新世纪光电股份有限公司专利技术

新世纪光电股份有限公司共有240项专利

  • 氮化物半导体结构及半导体发光元件
    本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层,p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0
  • 本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层,于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层,发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层,空穴提供层为氮化铟镓InxGa1‑xN(0
  • 本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层,p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0
  • 本发明提供一种发光二极管结构,包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
  • 本发明提供一种发光二极管结构,包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
  • 本发明提供一种发光二极管结构,包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
  • 本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构包含一N型半导体层以及一P型半导体层,于N型半导体层与P型半导体层间配置有一发光层,发光层与P型半导体层间配置有一空穴提供层,空穴提供层为氮化铟镓InxGa1‑xN(0
  • 本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层,p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0
  • 发光二极体封装结构及发光二极体模组
    本发明公开了一种发光二极体封装结构,其包括第一透光板、发光单元以及第一封装胶体。发光单元设置于第一透光板上,第一封装胶体设置于发光单元与第一透光板之间且包覆部分发光单元。通过这种方式,本发明的发光二极体封装结构制作相当方便,有效提升产能。
  • 发光二极管结构
    本发明提供一种发光二极管结构,包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二...
  • 半导体发光结构及半导体封装结构
    本发明公开了一种半导体发光结构,包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上,其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间,其中绝缘层具...
  • 发光二极管结构
    本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上,且包括...
  • 半导体发光结构及半导体封装结构
    本发明公开了一种半导体发光结构,包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上,其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间,其中绝缘层具...
  • 半导体发光结构及半导体封装结构
    本发明公开了一种半导体发光结构,包括一磊晶结构、一N型电极垫、一P型电极垫以及一绝缘层。N型电极垫与P型电极垫相间隔地设置于磊晶结构上,其中P型电极垫具有一第一上表面。绝缘层设置于磊晶结构上且位于N型电极垫与P型电极垫之间,其中绝缘层具...
  • 发光装置及其制造方法
    本发明涉及一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、粘着层、反射层及透光封胶。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。粘着层形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元...
  • 发光装置及其制作方法
    一种发光装置,包括:至少一发光单元、波长转换胶层以及反射保护件。发光单元具有彼此相对的上表面与下表面。发光单元包括二电极垫,且二电极垫位于下表面。波长转换胶层设置于上表面。波长转换胶层包括低浓度荧光胶层以及高浓度荧光胶层。高浓度荧光胶层...
  • 发光二极管结构
    本发明提供一种发光二极管结构。发光二极管结构包括基板、N型半导体层、发光层以及P型半导体层。N型半导体层配置于基板上。发光层适于发出主要发光波长介于365奈米至490奈米之间的光且配置于N型半导体层上。P型半导体层配置于发光层上,且包括...
  • 发光二极管装置
    本发明提供一种基板以及发光二极管装置。基板包括基底、金属反射层以及抗氧化层。基底具有相对的第一表面与第二表面。金属反射层配置于基底的第一表面上。抗氧化层覆盖金属反射层。金属反射层位于抗氧化层与基底的第一表面之间。至少一发光二极管芯片适于...
  • 发光二极管
    一种发光二极管,包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第...
  • 含氮半导体元件
    本发明提供了一种含氮半导体元件,其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上,而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为AlxGa1‑xN,其中0...
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