本发明的电流检测装置包括：多个第一罗氏线圈，用于检测流过第一开关元件的电流；多个第二罗氏线圈，用于检测流过第二开关元件的电流；多个第一积分电路，具有复位功能，对第一罗氏线圈的输出进行积分后输出第一检测信号；多个第二积分电路，具有复位功能...

本发明提供一种半能够实现小型化，并能够高精度地进行电流检测，并且在装树脂密封后的环状状态下还能够容易地进行安装的电流检测器

本发明提供一种半导体装置，其内置了限流电阻和二极管(自举二极管)，且二极管的反向恢复时间短，作为连接构件，即使在使用导电性连接构件的情况下也能够防止结晶缺陷消失(退火)。本发明的半导体装置(100)包括：半导体基体(110)，由第一半导...

本发明提供一种电力控制装置，其具备：第一开关基板，所述第一开关基板具有第一配线图案和安装于所述第一配线图案的多个第一开关元件；第二开关基板，所述第二开关基板具有第二配线图案和安装于所述第二配线图案的多个第二开关元件；控制基板，所述控制基...

本发明提供一种使栅极灵敏度降低的晶闸管。本发明的晶闸管具有：第一P型半导体层11；第一N型半导体层12，其配置为与第一P型半导体层接触；第二P型半导体层13，其配置为与所述第一N型半导体层接触；第二N型半导体层14，其配置为与所述第二P...

本发明提供了能够提高(dv/dt)c耐量的双向晶闸管。本发明的双向晶闸管具有：第一导电型第一半导体层及第一导电型第二半导体层(11、21)、第二导电型第一半导体层及第二导电型第二半导体层(13、12)、配置于第二导电型第三半导体层的多个...

本发明的宽带隙半导体装置具有宽带隙半导体层10、以及设置在所述宽带隙半导体层10上的金属电极20。所述金属电极20在靠近所述宽带隙半导体层10的金属电极20侧的界面区域上具有由六方最密堆积结构(HCP)构成的单晶层21。所述单晶层21具...

本发明提供一种能够高耐量且易于制造的半导体装置。本发明涉及的半导体装置，包括：台面型二极管结构部(20)，依次层积有P型半导体层(11)、第一N型半导体层(12)、以及杂质浓度比所述第一N型半导体层高的第二N型半导体层(13)；以及在平...

本发明提供一种端子，其使用外螺纹构件和内螺纹构件而被紧固于连接侧端子，该端子包括：与所述连接侧端子重叠地配置的平板状的连接部、以及与所述连接部相连并一体地形成的一对限制壁部，其中，通过将所述连接侧端子与所述连接部重叠地配置，使所述外螺纹...

本发明涉及一种引线框架一体型基板、半导体装置、引线框架一体型基板的制造方法及半导体装置的制造方法。得到一种能够通过绝缘基板确保散热性并实现小型化的引线框架一体型基板。引线框架一体型基板11包括引线框架部12以及绝缘基板18，该引线框架部...

本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的第一导体部和第二导体部；配置在所述第一导体部上的半导体元件；连接于所述半导体元件的第一电极的、平板状的第一端子；连接于所述第一导体部的平板状的第二端子；将所述半...

本发明涉及一种半导体装置。该半导体装置具备：绝缘基板；多个导体部，所述多个导体部形成在所述绝缘基板上；半导体元件，所述半导体元件配置在所述绝缘基板的导体部上；平板状的支承部件，所述支承部件相对于所述绝缘基板的导体部隔开预定间隔地配置；圆...

本发明涉及端子部件以及半导体装置。端子部件是连接于连接对象部的端子部件，该端子部件具备：弯曲部，该弯曲部朝向该连接对象部弯曲；以及前端连接部，该前端连接部设置于该弯曲部的前端部，其中，该前端连接部经由导电性接合材料与所述连接对象部连接。...

本发明涉及一种半导体装置。该半导体装置具备：绝缘基板；第一导体部和第二导体部，该第一导体部和第二导体部形成在绝缘基板上；半导体元件，该半导体元件配置在第一导体部上；平板状的第一端子，该第一端子连接于半导体元件的第一电极；平板状的第二端子...

电力控制装置包括：开关基板，其具有将电池与三相交流电动机电连接的配线图案、以及与配线图案连接的多个开关元件；控制基板，其具有沿板厚方向贯穿的第一通孔，在第一通孔的周围形成有罗哥夫斯基线圈；以及电源侧端子构件，其将电池与开关基板的配线图案...

本发明涉及一种电子装置，该电子装置包括：安装有电子部件的基板、以及在内部容纳所述基板的树脂制成的壳体；所述壳体具有安装部，所述安装部通过供固定对象物的平板状的固定部插入并与所述固定部卡合，由此将所述壳体安装于所述固定部；所述安装部包括：...

本发明提供一种半导体装置，其能够将整流元件内置在栅极驱动器IC中且不易引发漏电流增加、耐压降低、元件损坏等不良状况。其包括：具有p型基板(111)和n型第一半导体层(112)的半导体基体(110)；第一电极(120)；第二电极(130)...

本发明的宽带隙半导体装置，包括：宽间隙半导体层；以及金属层20，设置在所述宽间隙半导体层上，其中，所述金属层20在与所述宽间隙半导体层之间的界面的界面区域处具有单晶层21，在将构成所述金属层20的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下...

【课题】提供一种能够抑制GHz频带噪声的产生的半导体装置。【解决手段】本发明的一种形态所涉及的半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板11；第一导电型半导体层12，位于所述半导体基板上；第一第二导电型扩散层13，位于所述第一...

本发明提供一种能够提高可靠性且易于小型化的引线端子。本发明涉及的引线端子(GND)的特征在于，包括：与第一连接对象部连接的第一连接部(21)；与第一连接部(21)连接的基体部(22)；从基体部(22)分支后连接的多个臂部(23U、23V...