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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
一种贵金属纳米粒子的形貌重构的方法技术
本发明公开一种贵金属纳米粒子的形貌重构的方法。所述方法包括步骤:提供三角板结构贵金属纳米粒子溶液;将所述三角板结构贵金属纳米粒子溶液与含有卤素离子的溶液混合,进行氧化处理,得到重构后的贵金属纳米粒子。本发明利用卤素离子配位和氧化反应协同...
一种量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,方法包括:提供阴极;在阴极上形成量子点发光层;在量子点发光层远离阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层;在第一过渡金属氧化物层远离量子点发光层的一侧形成石墨烯层;采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离第...
一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管技术
本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管,所述量子点包括:Cd
复合衬底和柔性显示屏制造技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种复合衬底和柔性显示屏。本发明提供的复合衬底,包括:结构单元,结构单元包括:柔性衬底以及设置在所述柔性衬底上的无机材料层;柔性衬底上设置有第一凹凸结构,且第一凹凸结构设置在柔性衬底与无机材料层相接的表面...
复合衬底和柔性显示屏制造技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种复合衬底和柔性显示屏。本发明提供的复合衬底,包括:结构单元,结构单元包括:柔性衬底以及设置在所述柔性衬底上的金属层;所述柔性衬底上设置有第一凹凸结构,且所述第一凹凸结构设置在所述柔性衬底与所述金属层相...
发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法,包括:将氧化铟锌前驱体沉积在基质上,形成氧化铟锌前驱体薄膜;采用红外激光照射氧化铟锌前驱体薄膜,进行退火处理,形成氧化铟锌薄膜;采用紫外激光照射氧化铟锌薄...
一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管技术
本发明公开一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管,所述复合材料包括:氯化钠晶体、嵌于所述氯化钠晶体矩阵中的量子点。本发明中,量子点嵌于氯化钠晶体矩阵中后,可以有效防止量子点之间团聚的发生,从而得到量子点均匀分散、高稳定性的量子点与氯...
一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管技术
本发明公开一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管。所述复合材料的制备方法包括步骤:提供量子点溶液,其中量子点的表面结合有第一配体,所述第一配体为含羧基的有机配体;提供分散有第二配体的配体溶液,其中第二配体为聚苯胺,所述配体溶液的溶剂...
复合材料及其制备方法、发光二极管和制备方法技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光二极管和制备方法。本发明提供的复合材料的制备方法,包括:提供金属前驱体、硫前驱体、阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂;将金属前驱体、硫前驱体、阳离子表面活性剂和非离子表面活性...
一种人脸图像三维重建方法、存储介质及终端设备技术
本发明公开了一种人脸图像三维重建方法、存储介质及终端设备,所述方法,采用人脸重建模型确定待处理人脸图像的人脸参数,再根据得到的人脸参数生成三维人脸图像,人脸重建模型为基于训练样本集训练得到,训练样本集中每组训练样本组均包括人脸图像以及真...
一种复合纳米粒子及其制备方法与应用技术
本发明公开一种复合纳米粒子及其制备方法与应用,方法包括步骤:提供含有贵金属纳米粒子的溶液,所述贵金属纳米粒子的表面吸附有所述贵金属纳米粒子的前驱体;向水溶性邻苯二酚类染料分子的溶液中加入碱性溶液,得到含有邻苯二酚类H-聚集体的混合液;将...
一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法技术
本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法,所述复合材料的制备方法包括:提供黑磷量子点;将所述黑磷量子点与含有ZnO纳米颗粒的溶液混合,使所述黑磷量子点与ZnO纳米颗粒结合,得到复合材料。本发明采用黑磷量子点与氧化锌组装形成异...
一种荧光热敏复合量子点材料及其制备方法与环境温度监测LED技术
本发明公开了一种荧光热敏复合量子点材料及其制备方法与环境温度监测LED,其中,所述荧光热敏复合量子点材料包括上转换荧光纳米材料以及结合在上转换荧光纳米材料上的量子点材料,量子点材料包括红光量子点、绿光量子点以及蓝光量子点,上转换荧光纳米...
发光二极管及其制备方法技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的制备方法,包括:将金属化合物前驱体沉积在基质上,形成金属化合物前驱体薄膜;采用红外激光照射金属化合物前驱体薄膜,进行退火处理,形成电子传输层。解决了现有电子传输层的...
监测量子点壳层生长厚度的方法及量子点技术
本发明属于量子点技术领域,尤其涉及一种监测量子点壳层生长厚度的方法,包括以下步骤:根据与待测量子点的晶核成分相同的量子点晶核标准品,测定所述量子点晶核标准品的紫外可见吸收光谱,确定第一激子吸收峰的吸收值为OD1和x波长处的吸收值为OD
量子点薄膜、量子点发光二极管制造技术
本发明提供了一种量子点薄膜,包括最高占据分子轨道能级各不相同的第一量子点、第二量子点...以及第N量子点,N为大于或等于2的自然数。本发明提供的量子点薄膜,能有效促进载流子在混合量子点形成的量子点薄膜中的复合,提高载流子的复合率,进而提...
一种神经网络处理方法、加速器及存储介质技术
本发明公开了一种神经网络处理方法、加速器及存储介质,所述神经网络处理方法包括:读取片外存储器中的压缩数据,并将所述压缩数据写入输入缓存器中进行缓存;当缓存完成时,将所述压缩数据发送至计算算子进行相应的运算,得到稠密数据;将所述稠密数据进...
墨水及其制备方法、量子点发光二极管技术
本发明提供了一种墨水,包括至少一种无机纳米材料,至少一种有机溶剂,以及至少一种含钛有机物。本发明提供的墨水,能够调节无机纳米复合材料特别是油溶性无机纳米复合材料的极性,进而提高无机纳米复合材料和其他材料的界面性能。界面性能。界面性能。
复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管技术
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法和应用、量子点发光二极管。所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述n型金属氧化物纳米颗粒之间的立方烷类化合物;其中,所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合...
组合物及其制备方法和发光二极管技术
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种组合物及其制备方法和发光二极管。本发明提供的组合物包括:量子点10%-30%、两性离子表面活性剂1%-3%、非离子表面活性剂1%-3%、增溶剂0%-3%、添加剂0%-5%和溶剂56%-87%。具有良好...
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