台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有6968项专利

  • 一种防滴落系统,包括:第一自动控制阀,第一自动控制阀的输入端流体连接至要分配的流体源,第一自动控制阀具有自完全闭合至完全开启的位置;第二自动控制阀,第二自动控制阀的输入端流体连接至第一自动控制阀的输出端,第二自动控制阀的输出端流体连接至...
  • 提供一种电流传感器电路。所述电流传感器电路包括电压积分电路,所述电压积分电路并联地连接至电感元件。电压积分电路被配置成在电感元件的第一端处的第一电位与所述电感元件的第二端处的第二电位之间对穿过所述电感元件的电感元件电流进行积分。电压积分...
  • 一种方法包括形成第一晶体管,形成第一晶体管包括形成第一栅极堆叠件,在第一栅极堆叠件的侧部上外延生长第一源极/漏极区,并且实施第一注入以注入第一源极/漏极区。该方法还包括形成第二晶体管,形成第二晶体管包括形成第二栅极堆叠件,在第二栅极堆叠...
  • 在一些实施例中,本发明实施例涉及形成用于集成芯片图像传感器的吸收增强结构的方法,其减小了由吸收增强结构的形成而产生的晶体缺陷。该方法可以通过在衬底的第一侧上方形成图案化的掩模层来实施。根据图案化的掩模层对衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定...
  • 一种制造影像感测器的方法,包括沉积第一介电层于基板上,去除第一介电层的一部分以形成沟槽,沉积导电层于第一介电层上和沟槽中,形成沿着导电层的顶表面和在导电层中的凹槽的侧壁和底表面的保护层,以及去除导电层的一部分以形成格子结构。对应于沟槽的...
  • 一种半导体结构,包括:第一和第二主动区域,第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中;以及多个栅极电极,栅极电极间隔布置于一第二栅格中,并位于对应的第一和第二主动区域上,第二栅格沿着一第二方向取向,第二方向实质上垂直于第一...
  • POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料;在模塑材料中模制的器件管芯;穿透模塑材料的组件通孔(TAV);以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件...
  • 本申请提供半导体装置结构,半导体装置结构包含半导体基底、栅极堆叠以及互连结构位于栅极堆叠和半导体基底上方。半导体装置结构也包含电阻元件位于互连结构上方,且电阻元件位于栅极堆叠的正上方。半导体装置结构还包含导热元件位于互连结构上方,在电阻...
  • 本发明实施例提供一种半导体封装。所述半导体封装包括芯片、模制化合物、及介电层。所述芯片上具有连接件。所述模制化合物包封所述芯片,其中所述模制化合物的表面实质上低于所述芯片的有源表面。所述介电层设置在所述芯片及所述模制化合物之上,其中所述...
  • 一种半导体装置包括衬底。衬底被III‑V族化合物半导体层上覆。衬底包括电路区及密封环区。密封环区环绕电路区。密封环结构设置在密封环区中。密封环结构包括环绕电路区的第一通孔结构。第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分及III‑V族化合物半导体层。
  • 本公开实施例提供防止在通孔开口/沟槽开口形成之后的接点损坏或氧化的方法。在一例子中,此方法包含在基底上的结构中形成开口,以暴露出电性导电部件的表面的一部分,以及使用从等离子体形成的能量物质轰击掩模层的表面,以从掩模层释放反应性物质,其中...
  • 本申请提供一种排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法。其中排气装置,包括第一流水线与总流水线。第一流水线包括:第一主体部、第一连接部、第一阀装置。第一主体部是沿着第一方向延伸。第一连接部连接第一主体部,且第一连接部包括进气口。第一阀装...
  • 一种半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法,包括:对基底的第一测试目标执行基于绕射的覆盖误差测量,以取得对应第一测试目标的第一叠置结构的第一绕射强度差值,以及取得对应第一测试目标的第二叠置结构的第二绕射强度差值;以及根据第一绕射强度...
  • 形成半导体元件的方法,包括形成源极/漏极区及间隔物于基板之上。此方法还包括形成蚀刻停止层于间隔物及源极/漏极区之上,并形成栅极结构于间隔物之间。此方法还包括回蚀栅极结构、回蚀间隔物及蚀刻停止层,并形成栅极覆盖结构于回蚀后的栅极结构、间隔...
  • 本发明描述在栅极堆叠件中形成间隔件层以缓解时间依赖性介电击穿(TDDB)故障的示例性置换栅极工艺。例如,方法可以包括形成具有第一凹槽的部分制造的栅极结构。将间隔件层沉积至第一凹槽内并且用各向异性回蚀刻(EB)工艺蚀刻间隔件层以形成具有比...
  • 本公开实施例提供集成电路的制造方法。此方法包含提供基底,其具有顶面和从顶面凹陷的沟槽,将敏感材料层涂布于基底的顶面上,其中敏感材料层填入沟槽中,对敏感材料层执行活化处理,使得部分的敏感材料层化学性地改变,以及对敏感材料层执行湿式化学工艺...
  • 本发明实施例提供材料组分与其应用方法,包括提供底漆材料,其包括:表面作用力增进组分以及可交联组分。在底漆材料上进行交联处理。可交联组分自我交联以形成交联的底漆材料。在交联的底漆材料上进行至少一处理工艺时,交联的底漆材料可保护下方层。
  • 提供用于静态随机存取存储器装置的字线脉宽控制的装置。预解码器电路内的反相器接收具有时控地址的第一输入。所述反相器基于所述时控地址而确定输出。基于所述输出而修改所述静态随机存取存储器装置的解码器驱动器电路的电负载。对耦合在共同节点处的晶体...
  • 本发明的实施例提供了扩展包括库的标准单元组的方法以及系统。一种方法(扩展包括库的标准单元组的方法,该库被存储在非暂时性计算机可读介质上)包括:在基本标准单元的循环特设组中选择一个组从而产生所选的组,使得所选的组中的各基本标准单元具有连接...
  • 一种对集成电路中的通孔柱布置进行优化的方法。在一些实施例中,可识别出集成电路或所提议集成电路设计内的路径具有负迟缓时间。在所述路径包括向接收器的各输入引脚的扇出时,可在位于所述路径的扇出之前的位置处插入通孔柱。例如,可靠近所述扇出、但在...
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