本发明提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着...

本发明有关一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于基板上配置有第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层，于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层间配置有发光层，发光层具有多重量子井结构，多重量子井结构包含多个彼此交替...

本发明涉及一种半导体结构，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一发光层以及一空穴提供层。发光层配置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。空穴提供层配置于发光层与第二型半导体层之间，且空穴提供层包括一第一空穴提供层以及一第二空穴提供层...

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含有一第一型掺杂半导体层与一第二型掺杂半导体层，于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层间配置有一发光层，其中第二型掺杂半导体层掺杂有浓度大于5×10

本发明涉及有关于一种发光二极管组件，本发明提供一种发光二极管组件，发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接，而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一奥姆接触层及一平坦缓冲层，奥姆接触层提...

本发明提供一种发光装置，包括一基板、多个发光单元、一绝缘层、一电流分布层及一反射层。基板具有一上表面。发光单元配置在上表面上，且包括至少一第一发光二极管及至少一第二发光二极管。第一发光二极管的一第一侧壁与第二发光二极管的一第二侧壁彼此相...

本发明提供一种发光装置及其制作方法，发光装置包括一电路板、一发光单元以及一异方性导电层。电路板包括多个电极垫。发光单元包括一半导体磊晶结构层、一第一电极以及一第二电极。第一电极以及第二电极分别配置于半导体磊晶结构层的同一侧上。第一电极以...

本发明提供一种发光元件及其制作方法，包含一发光单元、一封装材、一透光层，及一反射结构。该发光单元具有至少一磊晶层及对应形成于该磊晶层上的二个电极，该磊晶层具有一顶面、一底面，及一连接该底面与该顶面的周面，该等电极外露于该底面。封装材形成...

本发明提供一种背光模块，包括一灯箱、至少一灯条以及至少一光学膜片。灯箱具有一底部以及一相对于底部的出光侧。灯条配置于灯箱的底部，其中灯条包括一基板、多个发光二极管封装结构以及多个透镜。发光二极管封装结构配置于基板上。透镜配置于基板上且分...

本发明揭示一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、黏胶及反射层。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的侧面、黏胶...

本发明提供一种发光元件封装结构。发光元件封装结构包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上，且波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与...

本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体元件层、凹陷部、第一电极、以及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、量子井层以及第二型掺杂半导体层。凹陷部在发光二极管芯片上定义出第一区域以及第二区域。第一区域以及第二区域分别包含部分第一...

一种发光装置，包括一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有一上表面。发光二极管芯片配置于绝缘基板上，且位于上表面上。发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个发光二极管芯片的主要发光波长不同...

本发明提供一种发光模块，一基板；多个蓝光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个红光二极管芯片，配置于所述基板上；至少一个绿光二极管芯片，配置于所述基板上；以及，至少一荧光层，配置于所述多个蓝光二极管芯片至少其中之一上。本发明可有效利用角...

本发明提供一种具粗化表面的薄膜式覆晶发光二极管及其制造方法，该方法包括首先，准备一表面具有图形化结构的基板；此外，粗化图形化结构的表面；再者，形成一第一半导体层于具有图形化结构的基板的表面；接续，形成发光结构层于第一半导体层上；接着，形...

本发明提供一种发光二极管封装结构，包括一底座，具有一线路层；一发光二极管芯片，配置在该底座上并与该线路层电性连接；一透光层，配置于该底座上；以及一波长转换层，位于该发光二极管芯片与该透光层之间，并覆盖该发光二极管芯片，其中该透光层具有一...

本发明提供一种发光装置及其制作方法，包括一波长转换层、至少一发光单元及一反射保护件。波长转换层具有彼此相对的一上表面与一下表面。发光单元具有二电极垫，且二电极垫位于发光单元的同一侧。发光单元配置于波长转换层的上表面上并露出二电极垫。反射...

本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻...

本发明提供一种发光元件及其制造方法，其中发光元件，包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上，且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中，第一...

本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体...