本发明公开一种金属-氧化物半导体场效应晶体管的元胞结构，所述元胞结构中至少包含第一种导电类型的半导体源区，第二种导电类型的半导体阱区，沟槽，沟槽栅氧化膜，第一种导电类型的半导体漂移区，置于所述第一种导电类型的半导体漂移区和所述第二种导电...

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区在垂直方向包括至少三段结构，第一段是PN薄层区层，N型薄层电阻率低于硅片衬底的电阻率，P型薄层电阻率的设定要保证交替排列的N型薄层和P型薄层实现电荷平衡；第二段是电阻率等于硅片衬底电阻率的N型漂移区...

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区在垂直方向包括至少三段结构，第一段是PN薄层区层，N型薄层电阻率低于硅片衬底的电阻率，P型薄层电阻率的设定要保证交替排列的N型薄层和P型薄层实现电荷平衡；第二段是电阻率等于硅片衬底电阻率的N型漂移区...

本发明公开一种绝缘栅双极晶体管的元胞结构，所述元胞结构中至少包含发射区，集电区，沟槽，沟槽栅氧化膜，多晶硅栅，第一种导电类型的半导体漂移区，第二种导电类型的半导体阱区，置于所述第一种导电类型的半导体漂移区和所述第二种导电类型的半导体阱区...

本发明公开了一种超级结半导体器件及其制作方法，器件的交替排列的P-N薄层至少由两段交替排列的P-N薄层构成。相邻两段交替排列的P-N薄层中的同种类型的杂质浓度可以相等，也可以不相等；相邻两段交替排列的P-N薄层中一段的交替排列的P-N薄...

本发明公开了一种超级结半导体器件的制作方法，在硅基片上成长第一种类型半导体的外延层；在所述外延层上端区域中形成第二种类型半导体的阱；在所述外延层中形成沟槽；在所述沟槽中填入第二种类型半导体的硅；在所述外延层上部形成栅氧化膜和栅极区；在所...

本发明公开了一种超级结器件，电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，N型薄层电阻率等于硅片衬底的电阻率，P型薄层通过在衬底中形成沟槽并填充P型硅形成，在N型薄层和P型薄层底部形成有由背面离子注入区组成的N型区。本发明还公开了一种...