本发明的研磨装置具备：平台，贴附有研磨布；研磨头，用以保持晶圆；槽体，用以储藏研磨剂；研磨剂供给机构，将储藏在槽体内的研磨剂供给至研磨布；废液承接器，回收自平台上流下的研磨剂；以及循环机构，被连接至废液承接器，将利用废液承接器所回收的研...

本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能...

本发明提供一种研磨装置，其具备：两个以上的研磨头，用以保持晶片；可旋转的平台，贴附有用以研磨前述晶片的研磨布；平台驱动机构，使该平台旋转；以及，两个以上的晶片检测传感器，在研磨中检测前述晶片从前述研磨头露出的情况；所述研磨装置的特征在于...

本发明提供一种平台搬运台车，其用以搬运从研磨装置卸除的平台、或要安装至前述研磨装置上的前述平台，所述平台搬运台车的特征在于，具备：平台保持部，用以保持前述平台；支持台，从下侧来支持该平台保持部；升降机构，实行前述平台保持部的升降；以及，...

本发明提供一种研磨装置，其是分度方式的研磨装置，所述研磨装置具备：研磨头，其用以保持晶片；多数个平台，其贴附有研磨布且所述研磨布用以研磨前述晶片；以及，装载和卸载台，其用以将前述晶片安装至前述研磨头上、或从前述研磨头剥离；并且，根据使前...

本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测...

本发明是一种研磨头的制造方法，所述研磨头具备：背部衬垫，其被黏结在刚性体的下部，用以保持工件的背面；及，环状的模板，其在该背部衬垫的底面，用以保持前述工件的边缘部；并且，所述研磨头一边将前述工件的背面保持在前述背部衬垫的底面，一边使前述...

本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。...

本发明是一种半导体晶片的评价方法，其是于镜面研磨工序之前，使用静电容式的形状测定装置，测定半导体晶片的表面位移的翘曲数据，并将半导体晶片外周部的特定宽度设定为抽出范围，于该抽出范围中，根据以特定的拟合范围中的拟合函数进行翘曲数据的拟合，...

本发明是一种双面磨削装置，其特征在于：具有可自转的环状保持器，其沿径向从外周侧来支撑薄板状的工件；及，一对磨石，其同时磨削被该环状保持器所支撑的前述工件的两面；而且，所述双面磨削装置还具备静压轴承，该静压轴承根据由前述环状保持器的自转轴...

本发明是一种SOI晶片的制造方法，其具有以下工序：于至少整个基底晶片的表面上形成绝缘膜，对于以离子注入层为界来剥离接合晶片之前的贴合晶片，一边保护背面的绝缘膜，所述背面位于基底晶片的贴合面的相反侧，一边使该贴合晶片接触可溶解绝缘膜的液体...

本发明提供一种单晶制造装置，是根据直拉法而构成的单晶制造装置，且具备坩埚，其容置原料熔液；圆筒状加热器，其围绕该坩埚并加热原料熔液；主腔室，其容纳这些构件；电极，其从该主腔室的底部插入，支持前述圆筒状加热器且供给电力；及，盛漏托盘，其配...

本发明是一种半导体晶片的洗净方法，其特征在于，在由平均铝浓度为1ppb以下的合成石英材料所构成的洗净槽内，装满包含氨和过氧化氢的洗净液，使前述半导体晶片浸渍于前述洗净液中，并以使由前述洗净液所导致的前述合成石英的表面蚀刻速度为0.3nm...

提供一种外周研磨装置，能够对坡口角度不同的工件的边缘进行研磨。对工件(W)的表面侧及背面侧的边缘(Ea、Eb)进行研磨的边缘研磨单元(2A、2B)具有：研磨部件安装体(11)，其安装有研磨部件(10)；安装体支承部件(12)，其倾转自如...

本发明提供一种半导体晶片的评价方法，其是评价半导体晶片的凹口部的破坏强度的方法，所述半导体晶片的评价方法，利用朝向晶片中心，对前述要评价的半导体晶片的凹口部施加荷重来破坏前述半导体晶片的凹口部，以评价该凹口部的破坏强度。由此，提供一种半...

本发明为一种贴合晶片的制造方法，其特征在于，在贴合工序之前，具有对结合晶片和基体晶片中的至少一者的贴合面进行等离子体活化处理的工序，在前述等离子体活化处理工序中，一边使前述结合晶片和前述基体晶片中的至少一者的背面以点接触或线接触的状态载...

本发明是一种线锯的再次开始运转方法，在切断途中暂时中断工件的切断之后，再次开始该切断，特征在于，具有以下步骤：一边检测钢线的往复行进的方向和行进速度并按时间序列记录，一边切断前述工件；及，再次开始工件的切断时，根据至工件的切断中断时为止...

本发明提供一种半导体晶片，其在研磨时于外周形成有塌边，其特征在于，在前述半导体晶片的中心与外周塌边开始位置之间，前述半导体晶片的厚度方向的位移量是100nm以下，且前述半导体晶片的中心是凸出的形状，前述半导体晶片的外周塌边量是100nm...

本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加...

本发明是一种基座，其在进行外延层的气相生长时支撑半导体基板，其特征在于，在基座的上表面上，形成有内部配置半导体基板的凹坑，该凹坑呈双层结构，具有支撑半导体基板的外周缘部的上层凹坑部、与在该上层凹坑部的下层且形成于中心侧的下层凹坑部，在下...