厦门乾照光电股份有限公司专利技术

厦门乾照光电股份有限公司共有231项专利

  • 本发明公开半导体发光微显示器件,其外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大,透光导电层位于N‑GaN表面上,连接电极位于P‑GaN表面上,像素电极位于连接电极表面上,导电胶连接于透光导电层与像素电极之间。本发明还公开...
  • 一种发光二极管及其制备方法
    本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,其中,所述发光二极管的外延结构的第一型导电层包括至少两个子导电层,并且每两个子导电层之间还设置有电流阻挡层,这些子导电层和电流阻挡层堆叠设置,使得子导电层之间具有一定的高度差;另外,所述发光二极管...
  • 本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法,在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中,在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层,通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱...
  • 本发明公开了一种LED芯片及制作方法,该LED芯片通过不同的结构设计使LED芯片结构的中间区域为低反射区域,而周边区域为高反射区域,进而使微LED芯片发出的光更多的被集中于芯片周边区域,进而明显增大了微LED芯片的发光角,以此改善由单个...
  • 本申请提供一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法,所述高压发光二极管包括:第一部分和第二部分,其中,第二部分中的发光结构的顶部和底部均设置了隧穿结,通过隧穿结作用,第二部分与第一部分的同侧形成了不同类型的导电层,再通过第一透明...
  • 本发明公开一种蓝绿发光二极管,包括有源区,该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成,该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明...
  • 本申请提供一种GaAs系多结太阳能电池及其制作方法,所述制作方法在形成半蚀刻切割道时,采用电感耦合等离子体蚀刻工艺在太阳能电池外延片上形成半蚀刻切割道,由于利用感应耦合等离子干法蚀刻GaAs聚光太阳能电池切割道,从而能够减小切割道面积损...
  • 本申请提供的光刻胶监控方法,包括:提供一个晶圆、待监控光刻胶,待监控光刻胶和晶圆之间形成有蚀刻层,在一个晶圆的不同位置采用不同曝光能量对光刻胶进行曝光,显影、蚀刻,得到不同位置的不同蚀刻结果,不同蚀刻结果对应不同的曝光能量,从蚀刻结果确...
  • 本申请提供一种被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方法、显示装置,被动式驱动阵列LED显示面板,包括:阵列基板,阵列基板上包括交叉绝缘设置的第一型传输线和第二型传输线,第一型传输线和第二型传输线限定出多个子像素;每个子像素包括:衬底;位...
  • 一种LED芯片结构的制作方法
    本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法,通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层,合金完成后,以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层,该掺杂膜层相比...
  • 太阳能电池及其制作方法
    本发明公开太阳能电池,包括Ge底电池,生长于Ge底电池之上的下隧穿结,生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池,生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结,生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池,以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层,欧姆...
  • 一种垂直结构发光二极管及其制作方法
    本申请提供一种垂直结构发光二极管及其制作方法,所述制作方法包括:提供蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上直接形成LED外延结构,再通过在衬底背离LED外延结构的表面采用楔形刀切割形成楔形槽,使得第一电极能够直接形成在蓝宝石衬底上,并通过楔形槽与欧...
  • 一种发光二极管及其制备方法
    本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构,该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度,增加了其电子空穴波函数...
  • 一种LED芯片及其制作方法
    本发明提供了一种LED芯片及其制作方法,包括:衬底、外延结构、透明导电层、钝化保护层、第一电极和第二电极;透明导电层具有至少一个第一通孔;钝化保护层具有至少一个第二通孔,第二通孔与第一通孔在垂直于衬底的方向上无交叠;第一电极通过贯穿钝化...
  • 一种异常LED芯粒的挑除方法及挑除系统
    本申请公开了一种异常LED芯粒的挑除方法及挑除系统,其中,所述异常LED芯粒的挑除方法利用UV失粘膜的紫外曝光后失去粘性的特点实现对异常LED芯粒的挑除,并且无需额外开设机台,对原有的光电性能测试设备进行改进即可,无需使用红墨水对异常L...
  • 一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片
    本发明提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片,反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成,第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区,使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导...
  • 一种发光二极管及其制备方法
    本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,其中,通过所述发光二极管制备方法制备的发光二极管通过在衬底上设置的台阶,使得相邻台阶上形成的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层可以至少部分接触,从而可以通过后续形成的透明导电层实...
  • 一种Si衬底发光二极管及制作方法
    本发明公开了一种Si衬底发光二极管及制作方法,该制作方法包括:提供一衬底;在衬底上形成SiN缓冲层;在SiN缓冲层背离衬底的一侧形成SiN与AlN混合渐变层;在SiN与AlN混合渐变层背离SiN缓冲层的一侧形成AlN缓冲层;在AlN缓冲...
  • 一种提升LED性能的LED制备方法以及LED芯片
    本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片,制备方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层,图形化欧姆接触层为GaxIn(1‑x)N材质;在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层;其中,电流扩...
  • 一种发光二极管及其制作方法
    本申请提供一种发光二极管及其制作方法,本申请提供的发光二极管制作方法,一方面,钝化层位于第二金属电极与透明导电层之间,并采用钝化层上制作过孔,使得第二金属电极与透明导电层之间通过第二金属电极手指下方的钝化层上的过孔进行电性连接,使得电流...
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