台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有14644项专利

  • 一种半导体装置及记忆体装置,半导体装置包含排列在一基材上的多个铁电记忆体单元。铁电记忆体单元的每一者包含:沿着第一侧向方向延伸且具有中心部分及一对侧部部分的第一导电结构,侧部部分分别自中心部分沿着垂直于第一侧向方向的第二侧向方向向外延伸...
  • 本揭露论述了半导体装置的制造方法。在一实施例中,一种制造一半导体装置的方法包括:在一基板之上由一第一材料形成多个第一纳米结构;在该基板之上由不同于该第一材料的一第二材料形成多个第二纳米结构,其中所述多个第一纳米结构及所述多个第二纳米结构...
  • 本技术实施例涉及一种后驱动器结构及用于后驱动器的校准电路系统。在一个实施例中,一种后驱动器结构包含:驱动单元,其包含上拉驱动器及下拉驱动器;垫,其经连接到外部电阻;及输出节点,其经连接于所述上拉驱动器与所述下拉驱动器之间,所述输出节点经...
  • 本技术实施例涉及工具排气系统。工具排气系统包括:第一气体洗涤器,所述第一气体洗涤器包含:入口,其在操作中接收来自半导体处理工具的排气;杂质洗涤单元,其包含填充材料区段及施配器区段,所述杂质洗涤单元在操作中将洗涤流体从所述施配器区段施配到...
  • 提供一种半导体元件结构。结构包含内连接结构、第一导电特征、介电层及第二导电特征,其中内连接结构是设置于基材上,第一导电特征是设置于内连接结构中,介电层是设置于内连接结构上,且第二导电特征具有顶部分及底部分。顶部分是设置于介电层上,且底部...
  • 本技术实施例涉及具有石墨烯‑金属混合式互连件的集成电路。石墨烯的材料性质可用于提高集成电路中互连件的性能。避开涉及将石墨烯沉积到铜表面上的挑战的一种方式是将石墨烯并入到块状金属层中以产生混合式金属/石墨烯互连结构。可产生此混合式结构替代...
  • 半导体结构与组装,可包括中介层,其包含多个中介层上凸块结构;至少一半导体晶粒,经由多个第一焊料材料部分接合至第一组的中介层上凸块结构;至少一间隔物晶粒,经由多个第二焊料材料部分接合至第二组的中介层上凸块结构;以及成型化合物晶粒框,横向围...
  • 提供一种集成电路且该集成电路包括:一第一导电型的一第一主动区域,该第一主动区域耦接至一第一电压端子且对应于包括在一位准移位器电路的一反相器中的一第一晶体管的一第一端子及一第二晶体管的一第一端子,其中该第一晶体管用以使静电电荷放电至该第一...
  • 一种操作一记忆体单元的方法包括以下步骤。使用一第一电压对该记忆体单元执行第一多个偏压操作,其中该记忆体单元包含一可变电阻图案,且所述第一多个偏压操作的每一循环的该第一电压具有一相同的第一极性。判定该记忆体单元是否到达一疲劳临限值。在该判...
  • 一种封装结构以及半导体结构,封装结构包含硅中介层、晶片、及基材。硅中介层包含在硅中介层的第一侧上的第一连接器及在硅中介层的与硅中介层的第一侧相对的第二侧上的第二连接器。晶片从硅中介层的第一侧接合至硅中介层,其中晶片包含连接至硅中介层的第...
  • 集成电路结构包括第一区块,包括多个第一单元,第一单元中的每一者具有第一单元高度;及第二区块,包括多个第二单元,第二单元中的每一者具有第二单元高度。第一区块以等于零或小于第一或第二单元高度中的任一者的间距设置在第二区块旁边。
  • 一种半导体装置,包括一栅极结构在一半导体基底的上方,此栅极结构包括一低介电常数的介电层、一高介电常数的介电层、一p型功函数金属层、一n型功函数金属层、具有氧化硅的一硅帽盖层及一黏合层;半导体装置还包括一连续的钨帽盖在栅极结构的上方,其通...
  • 一种可调适存储器内运算电路,包括一个数据缓冲器,配置为依序地输出第一与第二位元,一个具有总数的存储器巨集,以及连接在数据缓冲器和存储器巨集之间的分布网络。分布网络将这些第一位元分割为总数个第一子集,并将每一个第一子集输出至相对应的一存储...
  • 本技术实施例涉及光耦合器及光子装置。根据本技术的一些实施例,一种光耦合器包含:多个波导核心层,其由具有第一折射率的波导核心材料形成,所述波导核心层(i)以彼此叠置的关系布置,(ii)彼此隔开,且(iii)从所述光耦合器的光接收端纵向穿过...
  • 一种半导体结构,包括位于第一介电层中的第一下接触特征、位于第一介电层上的蚀刻停止层、形成于蚀刻停止层之上的金属绝缘体金属(MIM)电容器、形成于金属绝缘体金属电容器之上的第二介电层、延伸穿过第二介电层及金属绝缘体金属电容器并与第一下接触...
  • 本新型涉及一种半导体装置。用于协同优化各种装置类型的结构包括第一装置类型、第二装置类型以及第三装置类型。第一装置类型设置在第一基板区域内且包括第一源/漏极部件。第二装置类型设置在第二基板区域内且包括第二源/漏极部件。第三装置类型设置在第...
  • 本公开实施例提供一种半导体装置及晶片级结构。在半导体装置中,第一裸片包括多个第一晶体管,第一密封环在俯视图中围绕第一裸片,第二裸片包括多个第二电裸片,第二密封环在俯视图中围绕第二裸片,多个导电元件在俯视图中延伸到第一裸片和第二裸片中,导...
  • 公开了一种半导体装置,包括:基板,具有沿基板上方的Z方向突出的多个鳍片结构,及设置在些鳍片结构中的至少两个鳍片结构之间的非导电的混合鳍片结构(non‑conductive hybrid fin structure);浅沟槽隔离(STI)...
  • 提供一种电阻式随机存取记忆体装置及其制造方法。电阻式随机存取记忆体(resistive random access memory;RRAM)装置包含:设置于第一介电层中的底电极通孔;电性连接至底电极通孔且在垂直方向中从底电极通孔向上突伸...
  • 揭示了一种制造半导体装置的方法包括形成第一鳍部结构和第二鳍部结构,其中隔离区域位在第一鳍部结构和第二鳍部结构之间,且其中间隙位在第一鳍部结构和第二鳍部结构之间,且在隔离区域上方;沉积阻挡层在第一鳍部结构、隔离区域和第二鳍部结构上方,其中...
1 2 3 4 5 6 7 8 尾页