本申请提供了一种图像传感器，包括：至少一个感光单元，感光单元具有层叠设置、且不完全交叠的至少两层感光层，在一个感光单元中，每层感光层未与其他感光层交叠的区域用于设置电极线，至少两层感光层的感光组分含量不同。本申请通过为每个感光单元设置不...

本申请涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。其中，半导体结构包括：衬底、导电层、第一反射镜、发光结构与第二反射镜。衬底上设有导电层，导电层内包覆有至少一个第一反射镜，第一反射镜的一端位于所述导电层远离所述衬底的一侧。发光结构位于导电...

本申请提供了一种图像传感器，包括：至少一个感光单元，感光单元包括主感光区和设置于主感光区外围的副感光区，主感光区的感光组分含量与副感光区的感光组分含量不同，副感光区用于提高图像传感器的动态范围。本申请通过在感光单元的主感光区外围设置了副...

本公开提供了一种发光器件及用于制备发光器件的方法，该发光器件包括：第一衬底；发光结构层，位于第一衬底上；插入层，位于发光结构层上，其中，插入层远离发光结构层的表面为粗糙化表面，插入层对发光结构层有保护作用。本公开提供的发光器件，通过在第...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括相对的第一表面和第二表面；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，所述第二半导体层与所述第一半导体层的导电类型相同，所述第二半导体层的掺杂浓度小于所...

本申请提供了一种用于制备半导体结构的方法和半导体结构，方法包括：在生长衬底的一侧依次外延形成第一过渡层、保护层和有源结构层，第一过渡层远离生长衬底的表面为二维平坦表面，保护层在第一平面的正投影至少部分覆盖有源结构层在第一平面的正投影，第...

本申请提供了一种发光器件外延结构及其制备方法。发光器件外延结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源区和第二半导体层；有源区包括至少一组层叠设置的势垒层和量子阱层，量子阱层背离第一半导体层的表面具有第一粗糙度，势垒层背离第一半导体层的表面...

本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、第一类型掩膜层、第二类型掩膜层以及外延层；第一类型掩膜层具有第一类型窗口；第一类型掩膜层包括第一掩膜叠层，第一掩膜叠层包括靠近基底的第一掩膜层与远离基底的第二掩膜层，第一掩膜...

本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、第一掩膜层、第一外延层以及第二外延层；第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括远离基底的开口端与靠近基底的底壁端，开口端在基底所在平面上的正投影落...

本发明提供一种半导体结构及其制备方式，半导体结构包括衬底，衬底包括位于中心的第一区域以及位于第一区域外围的第二区域；以及位于衬底上的复合缓冲层，复合缓冲层包括第一缓冲层，第一缓冲层中包括C元素，第一缓冲层包括至少一组层叠设置的第一子缓冲...

本发明提供了一种半导体结构，包括衬底；自下而上层叠设置的V型坑层(1)、V型坑放大层以及半导体外延层；V型坑层靠近V型坑放大层一侧的表面具有第一V型坑；V型坑放大层将第一V型坑放大以形成第二V型坑，第二V型坑位于V型坑放大层靠近半导体外...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，包括：第一半导体层，第一半导体层的第一表面形成多个第一凸起；第二半导体层，形成在第一半导体层上，且背向第一半导体层的表面形成多个第二凸起，第二凸起与第一凸起对应；第二半导体层与第一半导体层的导电类型...

本申请提供了一种前照式图像传感器，包括：基底、感光单元、滤色单元与透镜结构；基底具有多个电荷存储区；感光单元位于基底上方，感光单元包括不同颜色感光层，一个颜色感光层电连接一个电荷存储区；滤色单元位于感光单元远离基底的一侧，滤色单元包括不...

一种显示面板(1，2，3，4，5，6，7)，包括显示区域(1s)，显示区域(1s)包括阵列式排布的GaN基LED单元(11)；显示区域(1s)包括第一选中区域(1a)，第一选中区域(1a)包括采集可见光图像状态，采集可见光图像状态包括捕...

本申请提供一种显示面板，包括显示区域，显示区域至少包括第一区域与第二区域，第一区域与第二区域包括阵列式排布的第一GaN基LED单元；第一区域与第二区域包括显示状态与红外识别状态，在显示状态，第一区域与第二区域的第一GaN基LED单元用于...

本申请提供了一种前照式图像传感器，包括：基底、感光单元与透镜结构；基底具有多个电荷存储区；感光单元位于基底上方，感光单元包括多个感光子单元，每一感光子单元包括上下堆叠设置的红光感光层、绿光感光层、蓝光感光层以及红外感光层，一个感光子单元...

本发明公开一种复合衬底、半导体器件和复合衬底的制作方法，复合衬底包括依次层叠设置的第一衬底、键合层和第二衬底，第一衬底包括设置在靠近第二衬底一侧的多个凸起结构，至少两个凸起结构之间形成凹槽；键合层至少部分覆盖凸起结构。本发明提供的复合衬...

本申请提供了一种前照式图像传感器，包括：基底、感光单元与透镜结构；基底具有多个电荷存储区；感光单元位于基底上方，感光单元包括多个感光子单元，每一感光子单元包括上下堆叠设置的红光感光层、绿光感光层以及蓝光感光层，一个感光子单元电连接一个电...

本申请提供了一种薄膜体声波谐振器。该薄膜体声波谐振器包括：依次层叠的衬底、缓冲层、第一电极层、压电层、第二电极层，和设置在衬底和第一电极层之间、并至少部分位于缓冲层的空腔结构；其中，第一电极层包括N型半导体。N型半导体具有一体式结构并且...

本发明提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供待剥离结构，待剥离结构包括：第一结构与第二结构，第一结构至少包括：基底、第一掩膜层与第一外延层，第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有第一窗口，第一窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正...