本发明涉及带有金属化孔的覆铜板

本发明涉及一种加成法制作封装电路的工艺和封装电路。加成法制作封装电路的工艺包括以下步骤：(a)在绝缘材料(10)的表面上，覆盖带有电路负像的光刻胶(14)；(b)在所述绝缘材料(10)的未被所述光刻胶(14)覆盖的暴露区域中，通过PVD...

本发明涉及一种微波器件的制造设备和制造方法。微波器件的制造设备(1)包括：夹具(10，10')，所述夹具(10，10')包括能够围绕第一轴线(A1)旋转的基座(11)、以及能够围绕第二轴线(A2)摆动的托架(12)，所述托架(12)连接...

本发明涉及三维电路的制作方法，包括：通过PVD离子镀，在绝缘材料外壳(10)的表面(11)上形成金属打底层(21)；利用三维激光设备在表面(11)上的图形区域(12)与非图形区域(13)之间照射激光，以去除边界处的金属打底层(21)而形...

本发明涉及一种真空处理装置(1)，包括：上料系统(10)，构造成将基材(100)送入真空处理装置(1)中；设置在真空腔体(C)内的离子源系统(20)，包括前处理模块、离子注入模块(22)、多弧离子镀沉积模块(23)以及磁控溅射模块(24...

本发明涉及一种微波介质陶瓷器件及其制造方法。微波介质陶瓷器件(1)包括：陶瓷基材(10)，其具有通槽(11)和/或凹槽(12)；和金属层(20)，其形成于陶瓷基材(10)的表面(13)、槽底(14)和槽壁(15)上，其中，金属层(20)...

本实用新型涉及电镀线及其治具和挂具。一种电镀线(40)，用于对带有盲孔的多面体器件(10)进行电镀，该电镀线(40)包括：用于水洗槽的治具(20)，其包括多个带有网格(22)的夹板(21)、和用于夹持夹板(21)的边缘的夹扣(23)，并...

本发明涉及制作高频天线封装基板的加成法工艺和AiP封装天线结构。具体而言，公开了一种用于制作高频天线封装基板或器件的加成法工艺，包括：在绝缘基材的表面上局部丝印覆盖材料；对覆盖材料的表面和未经覆盖的绝缘基材的表面进行离子注入金属化以形成...

本实用新型涉及一种LCP单层或多层板天线，以及一种LCP多层板天线，该LCP多层板天线依次由金属线路层、LCP层、金属线路层、LCP层、金属线路层……中间LCP单层板、LCP层、金属线路层、LCP层、金属线路层……LCP层、金属线路层组...

本发明涉及热沉复合材料电镀处理方法及其制品。具体地，一种用于处理热沉复合材料基材以提高其电镀结合力的方法，包括提供带有金属氧化层的耐腐蚀金属基材；通过离子注入在所述耐腐蚀金属基材的表面上注入第一金属离子以形成离子注入过渡层；以及通过电镀...

本申请提供一种具有离子注入层的有机发光二极管(OLED)。在本申请的OLED中，在离子注入层上后续沉积的层结构更致密，具有极少的针孔数，使得本申请的OLED在发光效率和结合力方面优于现有OLED。

本发明涉及LCP基挠性覆铜板的制造方法及其制品。具体而言，公开了一种制造LCP基挠性覆铜板的方法，包括提供LCP基材并对LCP基材进行霍尔离子源前处理；通过离子注入在LCP基材的表面内一定深度范围形成离子注入层；进行等离子体沉积以在离子...

本实用新型涉及电容和埋电容电路板。该电容包括：高介电常数聚合物复合材料层；离子注入层，该离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及金属层，其形成并覆盖于该离子注入层上。

本实用新型涉及一种混压高频微波基板，包括基底基材；高频基材，其混压至该基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入该混压基材的表面下方，其中，该离子注入层的注入材料与该混压基材形成稳定的掺杂结构，该掺杂结构在该混压基材的...

本发明涉及覆铜板及其制造方法。具体而言，公开了一种利用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对其进行前处理；通过离子注入在基材上注入第一金属离子以在基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的基材进行...

本实用新型涉及一种挠性基板。该挠性基板(10)包括：有机高分子薄膜(20)；导电籽晶层(30)，该导电籽晶层(30)包括位于有机高分子薄膜的表面(22)下方的离子注入层(32)、以及附着于该离子注入层(32)上的等离子体沉积层(34)；...

本实用新型涉及包括硅通孔的芯片。一种芯片包括硅晶片和设置于硅晶片中的通孔，在通孔的孔壁上从内到外依次覆盖有由绝缘材料组成的绝缘层、扩散阻挡层、籽晶层和导体层，其中扩散阻挡层包括由绝缘材料和第一注入材料组成的第一离子注入层、以及紧邻籽晶层...

本实用新型涉及一种PPE基板。该PPE基板(10)包括：PPE基材(20)；离子注入层(32)，其位于PPE基材(20)的表面(22)下方；以及等离子体沉积层(34)，其位于离子注入层(32)的上方。

本发明涉及电容、埋电容电路板及其制造方法。该电容包括：高介电常数聚合物复合材料层；离子注入层，该离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及金属层，其形成并覆盖于该离子注入层上。

本实用新型提供一种透明导电结构，旨在解决现有技术中的透明导电结构的结合力不高的问题。该透明导电结构包括透明基板，其具有第一表面和相对的第二表面。该透明导电结构还包括第一网格结构和第一透明绝缘层，该第一网格结构位于该透明基板上，该第一透明...