一种发光装置，包括一绝缘基板、多个发光二极管芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有一上表面。发光二极管芯片配置于绝缘基板上，且位于上表面上。发光二极管芯片的主要发光波长在一特定色光的波长范围内，且至少有两个发光二极管芯片的主要发光波长不同...

本发明涉及一种发光二极管封装结构，包括支撑架、线路层以及多个发光二极管晶片。支撑架包含多面体。线路层配置于支撑架上。发光二极管晶片配置于支撑架上且与线路层电性连接。

本发明涉及有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，本发明提供一种发光二极管组件，发光二极管组件倒覆于一封装基板并与其电性连接，而形成覆晶式发光二极管封装组件。发光二极管组件主要于一第二型掺杂层及一反射层之间设置一奥姆接触层及...

一种光特性可调的照明装置，包括：亮度可调光源与透明基板。亮度可调光源提供激发光线。透明基板至少具有第一至第四区域。第一至第四区域分别披覆第一至第四荧光粉组合，且激发光线通过第一至第四荧光粉组合而分别放射出第一至第四光线，其中，第一光线具...

一种基板，包括基底、金属反射层以及抗氧化层。基底具有相对的第一表面与第二表面。金属反射层配置于基底的第一表面上。抗氧化层覆盖金属反射层。金属反射层位于抗氧化层与基底的第一表面之间。至少一发光二极管芯片适于共晶接合于基板上。

本发明涉及一种发光二极管结构及其制造方法，其中，该发光二极管结构包括：发光晶片以及导电支架。发光晶片具有多个发光二极管单元。导电支架具有电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管...

一种发光元件，包含第一披覆层、发光层、第二披覆层、铟镓氧化物，及电极单元，第一披覆层以半导体材料构成，发光层设置于第一披覆层上并在接受电能时将电能转换为光，第二披覆层设置于发光层上并与第一披覆层呈相反电性，铟镓氧化物的化学式为InyGa...

一种具有滤光元件的发光二极管封装结构，包含导线架、发光光源、透光元件、光激发元件，及滤光元件，导线架对外固着且电连接，发光光源固着于导线架上并与之电连接，而可将电能转换为光能以发出第一波长范围的光，透光元件供第一波长范围的光穿透，光激发...

一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、第一电极以及第二电极。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极配置于第一型掺杂半导体层上，且包括多个分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导体层...

一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、第一电极以及第二电极。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极配置于第一型掺杂半导体层上，且包括多个第一分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导...

一种发光元件结构，包括基板以及磊晶体。基板具有表面与数个间隔排列且凸起表面的弧形凸起部。这些弧形凸起部分别具有弧形曲面，其中这些弧形曲面与表面连接，且各弧形曲面相对于表面的斜率绝对值随着靠近基板的方向上递增。磊晶体配置于基板的表面与这些...

一种发光二极管结构，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一导电层以及第二导电层。发光层配置于第一型半导体层上。发光层包括数个能障层以及数个量子井层，其中这些量子井层分别夹设于这些能障层之间。第二型半导体层配置于发光层上，其中最...

一种垂直式发光二极管结构，包括半导体堆叠层、绝缘阻障层以及金属堆叠层。半导体堆叠层包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，且主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。绝缘阻障层覆盖半导体堆叠层并具有开口，且开口暴露出半导体堆叠层...

本发明公开了一种非接触式三维立体控制显示设备，所述设备包括：可触控屏、支撑所述触控屏的外框、电荷侦测组件、运算器，外框环绕设置在触控屏周边支撑触控屏，电荷侦测组件固定设置于外框上，电荷侦测组件与运算器电连接，运算器与触控屏电连接；电荷侦...

一种以磁力固晶的发光二极管封装组件，包含一组支架，及至少一个发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒包括一个供电后以光电效应产生光的本体，及一层形成于该本体底面的接触层，该支架及该接触层其中至少一者包括有磁性材料，该支架及该接触层其中的另一者包...

本发明涉及一种发光二极管结构，其是于一发光二极管晶粒的透明导电层上方设置一光学滤光膜，通过光学滤光膜对不同波长的光具有选择性反射率及穿透率，因此，发光二极管晶粒所发出的光可穿透光学滤光膜，而二极管晶粒所发出的光激发荧光材料后所产生的激发...

本发明涉及一种发光二极管结构，其是设置复数个第一金属导线于一第一半导体层，一主动层设于部分第一半导体层，一第二半导体层设于主动层，主动层与第二半导体层具有复数个凹槽，第一金属导线分别位于复数个凹槽内，复数个绝缘层覆盖第一金属导线与第一半...

本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间，其中氮化物系半导体主动层包含井层与障壁层交互积...

本发明公开了一种氮化物系半导体发光结构，其发光主波长介于500至540纳米之间，其包含P型氮化物系半导体层、N型氮化物系半导体层及氮化物系半导体主动层。所述的氮化物系半导体主动层形成于P型氮化物系半导体层及N型氮化物系半导体层之间。此外...

本发明涉及一种发光二极管结构，其依序设置一基板、一磊晶层、一透明导电层，磊晶层设于基板上方，透明导电层设于磊晶层上方，电流阻绝层设于磊晶层之中并位于透明导电层下方与基板的上方，磊晶层上方设有一第一金属电极，透明导电层上方设有一第二金属电...