本发明提供一种单位增益缓冲电路结构包含一第一运算放大器与一第二运算放大器。第一运算放大器包含一第一正输入端、一第一负输入端与一第一输出端。第二运算放大器包含一第二正输入端、一第二负输入端与一第二输出端。第一正输入端接收一输入电压。第一输...

本发明公开一种集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路，主动式静电放电保护电路包含一开关单元及一静电检知单元，该开关单元跨接于一电子熔丝元件上，且具有一控制端；该静电检知单元连接至该开关单元的控制端，以控制该开关单元的导通或不导...

本发明提供一种触控装置的省电扫描方法，首先是利用一控制器将一计时器的正常模式扫描时间缩短至一省电模式扫描时间。接着利用计数器在省电模式扫描时间内计算振荡波形而获得一省电模式振荡次数。然后是利用控制器将省电模式振荡次数转换成一L‑n位数的...

本发明公开了一种高静电放电耐受力的静电保护元件布局结构，包含有多个相互并联的NMOS晶体管，且该些并联的NMOS晶体管构成一隔离型NMOS多指型半导体布局结构；其中该隔离型NMOS多指型半导体布局结构的中间区域是掺杂高能量P型植入离子浓...

本发明涉及一种高压静电保护电路及其低压源极触发静电电流放电电路，该低压源极触发静电电流放电电路由多个低压基板隔离型晶体管串联而成，其串联后总击穿电压可适用于高压系统电源；各低压基板隔离型晶体管的源极与该高压静电保护电路的开关电路连接，而...

一种用于防水的触控系统，触控系统中，电路板设有一开设有多个配置区域的导通板体。多个触控垫位于电路板而分别设置于该些配置区域，并与导通板体相隔绝。控制芯片中，多任务模块电性连接于该些触控垫。振荡控制模块依据一扫描时序轮流性地导通多任务模块...

本发明公开了一种静电放电保护电路及其静电放电保护的深次微米半导体元件，该深次微米半导体元件的一漏极所对应的浓掺杂区与其相邻的淡掺杂区交界处向外推开，使其交界处与最近的一栅极绝缘层侧壁保持一间隔，而不与栅极绝缘层侧壁切齐；如此，深次微米半...

本发明公开了一种集成电路及其具自我静电保护的输出缓冲器布局结构，该集成电路包含多个输出缓冲器，各该输出缓冲器包含有一标准金氧半(metal－oxide－semiconductor；MOS)元件区域及一静电防护增强型MOS元件区域；其中，...

本发明公开一种电压准位移位电路，包含一操作于一第一系统电源之最高准位电压至第一低准位电压之间的电压箝位单元、一耦接至该第一系统电源的第二低准位电压的限流电路，以及一耦接于该电压箝位单元及该限流电路的单一功率开关晶体管，该第一低准位电压高...

本发明公开一种电压准位移位电路，包含一操作于一第一系统电源的最高准位电压至第一低准位电压之间的电压箝位单元、一耦接于该电压箝位单元及该第一系统电源的第二低准位电压之间的单一功率开关晶体管，以及一通过一开关单元连接至单一功率开关晶体管栅极...

本发明公开了一种集成电路的输出级电路，包含二相串接的上开关单元及下开关单元，其串接节点为一输出端；该上开关单元包含二个对接的P型晶体管元件，该下开关单元包含有相互串接的二N型晶体管元件。该二串接的N型晶体管元件的自体二极管构成二个串接的...

一种集成电路装置，其包含有一集成电路与一静电防护装置，该集成电路包含有一基板、一核心与一电力网，该电力网包含有电源电极、内接地电极与外封环，该核心形成在该基板并位于该内接地电极内侧，该电源电极位于该两接地电极之间，该静电防护装置包含有多...

本发明公开一种突波保护电路，包含有一电源输入端，一第一晶体管、一非门、一与门、一第一电位转换器、一基极控制单元及一电源输出端；本发明通过该非门及该与门构成的逻辑电路控制该基极控制单元，在没有突波电压时，该第一晶体管的基极电连接至该第一晶...

本发明一种具自身静电防护功能的输出缓冲电路，包含一输出缓冲器、一静电放电触发电路及一高速单向导通开关元件；其中该静电放电触发电路于检知一静电电压后，自其信号输出端输出一触发信号至一高速单向导通开关元件，令该高速单向导通开关元件导通；由于...

一种集成电路及其具自我静电保护的输出缓冲器，该集成电路包含多个输出缓冲器，多个输出缓冲器连接至多个输出接垫与内部集成电路单元之间，各该输出缓冲器包含：一标准MOS元件区域，包含有多个第一MOS元件，各该第一MOS元件的栅极区共同连接至该...

一种集成电路的连接垫静电防护元件，该集成电路包含有一基板与形成在基板上方的连接垫，该静电防护元件包含有一静电放电结构与多个上下间隔排列的导电层，该静电放电结构形成于该基板内部且位于该连接垫的下方，该多个导电层形成于该基板上方，并位于该静...

本发明涉及一种可提升面板调光效能的控制装置及方法，其包括一调光控制器、一升压电路、一比较电路以及一发光阵列模块；其中，该调光控制器的信号输出端分别与该升压电路及该比较电路连接，该升压电路又分别与该比较电路及该发光阵列模块的信号输入、输出...

本发明公开了一种用于静电防护的半导体结构，其中，半导体结构设置于集成电路上，该集成电路包含设置于该集成电路的外围的封环，金属环设置于该封环的内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的一侧，该半导体结构包含第一N型电极区，第二N型电极区，以及第...

本发明公开了一种半导体结构包含一个P型井，形成在一个P型基底上；一个第一N型电极区，形成在该P型井的中心区域上；一个第一绝缘区，形成在该P型井上，且环绕该第一N型电极区；一个第二N型电极区，形成在该P型井上，且环绕该第一绝缘区；一个第二...

本发明为一种可快速切换栅极电位的输出缓冲器及其静电防护电路，其中该输出缓冲器包括一异常电位检测单元、一栅极电位切换单元及一输出缓冲单元；其中该输出缓冲单元通过该异常电位检测单元及该栅极电位切换单元与一集成电路内部电路的对应信号端连接，并...