分和虚拟单元部分。位线连接至这些存储器单元和该虚拟单元部分。该虚拟单元部分包括第一行虚拟单元和第二行虚拟单元。该第一行中的这些虚拟单元...
  • 本文公开了一种数模转换器,其包括接收数据信号和数据信号的反相的第一动态锁存器。第一动态锁存器通过时钟信号来定时,并且被配置为根据数据信号和数据信号的反相生成第一和第二四元切换控制信号。第二动态锁存器接收数据信号和数据信号的反相,通过时钟...
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