厦门乾照光电股份有限公司专利技术

厦门乾照光电股份有限公司共有504项专利

  • 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,其可通过腐蚀或刻蚀的方法实现所述导电衬底的分割,或者采用图形化电镀的方法直接沉积相互分割所述导电衬底,以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此,在后续制备出子半导体单元阵列后,无需再进行切割和...
  • 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法,其中,通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层;其中,防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺,以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此,在后续制备出子半导体单元阵列后,无需再进行切割和劈裂,进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、...
  • 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,通过设置所述有源层包括通过隧穿结串联的若干个量子阱结构,所述隧穿结包括沿第一方向依次堆叠的P型高掺半导体层、中间层以及N型高掺半导体层,所述P型高掺半导体层与所述N型高掺半导体层作为形成隧穿结...
  • 本实用新型提供了一种
  • 本发明提供一种红光
  • 本发明提供一种垂直结构
  • 本发明提供了一种垂直结构
  • 本实用新型提供了一种
  • 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片,在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜,使光线被反射后从LED芯片的上表面取出,有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率;同时,通过嵌入所述集成金属层,在制作集...
  • 本发明提供了一种
  • 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法,通过:在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层;其中,所述介质层具有若干个通孔,且在所述通孔内设有第一欧姆接触层;所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接...
  • 本发明提供了一种氮化镓系半导体激光器及其制作方法,包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、第一型波导层、有源区、第二型波导层以及P型半导体层;其中,在所述第二型波导层与P型半导体层之间还设有AlN插入层和空穴补充层,所述AlN插...
  • 本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法,通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽,凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后,在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层,并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化,形成较低的接...
  • 本发明提供一种LED芯片及其制作方法,其中LED芯片包括:金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构,其中,金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构,用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区;金属反射结构为多层的复合反...
  • 本实用新型提供一种抗静电的垂直结构LED芯片,通过设置非故意掺杂层,减少垂直结构LED芯片的晶格失配,并利用其具有高电阻及背景载流子的特性,由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道,用于垂直结构L...
  • 本实用新型提供了一种LED晶圆、转移基板以及显示装置,通过在所述衬底背离所述LED芯粒的一侧表面设有垫高层,进一步地,所述垫高层环绕设置于所述晶圆的边缘。在后续转移过程中,将所述LED晶圆与所述转移基板对位键合时,所述垫高层用于缓解所述...
  • 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法,通过灰度掩膜光刻板对所述外延叠层进行曝光、显影、蚀刻,同步形成若干个隔离槽及若干个对应设置的凹槽和发光台面,以获得通过所述隔离槽相互间隔排布的若干个子外延叠层,且所述凹槽和发光台面对应设置于各所述...
  • 本实用新型提供一种Mini
  • 本实用新型提供了一种LED芯片,通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计,使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接,进一步地,所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极,如此实现了LED芯片在发...
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