武汉新芯集成电路制造有限公司专利技术

武汉新芯集成电路制造有限公司共有1498项专利

  • 本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法,半导体测试结构包括测试结构,测试结构包括衬底、位于所述衬底表面一侧的介质层、至少形成于所述衬底中的第一通孔、以及形成于所述介质层中的导电层,所述第一通孔周围的衬底和所述导电层分别作为电容结构...
  • 本申请提供一种半导体器件及其操作方法以及存储系统,所述半导体器件包括用以产生振荡时钟信号的振荡器电路;用以根据所述振荡时钟信号产生输出电压的电荷泵;用以检测所述输出电压而产生振荡通行信号的电荷泵反馈电路;以及,用以根据所述振荡通行信号,...
  • 本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件,制造方法包括:提供半导体基材,包括衬底和多个栅极结构,多个栅极结构的一部分位于存储区域,每个栅极结构在第一方向上的两侧的衬底中分别设置源极和漏极;存储区域包括源引出区域;在半导体基材上覆盖第...
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件包括:SOI衬底,包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层;浅沟槽隔离结构,形成于所述半导体层中,所述浅沟槽隔离结构所包围的半导体层为有源区;体区,形成于所述有源区中;深阱,形成于...
  • 本申请提供一种半导体组件、半导体器件及布线模块。该半导体组件包括:半导体元件,具有多个引脚;布线模块,贴附在所述半导体元件上,用于实现与所述多个引脚中的至少一个引脚电连接,并将所述至少一个引脚引至预设位置。该半导体组件在进行不同的封装打...
  • 本发明提供一种键合装置及键合方法,键合装置包括:光阑平面设置有波前编码元件的上视镜头和下视镜头,以获取第一待键合体的第一编码图像和标定片的第三编码图像以及获取第二待键合体的第二编码图像和标定片的第四编码图像;图像处理单元,用于将第一编码...
  • 本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件,制造方法包括:提供半导体基材,半导体基材包括衬底和多个栅极结构,多个栅极结构的一部分位于存储区域,每个栅极结构在第一方向上的两侧的衬底中分别设置源极和漏极;在半导体基材上覆盖第一层间介质层,...
  • 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法,通过将信号网络层(Signal Network Layer)形成于第一基底、将电力输送网络层(Power Delivery Network,PDN)形成于第二基底,在不同基底上分...
  • 本技术提供了一种气体加热装置及物理气相沉积设备,所述物理气相沉积设备包括腔室、管路及气体加热装置,所述管路与所述腔室连通,所述气体加热装置用于对所述管路中的气体间断加热,以使得所述管路向所述腔室中通入冷热交替的气体。本技术的技术方案能够...
  • 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;在所述半导体衬底中形成第一隔离结构;在所述半导体衬底中形成器件结构;形成第一接触结构和第二接触结构,所述第一接触...
  • 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法,信号网络层自基底的第一表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接,以提供信号;电力输送网络层自基底的第二表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接,以提供电源,可以从所述器件结构的两侧以...
  • 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法,先在半导体衬底中形成埋入式电源轨,接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成器件结构,再接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成连接结构以及信号网络层,在所述半导体衬底的第一表面侧形成电力...
  • 本申请公开了一种存储器及擦除方法,该擦除方法通过先接收擦除指令,再判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件,然后响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式,可以根据该擦除错误位在该擦除错误地址对应的存储空间上再执行擦除模式,能够更成功地擦...
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供半导体基体,半导体基体包括第一钝化层、设于第一钝化层上的第一金属层以及第二钝化层,第二钝化层覆盖第一金属层,且第二钝化层具有第一开口,第一开口露出第一金属层的至少部分;在第二钝化层...
  • 本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片,该灵敏放大器包括数据线、第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管、以及容性模块,通过数据线、第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管、以及容性模块搭建起来的架构,在应用于小存储阵列的情况...
  • 本申请提供一种立体图像传感模块及图像传感器。该立体图像传感模块包括:半导体基体和多个栅极结构;半导体基体沿高度方向延伸,其中,所述半导体基体的顶面作为感光面;多个栅极结构沿所述高度方向分别设置在所述半导体基体的外侧,其中,多个所述栅极结...
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法,该半导体器件包括:半导体衬底具有相背的正面和背面;正面深沟槽隔离结构从半导体衬底的正面向半导体衬底的内部延伸;背面深沟槽隔离结构从半导体衬底的背面向半导体衬底的内部延伸,每个背面深沟槽隔离结构分别与...
  • 本申请公开了一种存储器及过擦除校正操作方法,该操作方法通过先对存储器执行过擦除校验,然后对存在过擦除的一存储区域执行过擦除校正,再停止过擦除校验,不仅在读取操作之前对存在过擦除的一存储区域进行了过擦除校正,避免了漏电导致的误读;而且仅对...
  • 本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。所述CMOS图像传感器中,形成于基底上的LOFIC电容耦接至所述基底中的浮置扩散区,可用于选择性地增大所述浮置扩散区节点的电容容量,所述LOFIC电容的下极板覆盖于第一层间介质层中的贯通孔内...
  • 本申请提供一种半导体器件及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括依次层叠的底部半导体层、埋氧层和顶部半导体层;在所述半导体衬底的隔离区域中形成第一连通孔和空气孔,所述第一连通孔和所述空气孔贯穿至所述底...
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页