厦门乾照光电股份有限公司专利技术

厦门乾照光电股份有限公司共有241项专利

  • 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法,该方法包括:提供图形化的衬底;利用物理气相沉积工艺,在所述衬底表面形成的缓冲层,所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层;在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构,从而解决现有LED结构制作方法中...
  • 本申请本发明提供的主动发光彩色显示面板,包括阵列基板、集成式LED基板和彩膜层,由于本发明提供的主动发光彩色显示面板,直接由阵列基板控制每个子像素内的LED发射不同的光,且集成式LED基板上方仅设置彩膜层,从而使得LED发出的光透过的物...
  • 本申请提供一种LED芯片及其制作方法,所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层,透明导电层包括双层结构,分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层;其中,第一透明导电层和...
  • 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法,其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极,所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠,所述...
  • 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法,其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部,所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型...
  • 本发明提供了一种发光二极管及制作方法,通过在钝化层上形成多个通孔,电流从第一电极注入,经过通孔结构传至电流扩展层,以增加横向电流扩展。并且,通过形成电流扩展凹槽,且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形,以增大出光面,增加纵向电流扩展,进而提...
  • 本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法,所述Micro‑LED巨量转移方法,通过将阵列上的LED芯片分为两部分,且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,其中一部分的第一表面与第一转移基...
  • 本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法,其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层,其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层,每个所述量子阱...
  • 本发明公开了一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法,其中所述光阻烘烤方法包括步骤:首先以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层;其次,在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层,通...
  • 本发明公开了一发光二极管及其芯片和制造方法以及芯片的发光方法,其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层,其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞,...
  • 本发明公开半导体发光微显示器件,其外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大,透光导电层位于N‑GaN表面上,连接电极位于P‑GaN表面上,像素电极位于连接电极表面上,导电胶连接于透光导电层与像素电极之间。本发明还公开...
  • 一种发光二极管及其制备方法
    本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,其中,所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层,并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层,这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置,使得子导电层之间具有一定的高度差;另外,所述发光二极管...
  • 本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法,在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中,在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层,通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱...
  • 本发明公开了一种LED芯片及制作方法,该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域,而周边区域为高反射区域,进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域,进而明显增大了微LED芯片的发光角,以此改善由单个...
  • 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法,所述高压发光二极管包括:第一部分和第二部分,其中,第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结,通过隧穿结作用,第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层,再通过第一透明...
  • 本发明公开一种蓝绿发光二极管,包括有源区,该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成,该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明...
  • 本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法,所述制作方法在形成半蚀刻切割道时,采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道,由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道,从而能够减小切割道面积损...
  • 本申请提供的光刻胶监控方法,包括:提供一个晶圆、待监控光刻胶,待监控光刻胶和晶圆之间形成有蚀刻层,在一个晶圆的不同位置采用不同曝光能量对光刻胶进行曝光,显影、蚀刻,得到不同位置的不同蚀刻结果,不同蚀刻结果对应不同的曝光能量,从蚀刻结果确...
  • 本申请提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置,被动式驱动阵列LED显示面板,包括:阵列基板,阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线,第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素;每个子像素包括:衬底;位...
  • 一种LED芯片结构的制作方法
    本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法,通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层,合金完成后,以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层,该掺杂膜层相比...
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