本发明提供一种发光装置及其制作方法，包括波长转换层、至少一发光单元及反射保护件。波长转换层具有彼此相对的上表面与下表面。发光单元具有二电极垫，且二电极垫位于发光单元的同一侧。发光单元配置于波长转换层的上表面上并露出二电极垫。反射保护件包...

本发明提供一种发光元件及其制造方法，其中发光元件，包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上，且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中，第一...

本发明提供一种发光元件及其制造方法，其中发光元件，包括基板以及第一发光单元。第一发光单元配置于基板上，且包括第一半导体层、第一发光层、及第二半导体层。第一半导体层配置于基板之上。第一发光层配置于第一半导体层与第二半导体层之间。其中，第一...

本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体...

本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第...

本发明提供一种发光元件结构，包括发光元件、封装胶体、透光板以及反射层。其中，发光元件具有彼此相对的上表面与下表面、连接上表面与下表面的侧表面以及位于下表面上且彼此分离的第一接垫与第二接垫。封装胶体至少包覆发光元件的上表面与侧表面，且暴露...

本发明提供一种发光装置，包括一第一发光单元、一第二发光单元、一散热基板、多个第一凸块以及多个第二凸块。散热基板设置于第一发光单元与第二发光单元之间。这些第一凸块连接于第一发光单元与散热基板之间。这些第二凸块连接于第二发光单元与散热基板之间。

一种发光装置，包括发光单元以及荧光胶层。发光单元具有彼此相对的顶面与底面。各发光单元包括两个电极。两个电极设置于底面。荧光胶层设置于发光单元的顶面上。荧光胶层的一侧具有标记。两个电极中的一者相较于两个电极中的另一者靠近于此标记。

本发明提供一种半导体结构，包括第一型掺杂半导体层、发光层、包括多个AlxInyGa1‑x‑yN层、至少一GaN系层以及欧姆接触层的第二型掺杂半导体层。发光层配置于第一型掺杂半导体层上，且第二型掺杂半导体层配置于发光层上。多个AlxIny...

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层，空穴提供层为氮化铟镓InxGa1‑xN(0

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0

本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。

本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。

本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层，于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层，发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层，空穴提供层为氮化铟镓InxGa1‑xN(0

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0

本发明公开了一种发光二极体封装结构，其包括第一透光板、发光单元以及第一封装胶体。发光单元设置于第一透光板上，第一封装胶体设置于发光单元与第一透光板之间且包覆部分发光单元。通过这种方式，本发明的发光二极体封装结构制作相当方便，有效提升产能。

本发明提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二...

本发明公开了一种半导体发光结构，包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上，其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间，其中绝缘层具...