公开了一种宽范围功率变换器及其控制方法。通过在功率变换器副边的高压侧加入电压调节电路，使其输出端与不调压的整流电路串联连接，从而只有一部分功率经过了调压，提高了功率变换器的效率；此外，在电压调节电路中增加了幅值变换单元，以使得电压调节电...

本申请公开了一种漏电保护电路以及应用其的照明系统。本发明实施例的技术方案通过漏电保护电路从直流总线经由整流电路形成单独的闭环回路，减小了能量损耗，降低了成本，另外漏电保护电路在工作区间内提供从直流总线流到参考电压的可变下拉电流，能够平滑...

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、漂移区、体区、源区、漏区、隔离结构、栅极结构以及场板结构。漂移区以及体区皆设置于衬底中，体区与漂移区相邻。源区及漏区分别设置于体区中以及漂移区中。隔离结构设置在漂移区上及至少覆盖漂移区和衬底的交界处，...

本申请提供一种三极管，包括衬底、第一阱区、第二阱区、发射区、基区以及集电区。第一阱区设置于衬底中并为第一掺杂类型。第二阱区设置于衬底中，并为与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。发射区设置于第一阱区中。基区设置于第一阱区中，并位于发射区的一...

本发明公开了一种新的双向开关装置及其应用其的电池管理系统，该双向开关装置采用双向导通氮化镓开关管以及两个二极管代替传统电池管理系统中两个背靠背晶体管组成的开关组，该双向开关装置具有更低的复杂度和更小的体积，且该双向开关装置在电池管理系统...

本申请提供一种半导体器件，括绝缘衬底、沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极以及第二漏极。沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极以及第一漏极形成第一晶体管，沟道层、势垒层、第二栅极、第二源极以及第二漏极形成第二晶体...

本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，高压电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于最顶层的层间介质层上的第一耐压介质层；位于所述第一耐压介质层上的所述高压电容的第二极部，所述第一极...

公开了一种仪表放大器和信号检测系统。通过输入端口接收传感器信号，第一级放大器对传感器信号进行放大处理以获取第一中间信号，第一高通滤波电路消除第一中间信号中包含的与第一级放大器的失调电压相关联的部分以获取第二中间信号，第一斩波器对第二中间...

本发明实施例公开了一种集成电路的交互文件生成方法以及装置，通过在获取目标模块的特征信息以及提取布局布线工具中的版图信息以生成版图信息数据后，提取所述版图信息数据中与所述特征信息匹配的目标信息数据，并对所述目标信息数据进行整合处理，生成交...

本申请提供一种传输门电路，包括传输门、第一辅助电路以及第二辅助电路。传输门包括一组P型第一晶体管和N型第二晶体管,P型第一晶体管的第一端和N型第二晶体管的第一端互连以作为输入端，P型第一晶体管的第二端和N型第二晶体管的第二端互连以作为输...

本发明的实施例揭露了一种曲栅式晶体管结构，晶体管结构的栅极区的为弯曲形状。晶体管结构还包括体接触区，体接触区和所述源区位于所述栅极区的同一侧，晶体管栅极区为弯曲形的设计可增加器件宽度，提高功率密度；源区附近增加体接触区，该结构的接触区容...

本发明公开了一种电源转换器，其包括

本申请公开了一种电源转换器，通过在整流电路和谐振电路之间设置无源的升压电路，可以使得电源转换器实现良好的功率因数

公开了一种多相功率变换器的控制电路及控制方法

本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，高压电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于最顶层的层间介质层上的第一耐压介质层；位于所述第一耐压介质层上的所述高压电容的第二极部，所述第一极...

本发明实施例公开了一种高压电容器及其形成方法，其中，所述电容器包括：第一极部；位于所述第一极部上的呈堆叠设置的至少一层层间介质层；位于处于顶层所述层间介质层与所述第一极部沿垂直方向相对的位置处的一凹槽，所述凹槽从所述顶层层间介质层的上表...

本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管

本申请提供一种隔离沟槽的形成方法，包括：形成沟槽于衬底中，其中衬底包括彼此相对的第一表面及第二表面，沟槽从第一表面延伸至衬底内部；形成绝缘层于沟槽的两侧壁及底部，其中位于沟槽的两侧壁及底部的绝缘层界定内部空间；以及填充辅助层于沟槽中，其...

本申请提供一种半导体器件，包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一漏极以及第一源极。第二晶体管包括第二漏极、第三栅极以及第二源极。第二漏极电连接第一源极，并作为半导体器件的源极。第三栅极电连接第二栅极，并作为...

公开了一种减小空洞的边墙形貌的制造方法，所述边墙形成于一位于衬底上的第一结构的两侧边，所述第一结构的两侧包括位于所述衬底上的绝缘层，其特征在于，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀部分所述绝缘层；以及采用湿法刻蚀工艺刻蚀剩余的所述绝缘层，...