课题是提供一种球状锂霞石粒子及其制造方法，所述球状锂霞石粒子与以往相比圆形度高，并且具有大的负热膨胀率和高热传导率，具有高流动性、高分散性、高填充性，在半导体领域也能够应用。作为其解决手段，提供一种球状锂霞石粒子的制造方法以及采用该方法...

一种半导体装置用接合线，其适于确保较高的接合可靠性、并且具有优异的耐劈刀磨损性和表面缺陷耐受性，还满足球形成性、楔接合性等综合性能的车载用器件用接合线，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、以及被形成在上述Pd被...

本发明提供生产率优异，具备能够容易地在模具中赋形的粘性和悬垂性、操作性优异，且固化而得到的成型品可具有与热固性复合材料相当的高度的力学特性和热塑性复合材料的特征这两者的原位聚合型热塑性预浸料。原位聚合型热塑性预浸料(1)是具有增强纤维(...

提供即使是板厚为60μm以下的极薄不锈钢箔，胀形性也高、而且针对胀形的变形的各向异性小的奥氏体系不锈钢箔。本发明的奥氏体系不锈钢箔，其特征在于，板厚为5μm以上60μm以下；再结晶率为90％以上100％以下；具有织构，所述织构是在测定视...

本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，由总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上、以及其余量构成，所述其余量为Ag和不可避免的杂质。

提供一种能够同时地满足对存储器用接合线所要求的要求的球接合可靠性和楔接合性的接合线，该接合线的特征在于，具备芯材和形成于所述芯材的表面的被覆层，所述芯材含有总计为0.1～3.0原子％的Ga、In和Sn中的1种以上，余量包含Ag和不可避免...

提供即使是板厚为60μm以下的极薄不锈钢箔，鼓凸成形性也高、而且针对鼓凸成形的变形的各向异性也小的铁素体系不锈钢箔。本发明涉及一种铁素体系不锈钢箔，其是板厚为5μm以上且60μm以下的铁素体系不锈钢箔，其特征在于，不锈钢箔的再结晶率为9...

即使是厚度为60μm以下的极薄不锈钢箔，也能够确保高的板厚精度，同时确保塑性变形能力和断裂伸长率，也就是说，提供良好的压制加工性(深拉深加工性)。本发明为一种不锈钢箔，是板厚为5μm以上且60μm以下的不锈钢箔，其特征在于，不锈钢箔的再...

提供与以往相比生产率高、制造成本低、且具有高热膨胀率、高热导率、高流动性、高分散性、高填充性、低磨损性、高纯度、也能够适用于半导体领域的球状结晶性二氧化硅粒子及其制造方法。一种球状结晶性二氧化硅粒子，其特征在于，包含400～5000pp...

提供一种SiC单晶晶片，其是从采用升华再结晶法生长出的SiC单晶锭制作出的SiC单晶晶片，在作为器件制作用晶片的情况下实现了高的器件性能和器件制作的成品率。一种SiC单晶晶片，其特征在于，表面的基底面位错密度为1000个/cm2以下，贯...

本发明提供能够相对性地评价多个块状SiC单晶的晶格的应变程度的方法以及该方法所使用的参照用SiC单晶。一种块状碳化硅单晶的评价方法，测定作为基准的参照用碳化硅单晶的拉曼位移Rref，并且，测定作为评价对象的多个块状碳化硅单晶的各自的拉曼...

本发明提供能够满足在高密度安装中要求的接合可靠性、弹回性能、芯片损伤性能的接合线。一种接合线，其特征在于，包含总计为0.05～5原子％的In、Ga、Cd中的1种以上，其余量包含Ag和不可避免的杂质。

提供一种改善球接合部的接合可靠性、球形成性，并适合于车载用装置的接合线。一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述Cu合金芯材包含Ni，相对于线整体，Ni的浓度为0.1～1.2...

提供能够采用辊对辊(Roll to Roll)工艺形成电子器件的带有平坦化膜的金属箔卷材。将能够短时间固化的用于形成平坦化膜的涂敷液以2.0μm以上5.0μm以下的膜厚在金属箔卷材上成膜，所述用于形成平坦化膜的涂敷液，是将树脂溶解于芳香...

本发明的目的是提供一种材料费便宜、在高湿高温环境下的PCT可靠性优异，而且热循环试验的TCT可靠性、球压接形状、楔接合性、环路形成性等也良好的半导体元件用铜系接合线。本发明的半导体用铜合金接合线，其特征在于，是将铜合金拉丝加工而成的，所...

本发明的课题是即使为厚度60μm以下的极薄不锈钢箔也可确保高的板厚精度，且同时确保塑性变形能力和断裂伸长率、即确保良好的冲压加工性(深拉深加工性)。本发明通过制成下述极薄不锈钢箔而解决了课题。所述极薄不锈钢箔是在板厚方向上具有3个以上的...

本发明提供能够减少异常环路的发生的接合线。所述接合线的特征在于，具备：芯材，其含有超过50mol％的金属M；中间层，其形成于所述芯材的表面，包含Ni、Pd、所述金属M和不可避免的杂质，所述Ni的浓度为15～80mol％；以及，被覆层，其...

本发明提供评价碳化硅(SiC)单晶晶片的内应力的方法、以及评价晶片的内应力来预测研磨完成后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片面内的两点测定拉曼散射光的波数位移量，通过其差量来评价内应力。另外，翘曲的预测方法是事前预测利用升华...

本发明提供一种通过使加捻了的树脂浸渍绞绳硬化而制作了的不存在纤维取向混乱的扁平纤维加强塑料绞绳，以及使用该扁平纤维加强塑料绞绳制作了的扁平纤维加强塑料绞绳片。根据扁平纤维加强塑料绞绳(2)的制造方法，(a)将包含多根加强纤维(f)的未硬...

本发明提供具有柔软性、且压缩强度也优异、也具有导电性的薄板状的具有柔软性的碳板。碳板(1)是将(a)包含膨胀石墨粉末95～30wt％及石墨粉末5～70wt％的碳粉末97～80wt％、和(b)不含有氨的酚醛树脂3～20wt％的混合物进行压...