厦门乾照光电股份有限公司专利技术

厦门乾照光电股份有限公司共有267项专利

  • 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法,其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所...
  • 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片,其中所述倒装芯片包括至少一反射层、至少一N型电极、至少一P型电极至少一分布式布拉格反射单元以及一外延单元,其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层,所述衬底、所述N型层、所述有源...
  • 本发明公开了一发光芯片及其制造方法和电流扩展方法,其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层,所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极,其中所述...
  • 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法,其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针...
  • 本发明公开了一LED发光芯片,其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所述N...
  • 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片,其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流...
  • 本实用新型公开了一半导体发光芯片,其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组,其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧,另一个所述绝缘层...
  • 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片和电流扩展方法,其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角,所述P型...
  • 本实用新型公开了一发光二极管及其芯片,其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层,其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞,一P型电极的一部分在穿过...
  • 本实用新型公开了一用于发光二极管的半导体芯片,其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极,其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层,所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P...
  • 本申请公开了一种LED的外延结构及其制作方法,该制作方法包括:提供一图形化的衬底,所述衬底具有一用于形成氮化物外延层的第一表面,所述第一表面具有平面区域以及凸起区域;形成覆盖所述第一表面的牺牲层;去除位于所述平面区域的所述牺牲层;形成覆...
  • 本发明提供了一种LED外延片的选片方法,包括:根据LED外延片的电流密度以及所需的LED芯片的电流密度得出波长k值;根据所述波长k值以及所述所需的LED芯片的波长范围得到所需的LED外延片波长范围;根据不同的波长标准差从多个LED外延片...
  • 本发明提供了一种封装组件,所述封装组件包括:发光二极管和封装基板;所述发光二极管包括第一焊盘;所述封装基板包括第二焊盘;所述发光二极管和所述封装基板之间通过所述第一焊盘和所述第二焊盘进行固定连接;所述第一焊盘和所述第二焊盘的数量相同,所...
  • 本发明公开了一发光芯片及其制造方法,其中所述发光芯片包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极,所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔,所述...
  • 本实用新型公开了一发光二极管的芯片,其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部,所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一...
  • 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片,其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极,所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠,所述倒装芯片...
  • 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置,该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨,去除第一区域的氧化物;对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附,去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质;利用海绵...
  • 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线,并反射所述...
  • 本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一...
  • 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法,通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层,作为Micro LED阵列器件的一个电极,从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进...
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页