厦门乾照光电股份有限公司专利技术

厦门乾照光电股份有限公司共有254项专利

  • 本发明公开了一发光芯片及其制造方法,其中所述发光芯片包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极,所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔,所述...
  • 本实用新型公开了一发光二极管的芯片,其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部,所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一...
  • 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片,其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极,所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠,所述倒装芯片...
  • 本发明公开了一种溅射靶材的清洁方法及清洁装置,该清洁方法包括利用海绵砂块的第一面对靶材的溅射面的第一区域进行第一次打磨,去除第一区域的氧化物;对第一次打磨过程中产生的打磨杂质进行第一静电吸附,去除第一次打磨过程中产生的打磨杂质;利用海绵...
  • 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的半透半反层;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述半透半反层用于透射所述发光层出射的部分光线,并反射所述...
  • 本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一...
  • 本申请提供的一种Micro LED阵列器件及其制作方法、巨量转移装置及转移方法,通过在Micro LED阵列器件的外延衬底上形成磁性纳米薄膜层,作为Micro LED阵列器件的一个电极,从而能够直接采用磁力对Micro LED阵列器件进...
  • 本发明公开了一倒装芯片的制造方法和反射层溅射方法,其中所述反射层溅射方法包括如下步骤:在一外延单元的一P型半导体层形成至少一反射层图形;以一射频电源向一电场形成部供电的方式藉由所述电场形成部形成电场于一靶材和所述P型半导体层之间;以及当...
  • 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片,其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极,其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层,所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半...
  • 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法,其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极,其中所述第一绝缘...
  • 本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层和制造方法,其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极,所述N型氮化镓层层叠于所述衬底,所述电流扩展层层叠于所述N型氮...
  • 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法,其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一粘结层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极,所述第...
  • 本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法,其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组,其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧,另一个所...
  • 本发明实施例公开了一种LED结构及其制作方法,该方法包括:提供图形化的衬底;利用物理气相沉积工艺,在所述衬底表面形成的缓冲层,所述缓冲层包括含氢的氮化铝缓冲层;在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成外延结构,从而解决现有LED结构制作方法中...
  • 本申请本发明提供的主动发光彩色显示面板,包括阵列基板、集成式LED基板和彩膜层,由于本发明提供的主动发光彩色显示面板,直接由阵列基板控制每个子像素内的LED发射不同的光,且集成式LED基板上方仅设置彩膜层,从而使得LED发出的光透过的物...
  • 本申请提供一种LED芯片及其制作方法,所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层,透明导电层包括双层结构,分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层;其中,第一透明导电层和...
  • 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法,其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极,所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠,所述...
  • 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法,其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部,所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型...
  • 本发明提供了一种发光二极管及制作方法,通过在钝化层上形成多个通孔,电流从第一电极注入,经过通孔结构传至电流扩展层,以增加横向电流扩展。并且,通过形成电流扩展凹槽,且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形,以增大出光面,增加纵向电流扩展,进而提...
  • 本申请公开一种Micro‑LED巨量转移方法、Micro‑LED显示装置及其制作方法,所述Micro‑LED巨量转移方法,通过将阵列上的LED芯片分为两部分,且LED芯片包括相对设置的第一表面和第二表面,其中一部分的第一表面与第一转移基...
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