一种半导体的堆栈门及其制造方法，此方法先在基底上依序形成一门介电层、一多晶硅层与一硅化金属层，之后，再将其图案化，以形成一堆栈结构。随后，进行一氧化程序，以在堆栈结构的表面上依序形成一阻障层与一氧化硅层。之后，在基底上形成一间隙壁材料层...

本发明是关于一种ｐ通道电荷捕捉记忆元件的编程与擦除方法，其中记忆元件包括一ｎ型基底与形成于其上的数个记忆单元，每一记忆单元对应一字线、一第一位线与一第二位线，且记忆单元包含用来各储存一个位信息的第一位部位与第二位部位。这种方法包括藉由供...

本发明涉及一种快闪内存的穿隧氮氧化物结构及形成该结构的方法，一含氮结构形成在半导体基板上，并经氧化，该氧化物结构中的氮重新分配形成一氮集中区域，氧化该结构及重新分配氮是藉自由基氧化施行。添加氮至该氧化物结构中，该氮集中区域有助于调整添加...

本发明涉及一种具有紫外线阻绝层的半导体组件及其制造方法，通过在基板上设置一具有足够阻绝紫外线的硅浓度与氧浓度比的富含硅的氧化物层作为紫外线阻绝层，而能够从半导体中阻绝紫外线电磁辐射，紫外线电磁辐射例如由等离子体工艺所产生的紫外线辐射，可...

一种具有二位元浮置闸极记忆胞的元件的制造方法，首先提供一基底，且在基底上的记忆胞区中形成一复合电荷储存膜层。接着，在复合电荷储存膜层上形成一保护衬里材料层。其中，记忆胞区更包括在基底中的埋入式扩散区上形成氧化元件，以及在复合电荷储存膜层...

本发明是关于一种金氧半导体电晶体以及记忆体元件的制造方法。该金氧半导体电晶体的制造方法是先在基板上形成图案化膜层，以定义出欲形成源极／汲极区的位置。接着在图案化膜层所暴露出的基底上形成多个区域氧化结构，以定义出通道区的位置。然后移除图案...

本发明是有关于一种集成电路装置。具有电荷陷入层的集成电路装置存储有数种偏压排列方式用以改变存储装置的阈值电压，并通过改变阈值电压的高低来记录数字讯号－０或１。传统的存储装置中，在经过多次循环降低及升高阈值电压后，会造成电荷陷入层中的电荷...

本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及在其内制造电容器的方法。先提供一半导体基底。接着，形成至少一个浅沟渠隔离结构。然后，形成穿隧氧化层。之后，沉积第一多晶硅层。继之，在第一多晶硅层上沉积氮化硅层。之后，沉积第一光阻层。接着，图案化与...

一种于存储单元中识别逻辑信息的方法，尤其是一种单边读取架构的通过热空穴注入氮化物电子储存层以程序化（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ　　ｂｙ　　ｈｏｔ　　ｈｏｌｅ　　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎｎｉｔｒｉｄｅ　　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　ｓｔｏｒａｇｅ，ＰＨＩＮ...

本发明是关于一种静电放电保护电路，其是与一输入垫电性连接，该静电放电保护电路包括：一二极管，配置在一基底中，且此二极管是与上述的输入垫电性连接；一Ｐ型深井区，位于基底中；一Ｎ型井区，位于Ｐ型深井区中；一第一Ｐ＋掺杂区，位于Ｎ型井区中，且...

一种定义集成电路中最小节距使超越光学微影制程分辨率的方法，其是在制程中利用聚合物边衬、非感光聚合物填塞及聚合物屏蔽控制目标层被定义的节距，使得该目标层的最小节距超越光学微影制程的分辨率。应用在制造存储器时，该方法并且可以同时解决存储数组...

本发明是关于一种预测保养日期的方法以及仪器。该预测保养日期的方法，包括下列步骤：获得一个或多个参数的探测值和应保养值之间的差值，判断差值是否接近预设的应保养值。如果任何一个差值超过其相应的预设值，则该方法进一步包括执行或推荐开始保养的步...

本发明是有关于一种电荷捕捉记忆元件的制造方法。此结构有一硅基底与两个接面。在两个接面之间的基底上有一栅氧化层ＧＯＸ，且在ＧＯＸ上有一多晶硅栅极。而且，硅基底上有一底氧化层ＢＯＸ，且沿着多晶硅栅极之底部与侧壁形成有一共形的顶氧化层ＴＯＸ。...

本发明是有关于一种多重闸极记忆胞，包括半导体主体、多数个闸极，这些闸极串联排列在半导体主体上。在半导体主体上的电荷储存结构包括位于多数个闸极中的闸极下方的电荷捕捉区域。第一电路系统，用以传导源极偏压与汲极偏压至记忆胞列中第一闸极附近与最...

一种多重闸极记忆胞的阵列，此阵列包括多数个区段。这些区段包括多重闸极记忆胞的至少一列。多重闸极记忆胞包括一半导体主体与多数个闸极，这些闸极串联排列在半导体主体上。位于半导体主体上的电荷储存结构包括位于上述闸极的一些或全部中的每一个下方的...

本发明是有关于一种多重闸极记忆胞的制作方法，此多重闸极记忆胞包括一半导体主体与多数个串联排列的闸极。形成多数个第一闸极，这些第一闸极间隔一闸极宽度。于闸极的侧壁上形成介电层。将第一闸极之间填满，以形成多数个第二闸极。在多数个闸极中全部或...

一种多重闸极记忆胞，此多重闸极记忆胞包括一与半导体主体上多数个串联排列的闸极。半导体主体上的电荷储存结构包括二个电荷捕捉区域，此二个电荷捕捉区域位于多数个闸极中全部或一些闸极的每一个下方。还包括传导源极偏压与汲极偏压至靠近闸极列中第一闸...

本发明是有关于一种电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法。该存储器包括半导体主体、多数个栅极，这些栅极串联排列在半导体主体上。在半导体主体上的电荷存储结构包括位于多数个栅极中的栅极下方的电荷捕捉区域。第一回路系统，用以传导源极偏压...

一种记忆胞，包括一硫属化物随机存取记忆胞以及一互补式金氧半导体晶体管电路。互补式金氧半导体晶体管电路用以存取硫属化物随机存取记忆胞。此硫属化物随机存取记忆胞具有一横截面区域，此横截面区域由一薄膜制程，及一等向性蚀刻制程所定义。可根据需要...

一种横向双扩散金属氧化物半导体ＬＤＭＯＳ元件及其加工方法。ＬＤＭＯＳ元件具有基底，基底中形成有源极区与漏极区。在源极与漏极区之间的一部分基底上提供了一个绝缘层，以便在绝缘层与基底表面之间提供一个平面介面。然后在绝缘层的一部分之上形成绝缘...