本实用新型涉及一种新型报警灯，该报警灯10包括：底座11；透光外壳12，设置在所述底座11上表面；双色LED13，设置在所述底座11上表面且位于所述透光外壳12内。本实用新型提供的新型报警灯，将蓝色LED与黄色LED集成在同一个LED芯...

本发明属于电连接装置领域，具体涉及一种时钟插排。包括电源插头、导线、插线板电路、插排外壳、时钟和若干插孔；插排外壳为六棱柱；插排外壳的下表面设有安置槽，电源插头安装在安置槽内，并且电源插头的插头脚凸出于凹槽；安置槽内还设有通孔；插排外壳...

本发明涉及一种用于扬声器的音频滤波电路，包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、二极管D1、二极管D2和芯片U。本发明的音...

本发明涉及一种能够进行语音识别的音响，包括语音识别模块，用于对接收的语音进行识别，获得语音信号；信号转换模块，用于将语音信号转换为电信号；中央处理模块，用于根据电信号调取音频文件；音频放大滤波模块，用于对音频文件进行放大和滤波；扬声器，...

本发明涉及一种用于电子设备的放大电路，包括：运算放大器A1、运算放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C1、电容C2、电容C3和电容...

本发明涉及一种放大电路，包括：运算放大器A1、运算放大器A2、运算放大器A3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R1...

本发明涉及一种激光器结构，该结构自下而上依次包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层；第一n型Ge层；第二n型Ge层；第一p型Ge层；第二p型Ge层；第二分布式布拉格反射镜层。本发明的激光器结构采用GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率...

本发明涉及一种GaAs/AIAs/AIAs布拉格反射镜激光器，其结构自下而上依次包括：衬底层；第一分布式布拉格反射镜层；n型Ge半导体层；n型Ge掺杂层；量子阱发光层；电子阻挡层；p型Ge掺杂层；p型Ge半导体层；第二分布式布拉格反射镜...

本发明涉及一种分布式布拉格反射镜激光器，该结构自下而上依次包括：衬底层；过渡层；第一分布式布拉格反射镜层；n型Ge半导体层；n型Ge掺杂层；量子阱发光层；电子阻挡层；p型Ge掺杂层；p型Ge半导体层；第二分布式布拉格反射镜层。本发明的激...

本发明涉及一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括OLED器件、玻璃基板和玻璃盖板，其中，封装盖板的基板相对的表面上开设有用于封装OLED器件的容纳凹槽，封装盖板与基板的边缘通过封装胶粘贴以封装OLED器件，封装盖板的与基板相对的表面上...

本发明涉及一种用于显示面板的封装件，包括基板和与基板相对设置的封装盖板，其中，封装盖板的与基板相对的表面上开设有用于封装显示面板的容纳凹槽；封装盖板的与基板相对的表面上包括围绕容纳凹槽的第一凸部以及围绕第一凸部的第二凸部；基板的与封装盖...

本发明涉及一种具有特殊封装结构的OLED面板，包括OLED器件、基板、与基板相对设置的封装盖板以及，其中，封装盖板的与基板相对的表面上开设有用于封装OLED器件的容纳凹槽；封装盖板的与基板相对的表面上包括围绕容纳凹槽的第一凸部以及围绕第...

本发明涉及一种OLED封装结构，包括基板和与基板相对设置的封装盖板，其中，封装盖板的与基板相对的表面上开设有用于封装OLED器件的容纳凹槽；封装盖板的与基板相对的表面上包括围绕容纳凹槽的第一凸部以及围绕第一凸部的第二凸部；基板的与封装盖...

本发明涉及一种具有特殊封装结构的双面显示面板，包括OLED器件、基板、与基板相对设置的封装盖板以及，其中，封装盖板的与基板相对的表面上开设有用于封装OLED器件的容纳凹槽；封装盖板的与基板相对的表面上包括围绕容纳凹槽的第一凸部以及围绕第...

本发明涉及一种双面显示面板及双面显示装置，所述双面显示面板包括双面显示器件、玻璃基板和玻璃盖板，其中，玻璃盖板的与玻璃基板相对的表面上开设有用于封装双面显示器件的容纳凹槽，玻璃盖板与玻璃基板的边缘通过封装胶粘贴以密封双面显示器件，玻璃盖...

本发明涉及一种具有分级缓冲层的半导体器件，其结构自下而上依次包括：衬底层、导电层、半导体吸收层、第一缓冲层、第二缓冲层、外延层、沟道层、第三缓冲层和电极层；本发明通过设置多层缓冲层，且多层缓冲层具有连续增加的带隙，缓冲层被分级，分级的缓...

本发明涉及一种半导体器件，其结构自下而上依次包括：衬底层、第一缓冲层，第二缓冲层，第三缓冲层，团簇层，外延层，沟道层，第四缓冲层和电极层；本发明In原子在GaN型主层的表面形成多个随机分布的团簇。由于In原子半径大于Ga原子半径，因此通...

本发明涉及一种金属半导体场效应晶体管，包括：衬底层；第一缓冲层，第二缓冲层，外延层，沟道层，第三缓冲层，电极层；电极层包括源电极层、栅电极层和漏电极层；源电极层包括源电极和源极帽层，栅电极层包括栅电极和第三缓冲层，漏电极层包括漏电极和漏...

本发明涉及一种整流防浪涌稳压电路，包括：整流子电路和防浪涌稳压子电路；其中，所述整流子电路的输入端连接市电电源，用于对输入的电压进行压降和整流后，输出整流电压；所述防浪涌稳压子电路连接所述整流电路，用于对所述整流电压进行防浪涌稳压保护，...

本发明涉及一种整流限流电路，包括：整流子电路和限流子电路；其中，所述整流子电路的输入端连接市电电源，用于对输入的电压进行压降和整流后，输出整流电压；所述限流子电路连接所述整流电路，用于对所述整流电压进行限流保护，输出整流限流电压。本发明...