新加坡商格罗方德半导体私人有限公司专利技术

新加坡商格罗方德半导体私人有限公司共有110项专利

  • 本发明涉及具有应力降低特征的化合物半导体基装置,提供包括集成于半导体衬底上的化合物半导体基装置及硅基装置的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括位于衬底上的层堆叠、沿垂直方向完全穿过该层堆叠延伸至该衬底的导电接触,以及包括源极欧姆接触及...
  • 本申请涉及用于静电放电保护的硅控整流器,提供硅控整流器的结构以及形成硅控整流器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱及第二阱。该第一阱具有第一导电类型,且该第二阱具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。该结构还包括第一端子以及...
  • 本申请涉及具有改进的击穿电压的高电压MOSFET器件,根据各种实施例,提供一种MOSFET器件。MOSFET器件可以包括衬底;第一掺杂区域,设置于衬底中;第二掺杂区域,设置于衬底中,其中,第一掺杂区域与第二掺杂区域彼此横向相邻;第三掺杂...
  • 本发明涉及用于高压应用的装置,披露一种装置包括设置在衬底上的埋置氧化物层、设置在埋置氧化物层上的第一区域和设置在第一区域中的第一环形区域。第一环形区域包括防护环部分。所述装置还包括设置在第一环形区域中的第一终端区域、设置在第一区域中的第...
  • 本发明涉及静电放电保护装置,提供一种装置,包括第一区域、设置在第一区域上的第二区域、设置在第二区域中的第三区域和邻接第三区域的第四区域、设置在第三区域中并耦接设置在上方的集极的第五区域、以及设置在第四区域中且耦接设置在上方的射极的第六区...
  • 本发明涉及无沟槽单光子雪崩二极管,涉及单光子雪崩二极管的结构以及形成单光子雪崩二极管的结构的方法。该结构包括具有顶部表面的半导体衬底,位于该半导体衬底的顶部表面上的半导体层,位于该半导体层的部分上的光吸收层,以及位于该半导体层的部分中的...
  • 本发明涉及用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置,揭示了包括非易失性存储器元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一、第二和第三非易失性存储器元件各自包括第一电极、第二电极、及在第一电极和第二电极之间的切换层。第一位...
  • 本发明涉及磁场传感器和制造磁场传感器的方法,该磁场传感器可包含具有平坦表面的半导体结构以及第一、第二及第三感测装置。该半导体结构可包含其中具有二维电子气的半导体构件及设置在该半导体构件上的绝缘体构件。该第一感测装置可配置为感测沿平行于该...
  • 本发明涉及晶体管和制造晶体管的方法,晶体管可以包括缓冲层、缓冲层上的源极和漏极接触件、缓冲层上的阻挡层、阻挡层上的导电构件、介电堆叠和栅极金属。阻挡层可以在源极接触件和漏极接触件之间。导电构件可以包括p掺杂的III
  • 本发明涉及二极管装置及形成二极管装置的方法,可提供一种二极管装置,包括半导体衬底,该半导体衬底包括设置在其中的阱区,设置在阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区,设置在第一掺杂区内的第一接触区,以及设置在第一掺杂区内的隔离结构,其中氧化层可内衬...
  • 本发明涉及具有沟槽形选择栅极的分栅闪存单元,揭示了用于分栅闪存单元的结构和形成用于分栅闪存单元的结构的方法。在半导体基板中形成沟槽。在半导体基板中形成第一和第二源极/漏极区域。第一栅极横向位于沟槽和第二源极/漏极区域之间,且第二栅极包括...
  • 本发明涉及具有多厚度缓冲介电层的扩展漏极金属氧化物半导体设备,提供一种扩展漏极金属氧化物半导体设备的结构和用于形成扩展漏极金属氧化物半导体设备的结构的方法。在基板中形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域,并且在所述基板上方形成栅极电...
  • 本发明涉及具有嵌埋于开关层内的导电岛的电阻式存储器元件,揭示了电阻式存储器元件的结构以及形成电阻式存储器元件的结构的方法。该电阻式存储器元件包括第一开关层、第二开关层、导电间隙壁、第一电极、以及第二电极。该第一开关层包括位于该第一电极与...
  • 本发明涉及具有多个输入端子的电阻式存储器元件,揭示了电阻式存储器元件的结构以及形成电阻式存储器元件的结构的方法。该电阻式存储器元件具有第一电极、第二电极、第三电极、以及开关层。该第一电极与该开关层耦接,该第二电极与该开关层的侧表面耦接,...
  • 本发明揭示了一种半导体装置及其形成方法,该半导体装置可包括具有源极区域和漏极区域的基板,以及设置在该基板上方且位于该源极区域和该漏极区域之间的栅极。第一层间介电(ILD)层可以至少部分地设置在该基板和该栅极上方。导电场板可设置在该第一层...
  • 本发明涉及用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置,提供用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构和形成用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构的方法。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域形成于基板中,栅极电极形成于基板上方,...
  • 本发明涉及具有多层级单元配置的非易失性存储器元件,提供包括非易失性存储器元件的结构,以及制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一非易失性存储器元件包括第一电极、第二电极、以及第一电极与第二电极之间的切换层。第二非易失性存储器元件包括...
  • 本申请涉及晶体管装置及形成晶体管装置的方法。可提供一种LDMOS晶体管装置,包括其中设有导电区的衬底,设于该衬底内的第一隔离结构,设于该导电区内的源区与漏区,设于该源区与该漏区之间的第二隔离(局部隔离)结构,以及至少部分设于该第二隔离结...
  • 高电子迁移率晶体管的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。高电子迁移率晶体管具有第一半导体层、沿界面邻接第一半导体层的第二半导体层、栅极电极和源/漏区域。绝缘区域设置在第一半导体层和第二半导体层中。绝缘区域在横向位于栅极电极和源/漏...
  • 本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法,提供一种静电放电(ESD)保护装置,包括具有设置于其中的导电区域的基板,设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域,以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第...