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新世纪光电股份有限公司专利技术
新世纪光电股份有限公司共有269项专利
发光装置及其制作方法制造方法及图纸
本发明提供一种发光装置及其制作方法,其发光装置包括发光单元、荧光层、反射层以及吸光层。发光单元具有顶面、相对于顶面的底面以及位于顶面与底面之间的侧面。发光单元包括设置于底面的电极。荧光层设置于发光单元的顶面上。反射层覆盖发光单元的侧面。...
发光装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种发光装置,包括成长基板、发光元件、第一导电凸块以及第二导电凸块。发光元件设置于成长基板上,包括第一型半导体层、第二型半导体层、发光层、欧姆接触层、第一导体层以及第二导体层。发光层与第二型半导体层由凹槽贯穿。欧姆接触层设置于...
含氮半导体元件制造技术
本发明提供了一种含氮半导体元件,其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上,而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为Al
含氮半导体元件制造技术
本发明提供了一种含氮半导体元件,其包括基板、第一氮化铝镓缓冲层、第二氮化铝镓缓冲层以及半导体堆叠层。第一氮化铝镓缓冲层设置于基板上,而第二氮化铝镓缓冲层设置于第一氮化铝镓缓冲层上。第一氮化铝镓缓冲层的化学通式为Al
含氮半导体元件制造技术
本发明提供了一种含氮半导体元件,其包括第一型掺杂半导体层、多重量子阱层以及第二型掺杂半导体层。多重量子阱层包括多个能障层以及多个能阱层,这些能阱层与这些能障层交替排列。多重量子阱层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间,其中这...
含氮半导体元件制造技术
本发明提供了一种含氮半导体元件,其包括第一型掺杂半导体层、多重量子阱层以及第二型掺杂半导体层。多重量子阱层包括多个能障层以及多个能阱层,这些能阱层与这些能障层交替排列。多重量子阱层位于第一型掺杂半导体层以及第二型掺杂半导体层之间,其中这...
发光二极管制造技术
一种发光二极管,包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第...
红光发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种红光发光二极管及其制造方法,所述红光发光二极管包括磊晶叠层、第一、第二电极、第一、第二电极垫。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层以及发光层。发光层的主要发光波长落在一红光范围内。磊晶叠层具有邻近第一型半导体层的第一侧与邻近...
发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种发光二极管及其制造方法,所述发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一...
发光二极管制造技术
本发明提供一种发光二极管,包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体...
发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种发光二极管及其制造方法,包括磊晶叠层、第一、第二反射层、电流传导层、及第一、第二电极。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层及主动层。第一、第二反射层分别设置于磊晶叠层的两侧,且第一反射层与第二反射层其中之一上形成有主要出光面...
发光元件封装结构制造技术
本发明提供一种发光元件封装结构。发光元件封装结构包括至少一发光元件、波长转换胶层以及保护件。发光元件具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面与下表面的侧表面。波长转换胶层配置于发光元件的上表面上,且波长转换胶层具有彼此相对的第一边缘与...
发光装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明揭示一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、黏胶及反射层。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的侧面、黏胶...
发光装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明揭示一种发光装置及其制造方法。发光装置包括基板、发光元件、波长转换层、黏胶及反射层。发光元件设于基板上。波长转换层包括高密度转换层及低密度转换层。黏胶形成于发光元件与高密度转换层之间。反射层形成于基板上方且覆盖发光元件的侧面、黏胶...
发光元件制造技术
本发明提供一种发光元件,包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极;磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层;黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上;第一反射层设置于黏着...
发光元件制造技术
本发明提供一种发光元件,包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极;磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层;黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上;第一反射层设置于黏着...
发光元件制造技术
本发明提供一种发光元件,包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极;磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层;黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上;第一反射层设置于黏着...
具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法技术
本发明提供一种具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法。本发明的具有布拉格反射镜的发光二极管包括:磊晶层,具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层,其中发光层介于第一半导体层与第二半导体层之间;透明导电层,位于第二半导体层上;至少一布拉...
发光装置及其制作方法制造方法及图纸
本发明提供一种发光装置,包括发光单元、二电极、反射组件以及透光组件。二电极设置于发光单元的一侧,且与发光单元电性连接。反射组件设置于发光单元的另一侧,且具有至少一反射面。透光组件设置于反射组件与发光单元之间,并包覆发光单元的一部分。透光...
发光二极管芯片与发光二极管装置制造方法及图纸
本发明提供一种发光二极管芯片,包括磊晶叠层、第一、第二电极以及第一反射层。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层与发光层。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接。发光层于第一型半导体层的正投影与第一电极于第一型半导体层的正投影错...
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