瓦里安半导体设备公司专利技术

瓦里安半导体设备公司共有415项专利

  • 本发明公开一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法,所述方法使用的处理系统具有辅助等离子源,所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基,所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着,离子束用于提供...
  • 一种用于控制前驱物流的设备和方法。所述设备可包括:处理器;以及存储器单元,耦合至所述处理器,包括通量控制常式。所述通量控制常式可在所述处理器上运行以监测所述前驱物流且可包括通量计算处理器,所述通量计算处理器用以基于自用以递送前驱物的气体...
  • 一种离子植入机系统设备及离子植入方法,所述离子植入机系统设备包括离子束产生器,产生离子束;扫描系统,接收所述离子束并产生经扫描束;以及电极,接收所述经扫描束。所述电极的至少一部分垂直于所述经扫描束的传播方向。所述电极的垂直于所述经扫描束...
  • 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言,公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模,所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目...
  • 一种图案化的方法。所述方法可包括:在衬底上提供层,所述层具有多个孔;以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔,所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力,其中所述特征可分...
  • 本公开提供一种离子植入系统及其方法。离子植入系统可包括:离子源,产生离子束;衬底平台,设置在离子源的下游;减速级,包括使离子束偏转的组件,减速级设置在离子源与衬底平台之间;以及气体来源,气体来源直接耦合到所述减速级以向所述减速级提供氢气...
  • 本发明提供一种离子注入系统,包含:离子源;以及聚束器,从离子源接收连续离子束并输出聚束式离子束。聚束器可包含漂移管组件,漂移管组件具有交替顺序的接地漂移管和交流电漂移管。漂移管组件可包含:第一接地漂移管,布置成接收连续离子束;至少两个交...
  • 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括:等离子体室,具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线;以及射频天线,邻近等离子体室内的等离子体,其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板,...
  • 本发明公开一种具有用于容纳固态掺杂物材料的可插入式靶容纳器的离子源。可插入式靶容纳器包括腔囊或空腔,固态掺杂物材料设置在所述腔囊或空腔中。固态掺杂物材料在熔化时保持含纳在腔囊内,因此不会使电弧腔室损坏或劣化。另外,靶容纳器可从其中腔囊至...
  • 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中,所述离子源是间接加热式阴极离子源,所述间接加热式阴极离子源包括腔室,所述腔室具有多个导电壁,所述间接加热式阴极离子源具有阴极,所述阴极电连接到所述离子源的...
  • 在一个实施例中,提供一种用于萃取多个离子束的离子萃取光学器件。所述离子萃取光学器件可包括萃取板,所述萃取板界定切口区域,所述切口区域沿第一方向伸长。所述萃取装置可包括可滑动插入件,所述可滑动插入件被设置成与所述切口区域重叠,且能够相对于...
  • 本发明公开一种半导体处理设备,其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中,离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。
  • 本发明公开一种用于减少馈入气体在进入离子源腔室的气体管上的堵塞及沉积的系统。为降低气体管的整体温度,在离子源腔室与气体管之间设置由隔热材料制成的气体衬套。气体衬套由例如钛、石英、氮化硼、氧化锆或陶瓷等隔热材料制成。气体衬套具有与离子源腔...
  • 一种装置可包括:第一接地漂移管,被布置成接受连续离子束;至少两个交流漂移管,在第一接地漂移管下游串联布置;以及第二接地漂移管,位于至少两个交流漂移管下游。所述装置可包括交流电压装配件,电耦合到至少两个交流漂移管。所述交流电压装配件可包括...
  • 本发明公开一种脉冲干扰监测系统。脉冲干扰监测系统容许从一个或多个通道俘获电压及电流数据。另外,还可俘获在脉冲干扰之前出现的电压及电流数据以供进一步分析。数据量可为数千或数百万个字节。另外,可对脉冲干扰的包括上阈值、下阈值及持续时间在内的...
  • 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中,一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅,其中所述光栅包括多个成角构件,所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一...
  • 本发明提供一种方法。所述方法可包括提供衬底,衬底包括衬底表面,衬底表面具有三维形状。所述方法还可包括将沉积物种从沉积源引导到衬底表面,其中层沉积在衬底表面的沉积区上。所述方法可包括在进行引导期间或在进行引导之后实行衬底扫描,以将衬底从第...
  • 公开了光栅构件及形成方法。在一些实施例中,一种方法包括在衬底顶部提供蚀刻终止层;以及在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层。所述方法还可包括在所述光栅层之上提供图案化掩模层;以及对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所...
  • 本发明公开一种具有辅助等离子源的系统,所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基,所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着,离子束用于提供能量,使得所述离子及自由基可处理工件。此外,还公开所述系统...
  • 本申请揭露一种工件固持加热设备,其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板,边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式,可在压板的外边缘供应额外热量,从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘...
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