厦门云天半导体科技有限公司专利技术

厦门云天半导体科技有限公司共有68项专利

  • 本发明提出一种包含天线的芯片封装结构和方法,结构包括依次层叠的第一线路层、互连层和第二线路层,其中,第一线路层和第二线路层通过若干贯穿互连层的铜柱相连接,至少一层线路层中连接有天线单元。方法包括以下步骤:通过冲压铜板使其表面形成铜柱;在...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,特别涉及一种板级高功率器件系统级封装结构及其制作方法。封装结构至少包括散热板件、芯片、第一金属凸块、第二金属凸块、连接层、塑封层。芯片具有相对的功能面和非功能面,功能面设有第一焊盘、第二焊盘以及电连接第一焊...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,特别涉及一种集成无源器件的扇出封装结构及封装方法。扇出封装结构包括玻璃基板、重布线结构、金属柱、芯片、无源器件、若干散热柱、金属线路层。玻璃基板具有相对的第一表面和第二表面;金属柱自第一表面贯穿至第二表面;...
  • 本申请涉及一种Mosfet芯片的封装结构及制作方法,所述封装结构包括铜片,所述铜片上设置有芯片区域以及凸起区域,所述凸起区域位于芯片区域的四周;还包括Mosfet芯片,所述Mosfet芯片设置在芯片区域内,且Mosfet芯片的背面电极与...
  • 本发明提供了一种用于刻蚀晶锭以形成晶圆片的干法刻蚀设备,包括上下两个真空腔体、用于承载晶锭的基座、等离子激发单元、刻蚀气体发生单元、晶片承托装置和控制器。通过上下刻蚀气体同时刻蚀,提高生产效率,降低碳化硅晶圆片在刻蚀过程中发生脆性断裂;...
  • 本申请涉及一种芯片封装结构及制作方法,所述芯片封装结构包括依次设置的基板
  • 本发明提供一种封装结构及其制造方法,封装结构包括从下向上依次层叠的基板
  • 本发明涉及声学滤波器封装技术领域,特别涉及一种声学滤波器封装结构及其制造方法,该方法包括以下步骤:提供正面制作有若干个芯片功能区和若干个焊盘的滤波器晶圆;在滤波器晶圆上形成有光敏保护层;在滤波器晶圆上形成种子层,种子层包括位于第一区域上...
  • 本发明公开了一种基于硅与玻璃键合体的雾化芯结构及其制作方法,包括第一基材
  • 本发明公开一种集成射频前端模组的封装结构及封装方法,其中,封装方法包括采用硅片和含通槽的玻璃晶圆键合形成承载晶圆,可有效减少晶圆级封装过程中的翘曲问题,提高封装良率,同时通过硅片可增强整体模块的散热性能;通过多层钝化层和多层金属线路层叠...
  • 本发明提供一种微带线的垂直过渡结构和制造方法,该垂直过渡结构包括从上向下依次层叠的:第一介质基板,第一介质基板的下表面形成有第一沟槽,第一沟槽内填充有微带线,微带线包括相连的输入端和传输结构;键合层,键合层中开设有微孔;第二介质基板,第...
  • 本发明公开了一种波导缝隙阵列天线的封装结构及制作方法,该结构包括第一玻璃基板和第二玻璃基板,第一玻璃基板和第二玻璃基板上均设有若干个贯穿相对的第一表面和第二表面的异形孔,异形孔在贯穿方向上由至少两个不同直径的孔构成,并且相邻两个不同直径...
  • 本发明涉及滤波器技术领域,本发明提供一种加载枝节的玻璃基微带毫米波滤波器,其包括基板和位于基板上的输入带、输出带、第一谐振器、第二谐振器、第一开口环谐振器、第二开口环谐振器、第三开口环谐振器、第四开口环谐振器、第一枝节和第二枝节;输出带...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,特别涉及一种集成无源器件的扇出结构及封装方法,所述扇出结构包括至少一芯片和至少一重组无源器件,重组无源器件至少包括无源组件和至少一导电凸块;所述无源组件具有至少一焊垫;所述导电凸块设置在所述焊垫上,且与所述...
  • 本发明公开了一种具有空腔的芯片集成封装结构及其制作方法,属于半导体封装的技术领域。本发明对于具有空气桥功能区的芯片的封装采用双层膜方案,在有功能区芯片上构建空腔,并通过双层膜金属化形成互联结构和布线结构将功能区面信号引到背面,并在背面制...
  • 本发明提供了一种碳化硅晶锭分离的方法,夹持碳化硅晶锭以使得碳化硅晶锭的长度方向水平延伸;在碳化硅晶锭的圆柱表面上形成多个环绕圆柱表面的刻蚀阻挡图案,多个刻蚀阻挡图案之间分别具有间隔;用刻蚀气体同步进行刻蚀以使得形成多个单独的晶圆片。本发...
  • 本发明涉及晶圆级扇出封装技术领域,特别涉及一种玻璃转接板扇出封装结构及其制备方法。其中,一种玻璃转接板扇出封装结构,包括芯片,具有第一表面及与第一表面相对的第二表面,第一表面布置有第一焊盘;玻璃连接件,由一个或者若干个分离的玻璃块环绕芯...
  • 本发明公开了一种采用复合键合材料的多层玻璃基板及其制作工艺,其结构包括至少两层玻璃基板和之间的键合层;玻璃基板设有上下贯穿的通孔,键合层设有开孔,通孔和开孔填充金属导电材料连同表面布线层实现上下互连;其中,键合层由非光敏复合键合材料固化...
  • 本发明涉及半导体工艺制造技术领域,本发明提供一种高性能绝缘压电基板结构,其包括晶圆、标定结构和压电衬底,晶圆具有相对的上表面和下表面,标定结构包括位于晶圆上表面的膜层结构和从膜层结构向上延伸的至少一个凸台结构,压电衬底嵌在标定结构,压电...
  • 本发明涉及半导体加工技术领域,本发明提供一种含空腔射频模块的集成扇出封装结构的制备方法,其包括:形成集成带有空腔滤波器的扇出互连封装结构;形成重布线结构;再将扇出互连封装结构通过互连结构连接在重布线结构上。通过采取先单独形成扇出互连封装...