台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有7174项专利

  • 半导体装置包括管状结构,包括彼此相叠的多个介电层与导体层;导体尖端,与位于管状结构的上表面上的盖导体层整体地形成,其中导体尖端延伸至管状结构的中心孔;以及至少一光检测器,形成于管状结构的底部中。
  • 半导体装置包括:鳍状结构,沿着第一轴延伸;第一源极/漏极结构,位于鳍状结构的第一末端部分;以及约束层,位于鳍状结构的第一末端部分的第一侧,其中第一源极/漏极结构包括第一部分位于第一侧,且第一部分包括沿着第二轴的较短延伸宽度;以及第二部分...
  • 方法包括在衬底上形成鳍结构,其中鳍结构包括第一鳍有源区;第二鳍有源区;以及将第一鳍有源区与第二鳍有源区分隔开的隔离部件;在第一鳍有源区上形成第一栅极堆叠件,并且在第二鳍有源区上形成第二栅极堆叠件;以及通过第一干蚀刻对第一鳍有源区的第一源...
  • 一种图像检测装置的制造方法,包括提供具有前表面及背表面的一基底。上述方法包括去除基底的一第一部分,以形成一第一沟槽。上述方法包括形成一第一隔离结构于第一沟槽内,第一隔离结构具有上表面。上述方法包括去除第一隔离沟槽的一第二部分及基底的一第...
  • 本发明涉及形成配置为改进邻近的栅极结构之间的介电填充的侧壁间隔件的方法。在一些实施例中,该方法可以通过在第一栅极结构上方和第二栅极结构上方沉积侧壁间隔件材料来实施。对侧壁间隔件材料实施第一蚀刻工艺以形成围绕第一栅极结构的第一中间侧壁间隔...
  • 一种二极管装置,包含二极管电路。二极管电路耦接于电路中第一输入/输出(I/O)接脚与第二输入/输出(I/O)接脚之间,以及用以被关闭。二极管电路用以提供第一放电路径给电路中第一输入/输出(I/O)接脚以及第二放电路径给电路中第二输入/输...
  • 一种封装结构具有芯片、包封所述芯片的模塑化合物以及设置在所述芯片上方的电感器结构。所述电感器结构的垂直投影至少局部地与所述芯片的垂直投影交叠。
  • 一半导体装置包括:设置在基材上的至少一导电特征;覆盖基材的至少一介电层,延伸通过至少一介电层的一沟槽结构;及覆盖沟槽结构的一保护层。
  • 一种半导体装置,包括:多个垂直导电结构,其中垂直导电结构中的每一个垂直导电结构延伸穿过一隔离层;以及一绝缘延长部,其水平设置于多个垂直导电结构中的一第一垂直导电结构和一第二垂直导电结构之间。
  • 提供了一种金属栅极结构以及包括实施金属栅极切割工艺的相关方法。金属栅极切割工艺包括多个蚀刻步骤。例如,实施第一各向异性干刻蚀,实施第二各向同性干刻蚀,并且实施第三湿刻蚀。在一些实施例中,第二各向同性蚀刻去除包括含金属层的金属栅极层的残留...
  • 一种鳍式场效晶体管的制造方法,包含形成延伸进入半导体基板的多个隔离区,凹陷这些隔离区,使得这些隔离区之间的多个半导体条的部分突出高于这些隔离区以形成多个半导体鳍片。此方法还包含凹陷这些半导体鳍片以形成多个凹部,自这些凹部磊晶成长第一半导...
  • 本公开涉及触点插塞及其形成方法。一种示例方法包括:穿过电介质层来图案化开口;沿开口的侧壁和底面沉积粘合层;在开口中,在粘合层上方沉积第一掩膜层;将第一掩膜层回蚀得低于电介质层的顶面;以及在回蚀第一掩膜层后,将开口的上部加宽。在对开口的上...
  • 本公开提供一种半导体结构的形成方法。上述方法包括形成第一导线于基板上、沉积第一介电层于上述第一导线上、沉积第二介电层于上述第一介电层上。上述第二介电层包括不同于上述第一介电层的介电材料。上述方法也包括于第一介电层以及第二介电层中图案化出...
  • 本发明的一些实施例涉及一种处理工具。该工具包括围绕工艺处理室的外壳、以及配置为通过外壳将晶圆传送进入工艺处理室和传送出工艺处理室之外的输入/输出端口。后侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为使晶圆的后侧成像。前侧宏观检测系统设置在...
  • 一种半导体制程方法,包括在一研磨垫上研磨一晶圆,使用一垫修整器的一碟盘对研磨垫进行修整,以及将一热交换介质导入碟盘。被导入碟盘的热交换介质的温度不同于研磨垫的温度。
  • 本公开提供一种设置以装载或卸下掩模盒的设备,包括:第一装载端支撑物;以及第二装载端支撑物,与第一装载端支撑物相隔。第一装载端支撑物与第二装载端支撑物各自包含L型矩形棱柱的至少部分。第一装载端支撑物与第二装载端支撑物位于矩形区的对角线上,...
  • 描述了半导体工艺中用于图案化的方法。形成其中具有切口的伪层。在伪层上方形成第一牺牲层,并且第一牺牲层的至少部分设置在切口中。在第一牺牲层上方形成第二牺牲层。将第二牺牲层图案化为具有第一图案。使用第二牺牲层的第一图案,将第一牺牲层图案化为...
  • 一种半导体装置的制造方法,包括形成源极区域、漏极区域、以及覆盖源极区域与漏极区域之间的通道区域的栅极介电层和栅极电极,形成绝缘层于源极区域、漏极区域、以及栅极电极之上,形成穿过绝缘层并分别暴露出源极区域的一部分、漏极区域的一部分、以及栅...
  • 本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法,包含在半导体鳍上形成虚设栅极结构,在虚设栅极结构的相对两侧上形成介电层,以及移除虚设栅极结构,以在介电层中形成凹陷。此方法还包含在凹陷的侧壁和底部上依序形成栅极介电层和至少一导电层,以及用含氟的...
  • 在此提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括形成材料层于基板上,并提供光刻胶溶液。此光刻胶溶液包括多个第一聚合物及多个第二聚合物,第一聚合物的每一者包括第一聚合物主链及键合到第一聚合物主链的第一酸不稳定基团,第一酸不稳定基团具有第一活化...
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