台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有7603项专利

  • 本发明公开一种电流平衡电路。所述电路包括:电流感测前端,感测来自多个开关调节器中的每一者的输出信号;以及电流传感器,接收所感测的输出信号并将所感测的输出信号转换成感测电流信号。所述电流平衡电路还包括:电流平均电路,接收所感测的输出信号并...
  • 本发明的实施例提供了磁性随机存取存储器及其制造方法。磁性随机存取存储器的存储单元包括设置在第一金属层与第二金属层之间的多层。多层中的至少一层包括从由铱层、铱层和氧化铱层的双层结构、铱‑钛氮化物层、铱层和钽层的双层结构、以及铱和钽的二元合...
  • 本发明是半导体结构。鳍状场效晶体管装置的外延结构包括基板、具有两个鳍状物的鳍状结构、沿着鳍状物的侧壁形成的内侧鳍状物间隔物与外侧鳍状物间隔物、以及形成于鳍状物周围的隔离区。鳍状场效晶体管装置亦包含栅极结构形成于鳍状结构上,以及外延结构形...
  • 一种包括磁性随机存取存储器的半导体装置。磁性随机存取存储器包括多个磁性随机存取存储器单元。多个磁性随机存取存储器单元包括第一类型磁性随机存取存储器单元及第二类型磁性随机存取存储器单元。每个磁性随机存取存储器单元中包括磁性隧道结层,磁性隧...
  • 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置,其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔...
  • 本发明实施例提供一种互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法。互补金属氧化物半导体传感器包括半导体衬底、介电层、互连、接合垫以及虚设图案。半导体衬底具有像素区和电路区。介电层被所述电路区中的所述半导体衬底环绕。互连设置在所述电路区中的所述...
  • 一种影像感测装置,包含半导体基材、辐射感测元件、元件层和沟渠隔离。半导体基材具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。辐射感测元件设置于半导体基材的光感测区中且从半导体基材的前侧表面延伸出,此辐射感测元件包含带隙能量小于1.77电子伏特的...
  • 提供图像传感装置的形成方法,包括形成第一沟槽于半导体基板中。半导体基板具有正面与背面,且第一沟槽自正面延伸至半导体基板中。方法包括形成第一隔离结构于第一沟槽中。方法包括形成光传感区于半导体基板中。第一隔离结构围绕光传感区。方法包括形成第...
  • 一种中介层衬底制造为具有位于邻近的区域之间的划线区域。在一个实施例中,利用单独的曝光中间掩模以图案化划线区域。曝光中间掩模以图案化划线区域将形成曝光区域,其重叠并悬置该曝光区域用于形成邻近的区域。本发明实施例涉及半导体器件和制造方法。
  • 提供半导体装置的结构和形成方法。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的第一介电层。半导体装置结构也包含在第一介电层中的导电部件和在第一介电层上的第二介电层。半导体装置结构还包含电性连接至导电部件的电阻元件。电阻元件的第一部分在第...
  • 提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包含半导体基底及在半导体基底上的第一电阻元件和第二电阻元件。半导体装置结构亦包含电性连接至第一电阻元件的第一导电部件和电性连接至第二电阻元件的第二导电部件。半导体装置结构还包含围绕第一导电部件和第二...
  • 本发明实施例提供一种封装结构。所述封装结构包括至少一个半导体芯片、绝缘包封体及重布线路结构。半导体芯片具有有源表面及分布在有源表面上的多个连接垫。绝缘包封体包封半导体芯片。重布线路结构设置在半导体芯片上且具有至少一个金属化层,所述至少一...
  • 本发明的实施例公开了鳍式场效应晶体管器件以及用于调整鳍式场效应晶体管器件的阈值电压的方法。示例性方法包括在第一栅极结构中形成第一开口,并且在第二栅极结构中形成第二开口。第一栅极结构设置在第一鳍结构上方,并且第二栅极结构设置在第二鳍结构上...
  • 一种方法包括提供具有导电柱的衬底、位于导电柱上方的介电层和位于介电层上方的多个牺牲块,从顶视图中多个牺牲块围绕导电柱;沉积覆盖多个牺牲块的牺牲层,牺牲层具有正位于导电柱之上的凹槽;在牺牲层上方沉积硬掩模层;从凹槽的底部去除硬掩模层的部分...
  • 一种半导体结构以及用于制作半导体结构的方法。所述方法包含:接纳包含第一区和第二区的衬底;形成图案化硬掩模,所述图案化硬掩模包含暴露所述第一区的部分的第一开口和暴露所述第二区的部分的第二开口;在所述第一区中形成第一沟槽且在所述第二区中形成...
  • 一种用于存放多个晶片载体的存储器包含框架、多个匣挡止件、多个椼架部件和多个分隔件。所述框架包含多个存储单元。多个存储单元中的每一个包含用于承载多个晶片载体中的一个的承载板。匣挡止件竖立在多个承载板中的每一个的边缘上。多个椼架部件跨越多个...
  • 在用于制造或分析半导体晶圆的装置的操作方法中,在所述装置的操作期间检测所述装置的处理室中的声音。通过信号处理器来获取与检测到的声音相对应的电信号。通过所述信号处理器来处理所获取的电信号。基于所处理的电信号来检测所述装置的操作期间的事件。...
  • 本公开提供处理腔室、半导体制造设备以及其校正方法。该半导体制造设备,包含一处理腔室、一影像撷取装置以及一控制装置。处理腔室包含有一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体元件。校正器是连接于承载台,其中校正器具有多个指标。影像撷取装...
  • 一种制造半导体结构的方法包含分别在半导体基板的第一和第二区域提供金属栅极结构,利用两步骤的蚀刻制程同时裁切金属栅极结构以分别在第一和第二区域内形成第一和第二沟槽,以及利用绝缘材料填充每一沟槽以形成第一和第二栅极隔离结构。两步骤的蚀刻制程...
  • 在一种制造光掩模的方法中,在掩模坯之上形成光刻胶层,所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光...
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页