本发明提供了一种多结太阳能电池及其制备方法，该多结太阳能电池最远离衬底的第N子电池的窗口层为电流扩展层，该电流扩展层包括在第一方向上依次叠层设置的第一子电流扩展层和第二子电流扩展层；第一子电流扩展层的掺杂浓度高，可以形成高的少子势垒，改...

本发明提供了一种垂直腔面发射半导体激光器及制备方法，包括至少两个相互独立的出光区域，出光区域中的第一半圆环凹槽与第二半圆环凹槽之间具有第一间距与第二间距，在至少一个出光区域中，第一间距的几何中心和第二间距的几何中心的连线与衬底的(0‑1...

本申请公开了一种多结太阳电池结构，该多结太阳电池结构包括衬底和位于衬底上层叠的多个子电池，多个子电池包括InGaAs子电池，InGaAs子电池包括沿背离衬底的方向设置的In<subgt;j</subgt;GaAs基区和In&...

本发明提供了一种垂直腔面发射激光器及制备方法，该垂直腔面发射激光器包括在第一方向上，依次层叠设置在衬底一侧的N型DBR反射层、谐振腔层以及P型DBR反射层，P型DBR反射层包括在第一方向上依次设置的n组P型掺杂层组，n＞2，且n为正整数...

本申请公开了一种三结量子阱太阳电池及其制备方法、电子设备，该三结量子阱太阳电池包括：衬底；以及依次生长在衬底上的腐蚀截止层、N型欧姆接触层、第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、变质缓冲层、第三子电池和P型欧姆接触层；第一子电...

本申请公开了一种多结太阳电池及其制备方法、电子设备，该多结太阳电池至少包括一个异质结子电池，使异质结子电池的基区带隙Ega高于发射区带隙Egb，使非掺层带隙Egc处于基区带隙Ega和发射区带隙Egb之间，可以有效的避免子电池内掺杂杂质的...

本申请公开了一种多结太阳电池结构，该结构包括InGaAs子电池，InGaAs子电池中的多量子阱结构包括交替层叠的In<subgt;x</subgt;GaAs势阱层和In<subgt;k</subgt;GaAsP&...

本发明提供了一种多结垂直腔面发射激光器，该多结垂直腔面发射激光器中，在第一方向上，第一组所述多量子阱层至第M组所述多量子阱层的增益峰值波长逐渐增加或逐渐减小，设置不同组多量子阱层的增益峰值波长不同，可以保证在不同的温度下，至少有一组多量...

本发明提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，微反射镜凸点阵列通过沉积形成于

本发明提供了一种多结太阳能电池及其制备方法，该多结太阳能电池包括：衬底，位于衬底上的

本发明提供了一种红外LED芯片及其制备方法，所述外延结构包括N型限制层、N型波导层、有源层、P型波导层以及P型限制层；在所述P型窗口层与所述欧姆接触层之间设有过渡层，所述过渡层用于阻挡所述衬底和/或P型窗口层与所述欧姆接触层之间因晶格失...

本申请提供了一种LED芯片及其制作方法，该制作方法包括：形成LED芯片的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反；在第一半导体层背离第二半导体层的一侧形成凹槽，凹槽延伸...

本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，在金属反射层和介质膜层之间包括一插入层，且所述插入层的材料与所述介质膜层的材料之间的附着力大于所述金属反射层的材料与所述介质膜层的材料之间的附着力，进而能够通过插入层提高金属反射层和介质膜层之间的...

本发明提供了一种红光Mini

本实用新型提供一种VCSEL外延结构、VCSEL芯片，该VCSEL外延结构包括：层叠在衬底上的N型DBR反射层、谐振腔层和P型DBR反射层，谐振腔层包括有源区，P型DBR反射层包括第一DBR堆叠结构及第一AlGaAs过渡层，第一DBR堆...

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片中，在垂直于所述透明衬底所在平面的方向上，所述反射镜结构与所述P电极至少部分交叠，且位于所述反射镜结构与所述P电极之间的钝化层为绝缘层，因此，所述P电极、所述钝化层以及所述反射镜...

本申请提供了一种LED芯片外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底、N型层、有源层和P型层，N型层包括N型限制层，N型限制层包括N个第一层叠单元，第一层叠单元包括带隙宽度不同的第一N型限制层和第二N型限制层，提升了电流在N型限制层中的...

本发明提供了一种砷化镓系多结垂直腔面发射激光器，通过在相邻两组多量子阱层之间的氧化层和隧穿结；其中，至少一个氧化层设置于所述驻波的波腹位置，以同时限制光场和电场。其余氧化层设置于所述驻波的波节位置，以限制电流；进一步地，氧化层顶层设置于...

本申请提供了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：N电极、N型半导体层、有源层、不导电层、P型半导体层和P电极；不导电层包括具有第一空隙的第一不导电层和第二不导电层，P型半导体层覆盖第一空隙以及不导电层，P电极包括具有第二空隙的...

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，包括：衬底；位于所述衬底第一侧的外延结构，所述外延结构包括发光层以及位于所述发光层远离所述衬底一侧的窗口层；位于所述窗口层远离所述发光层一侧的电流扩展层，所述电流扩展层具有多个通孔，所述多个...