TCL集团股份有限公司专利技术

TCL集团股份有限公司共有2544项专利

  • 本发明公开一种BZO玻璃及制备方法、QLED器件及制备方法,方法包括步骤:步骤A、制作BZO玻璃;步骤B、采用酸溶液对BZO玻璃中的BZO薄膜进行腐蚀;步骤C、对经步骤B处理后的BZO玻璃进行切割,得到所需尺寸的BZO玻璃。本发明采用化...
  • 本发明公开一种MoSx及制备方法、QLED器件及制备方法,方法包括步骤:将(NH4)2MoS4和油胺、十八烯、油酸中的一种或多种混合,然后对混合后的溶液通入惰性气体,接着将溶液升温到80‑120℃后搅拌5‑15min;继续对溶液进行加热...
  • 本发明公开一种可提高出光效率的电极结构、QLED及制备方法,所述电极结构包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及沉积于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。本发明的电极结构,在具有凹槽的透明电极上引...
  • 本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法,其中,所述器件包括中间设置有凹槽的玻璃衬底,所述凹槽的底面、侧面及玻璃衬底的上表面均设置有底电极层,所述凹槽侧面及玻璃衬底上表面的底电极层上均设置有一绝缘层,所述凹槽底面的底电极层上依次设...
  • 本发明公开一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法,其中,所述器件包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极,所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面,在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延...
  • 本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法,所述器件依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极,其特征在于,所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。本发明通过在电子传输层和量子点发光...
  • 本发明公开核苷酸包覆的水溶性钙钛矿量子点、制备方法及检测方法,其中,制备方法包括步骤:A、将钙钛矿量子点溶于非极性溶剂中,得到钙钛矿量子点溶液;B、在超声状态下,将核苷酸溶液加入到钙钛矿量子点溶液中,再搅拌一段时间;C、待钙钛矿量子点沉...
  • 本实用新型涉及遥控设备技术领域,提供一种多功能组合式遥控器,包括遥控器主体以及设于遥控器主体上的多个功能按键,多个功能按键包括确认键,多个功能按键还包括与所述遥控器主体可拆卸连接的分离式按键,确认键位于分离式按键中部且所述分离式按键可相...
  • 本发明公开油溶性量子点转化为水溶性量子点的方法与提纯方法,方法包括:取油溶性量子点溶解在有机溶剂中,制得油溶性量子点溶液;取巯基甘醇单甲醚溶解在水中并超声搅拌至完全溶解,制得巯基甘醇单甲醚溶液;在巯基甘醇单甲醚溶液中加入油溶性量子点溶液...
  • 本发明公开了一种建立语义图像分割的个性化知识库的方法及系统,所述方法包括:从用户中获得查询图像;执行一交互式分割处理以确定所述查询图像中一感兴趣对象的至少一个轮廓;确定在地图图像中与所述感兴趣对象的至少一个轮廓有最大重叠区域的路线;生成...
  • 本发明公开一种量子点油墨及其制备方法,按重量百分比计,包括如下组分:量子点:0.01‑40.0%;所述量子点包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽...
  • 本发明公开一种量子点薄膜及其制备方法,按重量百分比计,包括如下组分:量子点:0.01‑40.0%;所述量子点包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽...
  • 本发明公开一种纳米材料、制备方法及半导体器件,其中,所述纳米材料包括N个在径向方向上依次排布的纳米结构单元,其中N≥2;所述纳米结构单元包括A1和A2类型,所述A1类型为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构;所述A2类型为径向方向上越向...
  • 本发明公开了一种反置底发射QLED器件及其制备方法,其中,所述反置底发射QLED器件包括依次叠层设置的衬底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及反射阳极,所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成,所述量子点...
  • 本发明公开一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件,所述合金纳米材料包含N个在径向方向上依次排布的合金纳米结构单元,其中N≥2;所述合金纳米结构单元包括A1和A2类型,所述A1类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;所述A2...
  • 本发明公开了一种正置顶发射QLED器件及其制备方法,其中,所述正置顶发射QLED器件包括依次叠层设置的衬底、反射阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及透明阴极,所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成,所述量子点...
  • 本发明公开了一种正置底发射QLED器件及其制备方法,其中,所述正置底发射QLED器件包括依次叠层设置的衬底、透明阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及反射阴极,所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成,所述量子点...
  • 本发明公开了一种反置顶发射QLED器件及其制备方法,其中,所述反置顶发射QLED器件包括依次叠层设置的衬底、反射阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及透明阳极,所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成,所述量子点...
  • 本发明公开一种量子点组成及其制备方法,包括量子点和介质,所述量子点包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。本发明选用上述量子点...
  • 本发明公开一种量子点探测器及制备方法,所述量子点探测器依次包括:导电衬底、空穴注入层、量子点活性层、电子传输层和顶电极;所述量子点活性层的材料为量子点材料,其包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,所述量子点结构单元为径向方向...
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