本实用新型公开了半导体焊接保护治具，涉及半导体封装技术领域，包括底板，所述底板上端安装有立板，所述底板上端安装有垫块，所述立板前端安装有两个呈左右对称布置的侧板，两个所述侧板相互远离的一端均设置有夹持机构，所述夹持机构延伸至侧板内侧，所...

本实用新型涉及半导体测试技术领域，且公开了一种半导体测试设备，包括探针台以及设置在探针台顶部的两个探针检测头，所述探针台的顶部转动连接有放置圆板，所述探针台的顶部固定连接有两个呈左右对称设置的固定板，右侧固定板的右侧固定安装有步进电机

本实用新型公开了一种半导体芯片的放置设备，包括收纳仓，收纳仓内部安装有收纳槽，收纳槽包括槽体，安装在槽体内的分隔板，以及设置在分隔板侧面的横挡板，在收纳仓内部相邻的两处槽体侧面设置有对应的凸块和凹槽，使两处槽体能够互相限位，使槽体在单独...

本实用新型公开了一种半导体测试机校准装置，包括测试平台，限位板，支撑架，限位底座，调节杆，以及卡锁；通过设置在测试机内的测试平台承接待检测的半导体元件，通过调节杆带动支撑架抬升，并且使限位板从测试平台上的开孔中伸出，使限位板包裹在待测半...

本实用新型涉及芯片加工技术领域，且公开了一种芯片加工用打标机，包括机座、设置在机座顶部的激光打标头，以及设置在机座的顶部的显示器，所述机座的顶部固定连接有放置台板，所述放置台板的顶部转动连接有芯片放置圆板，所述芯片放置圆板的顶部开设有呈...

本实用新型公开了一种半导体封装基板，其技术方案要点是：包括半导体封装基板，所述半导体封装基板的底面设置有绝缘层，所述绝缘层的底面设置有导热板，固定组件，所述固定组件设置在所述半导体封装基板的顶面，对所述半导体封装基板、所述绝缘层和所述导...

本实用新型公开了一种载具，其技术方案要点是：包括载物盘，所述载物盘的底面设置有固定管；下料组件，所述下料组件设置在所述载物盘的顶面，用于将所述载物盘上的晶圆取下，通过设置的载物盘和活动块相互配合，使得活动块的顶面与晶圆的底面接触，通过设...

本发明提供的一种芯片制备方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：采用N型单晶硅作为制备材料，在N型单晶硅上定义并制备基区、发射区和集电极区；进行沟槽蚀刻与沟槽绝缘材料填充，形成位于发射区和集电极区之间的绝缘沟槽；在发射区上形成第一透...

本实用新型提供的一种光耦器件，属于半导体技术领域，包括LED发光芯片、光敏接收芯片和透光粘结层；LED发光芯片的发光面和光敏接收芯片的接收面通过透光粘结层连接。将LED发光芯片的发光面直接通过透光粘结层固定在光敏接收芯片的接收面上，最大...

本发明属于光电开关芯片加工技术领域，具体的说是一种光电开关芯片的制备设备及方法，该光电开关芯片的制备设备包括壳体、液压单元、电机和夹持单元；所述壳体内顶部固连有喷淋单元，且壳体内底部中心位置固连有夹持单元，夹持单元上安装有硅片；所述壳体...

本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种MOS管，包括N型硅片，N型硅片底部设有漏极，N型硅片顶部第一P阱，第一P阱内第一N扩散区，N型硅片顶部还设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有控制源极，控...

本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅，包括N型硅片，N型硅片底部设有P型扩散层，P型扩散层底部电连接阳极电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩...

本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的BJT，包括N型硅片，N型硅片底部设有集电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘...

本实用新型所公开的一种整流二极管，包括N+衬底层、叠加在N+衬底层上的N‑漂移层和掺杂在N‑漂移层上的P型沟道层，P型沟道层上通过掺杂若干个N+电荷隔离存储层后在N+电荷隔离存储层下方形成电荷存储区。其通过在P型沟道层中掺杂N+电荷隔离...

本实用新型公开了一种集成高压电阻的VDMOS器件结构，第二漏极和栅极之间、或第二漏极与源极之间通过多晶电阻连接，多晶电阻设置在绝缘层内，多晶电阻两端包覆有铝，本实用新型的优点在于：本实用新型在VDMOS芯片终端的高压区，通过螺旋形的多晶...

本实用新型包括封装外壳，包括封装外壳，封装外壳内设有集电区、基区和发射区，集电区引出集电电极，基区引出基区电极，发射区引出发射电极，封装外壳包括柱体、上按压盖和下按压盖，所述基区位于柱体的中部，集电区和发射区分别位于柱体的两侧，上按压盖...

本实用新型提供了一种整流桥芯片结构，包括衬底和分别设置在衬底上的第一整流阱区及第二整流阱区，第一整流阱区内和第二整流阱区内分别通过隐埋层构成两个二极管，通过第一整流阱区和第二整流阱区内的二极管相互配合构成整流桥，每个整流阱区内通过对构成...

本实用新型包括封装外壳，所述封装外壳内设有集电区、基区和发射区，所述封装外壳顶部和两侧均开设有穿孔，所述集电区向上引出集电电极，所述基区向上引出基区电极，所述发射区均向上引出发射电极，所述基区电极通过封装外壳顶部的穿孔穿出，所述封装外壳...

本实用新型包括封装外壳、位于封装外壳内的衬底，衬底顶部两侧的封装外壳上均设置有侧绝缘体，所述衬底顶部中心设有中心绝缘体，衬底上设有两个耗尽层，两个所述耗尽层之通过沟道连通，位于所述耗尽层顶部、位于所述中心绝缘体顶部和衬底底部均设置有电极...

本实用新型公开了一种散热良好的功率晶体管，包括绝缘安装板以及均设置在绝缘安装板上的功率晶体管芯片和引脚，功率晶体管芯片和引脚电连接，散热良好的功率晶体管还包括罩设在绝缘安装板外的散热架，散热架由两个散热架单元拼接而成，散热架单元由多个散...