本发明揭露一种微扫瞄镜，包含一基板、一环状结构及一镜面结构。该基板具有一中空区域与一第一转轴。该环状结构设置于该基板的该中空区域内，且包覆该镜面结构。该镜面结构具有一第二转轴，该第二转轴连接于该环状结构。该环状结构包含至少一第一边、至少...

一种光相位调变模块及包含该光相位调变模块的投影机。该光相位调变模块包含一具电光效应的透明薄膜、数个第一上电极、数个第二上电极以及数个下电极。该具电光效应的透明薄膜具有一上表面及一下表面。所述第一上电极形成于该上表面上。所述第二上电极形成...

本发明关于一种封装结构及制作此封装结构的一封装方法。封装结构包含一上盖晶圆、一元件晶圆及一接合材。上盖晶圆具有一光学元件，且上盖晶圆的一表面具有一高低差，此高低差大于20微米。接合材具有一宽度并连续地环绕该光学元件而设置于上盖晶圆及元件...

一种梳状电极结构，包括多个第一梳状齿、多个第二梳状齿以及一第一强化齿。第一梳状齿与第二梳状齿彼此间隔交错。第一强化齿位于第一梳状齿的最外侧，并与此些第一梳状齿电性连接。在一实施例中，第一强化齿的宽度大于第一梳状齿的宽度。在另一实施例中，...

一种线性扫描结构，包括一扭转件、一扫描镜以及多条光栅条纹。扫描镜连接扭转件，扫描镜可于一预定角度内进行往复式振动。光栅条纹形成于扫描镜上，用以接收一激光光束并使激光光束产生绕射而生成数个绕射光束。

一种扫描组件结构，包括一基板、一镜面组件层以及一孔状补强层。基板具有相对的一第一侧以及一第二侧。镜面组件层配置于第一侧。孔状补强层相对于镜面组件层配置于第二侧。该结构可以解决强度不足及变形的问题，并可在轻量化变形补强的设计下，维持良好的...

本发明提供一种微机电装置及应用于一微机电装置的复合基材。微机电装置包含一第一硅结构层及一第二硅结构层，第二硅结构层固定地连接第一硅结构层。第一硅结构层具有一可扭转的杆件及一第一平面，并定义有一第一晶格方向及一第二晶格方向，第一晶格方向的...

本发明公开了一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。本发明的发光二极管芯片封装结构使用半导体基板作为封装基板，因此可增加散热性，且本发明的发光二极管芯片封装结构利用平坦结构使发光二极管芯片与封装基板具有约略平整表面，因此可设置平面状的图...

本发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法。本发明的发光二极管封装结构可使用感光材料形成荧光胶体或荧光层，因此可利用半导体工艺进行荧光胶体或荧光层的批次制造。另外，由于本发明可利用曝光暨显影工艺形成的光线穿孔或激光列印工艺，精确且简...

一种扭转式微机电元件，其包含支持结构、平板主体，以及至少二扭转轴连接该平板主体与该支持结构，该平板主体包含主动区域以及非主动区域，且该非主动区域设有多个牺牲件，若该扭转式微机电元件的共振频率较产品所需的标准共振频率低时，可移除部分的牺牲...

本发明公开了一种调整扭转式微机电元件共振频率的方法。首先提供一扭转式微机电元件，接着对该扭转式微机电元件进行一共振频率检测，以获知该扭转式微机电元件的一实际共振频率，若该扭转式微机电元件的该实际共振频率高于一标准共振频率时，则固定至少一...

本发明包括一种超合金微型加热器，其包含基底、设于该基底的正面的绝缘层、设于该绝缘层之上的图案化的加热电阻以及设于该加热电阻之上的接触电极，其中该加热电阻由超合金材料构成，具有耐腐蚀、高电阻、升温快以及耐高温等优点，可大幅提升该超合金微型...

一种制作微机械动件与其金属内连线的方法。首先于一基底上依序利用镀膜工艺一第一金属内连线图案与堆叠于其上的一第二金属内连线图案。接着形成一内金属介电层，并平坦化该内金属介电层直至暴露出该第二金属内连线图案。最后利用镀膜技术于该内金属介电层...

本发明公开了一种制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法。所述方法包括：提供基底，并在基底的正面形成多个沟槽。接着在沟槽的内壁与基底的正面形成热氧化层并填满沟槽。之后在热氧化层上形成第一结构层，且在第一结构层中注入掺杂，再在第...

本发明公开了一种制作电容式麦克风元件的振膜的方法。所述方法包括：提供基底，在该基底的第一表面形成介电层。接着在该介电层的表面形成多个硅间隙物。随后图案化该介电层，使该介电层形成多个介电凸块，再在该介电凸块上形成振膜层，并通过所述介电凸块...

提供一基底，并于该基底的一第一表面形成一介电层。接着于该介电层的表面形成多个硅间隙物。随后于所述硅间隙物与该介电层的表面形成一振膜层。之后于该振膜层上形成一平坦层，并蚀刻该基底的一第二表面，以形成多个对应于位于该介电层的表面的该振膜层的...

本发明公开了一种制作微型连接器的方法。提供晶片，在其第一表面形成一介电层。将介电层固定于承载晶片，并进行薄化工艺。将其第二表面固定于承载晶片，并在介电层上形成导线图案。在介电层与导线图案上形成绝缘层，去除部分绝缘层暴露出导线图案，并去除...

本发明公开了一种形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法。该方法首先提供晶片，并在该晶片的正面形成电路布局，其中该电路布局包含有至少一个第一压阻器件布局和至少一个第二压阻器件布局，且该第一压阻器件布局与该第二压阻器件布局分别包含有多个第一...

本发明公开了一种进行双面工艺的方法。首先，提供一晶片，且该晶片的正面包含有一结构图案。接着在该结构图案上界定多条正面切割道，再在该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶片接合，并在该晶片的背面界定多条背面切割...

本发明公开了一种晶片级封装和切割的方法。所述方法首先提供包含多个腔体的封装晶片，并形成多条未贯穿该封装晶片的沟槽于所述腔体间。接着将该封装晶片与元件晶片接合，并使各所述腔体与该元件晶片分别形成气密视窗。随后进行切割工艺，并移除该封装晶片...