苏州新纳晶光电有限公司专利技术

苏州新纳晶光电有限公司共有48项专利

  • 本实用新型公开了一种反射电极,包括依次制作在芯片外延片上的Cr层、Al层、Cr层、Ti层、Cr层、Ti层及Au层。本实用新型还提供了一种具有上述反射电极的LED芯片,包括依次生长在衬底层上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电...
  • 本实用新型公开了一种LED芯片及其曲面电极。曲面电极包括:衬底层;生长在衬底层上的电流阻挡层,电流阻挡层设置有弧形槽;生长在电流阻挡层上的透明导电层,透明导电层对应弧形槽位置处具有相同的弧度;以及,生长在述透明导电层上并对应电流阻挡层弧...
  • 本实用新型公开了一种LED芯片补长外延片结构,包括:依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层;所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm
  • 本实用新型公开了一种LED芯片背镀治具,包括相互配合的卡环及卡盖;卡环的底部内侧设置有至少两个底部托块,卡环的顶部具有顶部凸台及卡槽;卡环的底部内侧还设置有一圈底部凸缘,底部边缘的上端面与底部托块的上端面平齐;卡盖具有对应顶部凸台的凸台...
  • 本发明提供了一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构,所述DBR膜系结构蒸镀于LED芯片背面,所述DBR膜系为20层,且所述DBR膜系为非规整型膜系,每层DBR膜系具有不同的相应中心波长。本发明的有益效果体现在:加宽了规整膜系的反射带宽,简...
  • 本发明提供了一种抗静电LED芯片,所述芯片包括一衬底,所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层,所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。本发明通过增加电容区,当电压超过器件最大范围时,电容区将...
  • 本发明提供了一种提高LED波长命中率的外延片生长方法,包括如下步骤:将衬底放入MOCVD设备进行外延片生长,在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测,根据采集的波长进行成分比例的不断调节直至达到需要的波长。本发明的有益...
  • 本发明提供了一种延缓LED应力的外延片生长方法,包括如下步骤,采用金属有机气相外延法在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂氮化镓层,掺Si氮化镓层,在掺Si氮化镓层上生长氮化铝应力缓冲层;在氮化铝应力缓冲层上采用有机气相外延法生长多量子阱层及P...
  • 本发明公开了一种高光效LED芯片,包括衬底层及外延层;外延层上制作有第一电极、第二电极及间断式台阶;间断式台阶表面制作有与第一电极连接的复合电极;外延片的边缘部位制作有一圈与第一电极材质相同并同步制作且相连接的侧壁扩展层。还提供了一种上...
  • 一种N型氮化镓基发光二极管
    本实用新型揭示了一种N型氮化镓基发光二极管,包括外延层结构,外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层、铝掺杂氮化...
  • 一种具有金属触点的LED晶片
    本实用新型揭示了一种具有金属触点的LED晶片,包括基层及嵌入基层内的金属触点,金属触点具有用于增加金属触点与基层配接面积的轴向的沟槽,沟槽形成供光源通过的通道。本实用新型的LED晶片采用结构的金属触点,金属触点设有沟槽,该沟槽增加了金属...
  • 本实用新型揭示了一种LED加工用抽真空系统,包括至少两个真空机台,每个真空机台通过主抽气管路连接一真空泵浦,主抽气管路上设置有用于开闭主抽气管路的第一电磁阀,第一电磁阀和真空机台均连接到控制装置;每个真空泵浦还通过包括若干抽气支路的辅助...
  • 一种具低阻的P型GaN外延层制备方法
    本发明提供了一种具低阻的P型GaN外延层制备方法,包括如下步骤:在氢气气氛下高温处理衬底;在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层;在电子阻挡层上生长P型GaN层;在P型GaN层上生长P...
  • 一种MOCVD石墨盘烤盘炉的清洁装置
    本实用新型揭示了一种MOCVD石墨盘烤盘炉的清洁装置,MOCVD石墨盘烤盘炉包括冷却筒及保温筒,冷却筒的内壁与保温筒的外壁之间形成一环状空间,清洁装置包括设置于环状空间内用于对保温筒的外壁进行清洁的弧形毛刷、及一驱动弧形毛刷在环状空间内...
  • 一种基于LED灯的无线网络系统
    本实用新型揭示了一种基于LED灯的无线网络系统,包括电力回路,电力回路中包括连接到网络的无线路由器、将无线路由器的网络信号转化为电信号并通过电力回路传播的电力载波通讯器件以及若干LED灯,每个LED灯中集成有用于将电力回路中的电信号调制...
  • 一种高透光率的LED晶片
    本实用新型揭示了一种高透光率的LED晶片,包括基层、嵌入基层内的金属触点及电极引脚,电极引脚的外侧及金属触点的外周均具有用于对光源进行反射的反射层。本实用新型的一种高透光率的LED晶片,在金属触点的外周及电极引脚的外侧设置反射层,防止金...
  • 本发明揭示了调节MOCVD反应室压力克服LED外延结构雾边的方法及系统,通过正压生成单元接收到MOCVD处于空闲状态的信号时,发信号将MOCVD上用于通入氮气的质量流量控制器的流量参数设置为a升,同时将MOCVD上的尾气蝶阀调整为关闭,...
  • 本实用新型揭示了一种COB封装LED模组,包括如下,预制模具,填充胶填充模具,固化,再注胶,模具与电路板结合,再固化,最后脱模形成表面具有粗造结构的封装模组。本实用新型的有益效果主要体现在:通过模具转印,在发光层表面形成粗糙面从而有效提...
  • 本实用新型公开了一种有利于提高光通量的网状图形衬底,包括衬底本体,所述衬底本体的表面呈粗糙面,所述粗糙面为衬底本体底部向上突出形成有若干凸起,所述凸起横截面呈网状,所述网状由相邻的凸起单元连接而成,所述凸起单元的横截面呈三角形,所述凸起...
  • 本实用新型揭示了一种高压LED芯片,包括衬底,及在衬底上由下及上依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层,所述第二半导体层上沉积有透明导电层,所述芯片上刻蚀有隔离槽,所述隔离槽将芯片隔离形成三个芯片岛,所述隔离槽刻蚀至衬底,相邻所述...