本发明属于数字隔离器领域，公开了一种用于sigma delta ADC的双极性轨对轨差分型前端输入电路，包括输入分压电路、双极性转单端VGA电路以及全差分转换电路；输入分压电路用于将输入信号电压降至预设范围内，得到降压输入信号并输出至双...

本发明提供了一种PCB基板、设计方法、光电转换模块及其组装方法，所述PCB基板包括PCB板本体及散热底板；PCB板本体上开设有贯通槽口；其中，贯通槽口的位置与PCB板本体上的待安装芯片的位置相同；散热底板包括底板本体及芯片粘接凸台，底板...

本发明属于传感器数字信号处理领域，涉及消除噪声相关性的陀螺仪数字滤波方法。本发明根据静态数据获取角度随机游走误差方差。获取待处理数据，通过一阶AR广义差分模型消除待处理数据的残余噪声一阶自相关，得到任意时刻陀螺仪的状态空间模型。结合角度...

本发明涉及发动机控制系统领域，公开了一种电磁阀驱动器电路结构及控制方法，电磁阀驱动器接收到阀门选通信号，打开驱动器低边场效应晶体管T；当驱动器接收到输入直流控制电压V时，驱动器高边P型场效应晶体管T导通，功率电源接入电磁阀线圈，电磁阀正...

本发明公开了一种CBGA器件高铅焊球偏移的校正工装及方法，属于微电子封装工艺技术领域，本工装采用定位孔相配合的底座和焊球放置板，通过定位孔的定位配合能够避免焊球之间的相互作用力，降低了回流焊接过程焊球偏移或连锡导致的外观不合格概率；底座...

本发明公开了一种标度因数可调的I/F转换电路和方法，包括积分器；积分器的输入端连接，积分器的输出端连接比较器的输入端；比较器的输出端分别连接定时器的输入端D1和输入端D2；晶振电路的输出端连接定时器的输入端CLK；正负恒流源的输出端连接...

本发明属于电动舵机检测领域，涉及一种电动舵机负载测试装置及其工作方法。包括舵机夹持自定心虎钳和输出轴夹持自定心虎钳，输出轴夹持自定心虎钳输出端连接惯量盘转接轴，惯量盘转接轴上布置有惯量盘装载机构，惯量盘装载机构能够连接惯量盘转接轴和角度...

本发明公开一种针对SMD封装二极管大功率老炼的工装结构，在上老炼前，将待老炼器件固定在型腔内，工装通过与器件正负极接触导通。根据老炼原理，将首只待老炼器件的正极短接同时通过导与设备源极柱连接，负极直接与工装接触连接，其余待老炼器件的正极...

本发明公开了一种集成电路电阻网络调值装置，包括基板和多个调值板卡；基板上设置有调值连接端口、多个调值板卡插槽、一个调值控制单元和一个调值信号连接器。调值连接端口、调值板卡插槽和调值板卡的数量均一致，每个调值连接端口对应连接一个调值板卡插...

本发明公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面...

本发明公开了一种非气密三维叠层封装模块多层侧向互连结构及互连方法,属于先进电子封装技术领域。灌封体上的侧向互连引线等间距设置，以确保该侧面的互连引线布局均匀对称，从而能在灌封体侧面形成均匀对称的侧向互连引线截面点阵列，进而形成侧向互连引...

本发明属于微电子领域，涉及一种抗高过载的智能驱动微电路模块的封装方法。本发明方法在基板上进行混合微电路的再流焊。在含有混合微电路的基板背面进行裸芯片的粘接。进行裸芯片与基板的键合。采用环氧树脂对裸芯片进行局部灌胶封装，使用环氧树脂对智能...

本发明提供一种基于空间注意力的细粒度图像分类方法、系统、设备及介质，包括以下步骤：预设空间注意力模型，并通过空间注意力模型的大内核的卷积层将输入特征的空间关系编码为2D空间注意力图；通过多粒度融合模型将输入特征的不同粒度的特征进行融合，...

本发明涉及直流电机控制领域，公开了一种基于TMR传感器的电机驱动器及过流保护方法，通过将霍尔信号解码器的输出端连接至功率驱动单元的输入端，功率驱动单元的输出端连接至功率晶体管的输入端，功率晶体管的输出端包括N型功率MOSFET源极和漏极...

本发明公开了一种高集成综合电子系统的复杂辐射问题定位方法，属于综合电子系统电磁兼容测试技术领域，在先验信息的基础上通过微波暗室结合近场测试的方法可以更快速精准的进行问题定位，从而针对性的对产品的辐射源、耦合途径处理优化，能够起到事半功倍...

本发明涉及半导体封装技术领域，涉及一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法，包括TSV硅基板和埋置在硅基板正背面的若干芯片；TSV硅基基板内制备导电通孔，导电通孔与硅基衬底之间制备绝缘层；TSV通孔采用导电材料填充，TSV硅...

本发明公开了一种硅柱阵列、刻蚀方法和应用，在硅衬底片表面设置基于硅柱图形的二氧化硅硬掩膜；利用二氧化硅硬掩膜掩蔽，对硅衬底片进行单次硅刻蚀，单次硅刻蚀过程持续至刻蚀深度达到要求，硅衬底片表面形成硅柱；单次硅刻蚀的工艺参数为：刻蚀气体为S...

本发明公开了一种面向硬件接口的嵌入式测试软件构件库及其设计方法，包括文件系统、数据库系统及构件描述文件；所述文件系统，用于存储测试软件构件的源文件；其中，所述测试软件构件的源文件根据面向硬件接口的嵌入式测试软件构件模型开发得到；所述数据...

本发明属于遥感图像智能处理技术领域，涉及一种基于变化检测的遥感图像数据压缩方法，包含以下步骤：针对同一区域先后不同时刻获取的两幅遥感图像，利用孪生全卷积神经网络进行特征提取，生成两幅遥感图像的特征图；利用训练好的度量网络计算两幅特征图中...

本发明属于正交振荡器领域，公开了一种正交振荡器的自动增益控制电路，其特征在于，包括采样电路、积分误差放大电路以及调控电路，采样电路用于采样振荡电路的第二级运放U3的输出电压，并将所述输出电压进行半波整流，得到整流电压信号并发送至积分误差...