部分实施例提供一种加工设备。加工设备包括具有一气体出口的一加工腔。加工设备还包括一泵。泵与气体出口连通并配置通过气体出口从加工腔排出气体。加工设备还包括一交叠模块。交叠模块包括多个支撑元件和多个内部通气板。多个支撑元件沿一纵轴方向配置，...

本发明提供一种静态随机存取存储器装置，静态随机存取存储器装置包括电压输入端、电平移位器、存储器单元以及读出放大器。电压输入端被配置成接收处于第一电压电平的第一信号的电压输入端。电平移位器连接到电压输入端以接收第一信号，且电平移位器的输出...

提供一种倍缩掩模固持工具，包括外壳，外壳包括上外壳构件以及侧向外壳构件。侧向外壳构件从上外壳构件延伸，且在一下边缘终止。倍缩掩模固持工具还包括定位于外壳中的倍缩掩模吸座，且倍缩掩模吸座配置以固定倍缩掩模。倍缩掩模固持工具亦包括气体输送总...

本公开部分实施例提供一种在一微影曝光制程中产生光的方法及光源。上述方法包括利用一燃料标靶产生器产生多个标靶。上述方法还包括测量标靶的一者通过在一移动路径上的两个检测位置的一时间。上述方法也包括利用一激光产生器激发一标靶，以产生发出光的等...

本公开部分实施例提供一种加工一半导体晶圆的方法。上述方法包括自一介面工具传送半导体晶圆至一化学机械研磨工具。上述方法还包括在化学机械研磨工具中研磨半导体晶圆。上述方法还包括自化学机械研磨工具将半导体晶圆传送回介面工具。另外，上述方法包括...

本揭露公开一种物理不可克隆功能(PUF)产生器。PUF产生器包括：PUF单元阵列，包括多个位单元，各个位单元中包括至少两个预充电晶体管、至少一个启用晶体管及至少两个存储节点，其中至少两个存储节点通过至少两个预充电晶体管中相应的预充电晶体...

在一种制造用于半导体制程的光罩的方法中，获取当中排列有多个图案的光罩图案布局，并且这些图案会被转换为具有多个节点及多个连接线的图形。在N为等于或大于3的整数的情况下，决定多个节点是否能被N种颜色着色，且同时不会使由一连接线连接的邻近多个...

本公开提供一种集成电路制造方法。此方法包括接收一集成电路设计布局；对集成电路设计布局执行一光学邻近校正(OPC)程序，以产生一校正后的集成电路设计布局；以及使用一机器学习演算法验证校正后的集成电路设计布局。光学邻近校正后验证包括使用机器...

一种集成电路，包含具有第一高度的第一行，其中第一单元位于具有第一高度的第一行中。集成电路进一步包含具有第二高度的第二行，其中第一高度不是第二高度的整数倍数。第二单元位于具有第二高度的第二行中。

一种物理不可克隆功能发生器包括多个物理不可克隆功能单元，其中多个物理不可克隆功能单元中的每一个包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中第一MOS晶体管的源极在动态节点处连接到第二MOS晶体管的漏极，第一MOS晶体管的漏极耦接到第一总...

本揭示揭露一种监控制造设施的环境及安全的监控方法及监控系统。在一实施方式中，监控方法包含：将自动化物料搬运系统(AMHS)载具由第一位置运输至第二位置，以及使用位于AMHS载具上的至少一感测器侦测至少一参数，以判断第一位置及第二位置间的...

一种光刻胶显影剂，包含具有25

极紫外线成像工具的液滴产生器包括熔化的金属的贮槽、及具有连接至贮槽的第一末端及相对的第二末端的喷嘴，此相对的第二末端为熔化的金属液滴从喷嘴排出之处。进气口连接至喷嘴，且隔离阀位于喷嘴的第二末端，此隔离阀配置以将喷嘴与周遭隔离。

本公开实施例提供一种光刻方法。上述方法包括放置具有多个曝光场域的一半导体晶圆在一晶圆平台上方。上述方法还包括投射一极紫外光在半导体晶圆上。上述方法还包括在极紫外光投射至半导体晶圆的第一群曝光场域的同时，通过施加一第一调控电压至晶圆平台的...

一种控制激发激光的装置和方法，该方法包括在液滴检测器处检测在第一位置由第一辐射源照射的一给定标靶液滴散射的辐射的第一信号。控制激发激光的方法还包括在液滴检测器处检测在相距第一位置一固定距离的第二位置由第二辐射源照射的所述给定标靶液滴散射...

本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中，基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域...

本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气...

一种光刻胶图案的形成方法，包括在形成于基底上的光刻胶层上形成保护层，且将光刻胶层选择性地曝光于光化辐射。将光刻胶层显影，以在光刻胶层中形成图案，以及去除保护层。保护层包含具有多个氟碳侧基的聚合物。

在一种制造光刻用掩模的方法中，获取电路图案数据；根据电路图案数据计算图案密度，其中图案密度是每预定区域的总图案区域；为图案密度低于临界密度的区域产生虚拟图案数据；根据电路图案数据及虚拟图案数据产生掩模绘图数据；根据掩模绘图数据，以电子束...

提供光掩模及其制造方法。光掩模包含掩模基底、反射式多层膜、盖层以及吸收复合结构。掩模基底具有前侧表面和后侧表面。反射式多层膜设置于掩模基底的前侧表面之上。盖层设置于反射式多层膜之上。吸收复合结构设置于盖层之上。吸收复合结构包含第一吸收层...