本发明提供了一种半导体加工工艺，包括以下步骤，S1：光刻显影；S2：将所述衬底进行高温处理；S3：将所述衬底采用湿法刻蚀硬掩膜；S4：将所述衬底用干法去胶机台去胶；S5：将所述衬底采用干法刻蚀金属；S6：将所述衬底进行阻挡层沉膜，采用P...

本实用新型属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种MEMS半导体器件。该半导体器件包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层，形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构。本实用新型通过在铝垫层上增加TiN过渡层...

本发明涉及一种双重曝光的对位方法，该方法包括：对目标物进行一次曝光，以在目标物上形成第一曝光图形，第一曝光图形具有第一对位点；对目标物进行二次曝光，二次曝光基于第一对位点，以在目标物上形成第二曝光图形，第二曝光图形与第一曝光图形重合。通...

本发明涉及一种调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法，MEMS麦克风包括基底、设置在基底上的振膜、及设置在振膜上的背板，基底具有空腔，调整MEMS麦克风吸合电压的工艺方法包括：提供等离子体化学气相沉积设备，等离子体化学气相沉积设备利用射频...

本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种解决铝垫打线异常的方法。该方法具体为：在具有Al/Ti/TiN的膜层结构的半导体器件的封装程序中，先进行当层非结构区域金属膜层的刻蚀，然后进行钝化膜层的沉积，之后对钝化膜层及金属层进行刻蚀，再进...

本申请涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其包括：检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。该深硅刻...

本发明涉及一种精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺，包括：S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和...

本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺，包括以下步骤：S1、提供硅片，所述硅片具有台阶结构，在所述硅片上定义金属电极区域和非金属电极区域；S2、在所述非金属电极区域上设置感光性干膜；S3、在所述硅片上蒸发金属，通过金属剥离工艺...

本发明涉及一种提高芯片Al电极打线成功率的工艺方法，其包括：启动磁控溅射设备沉积TiN，用以沉积Ti和TiN的第二腔体内留存用以形成TiN的氮气且Ti靶材表面会残留一层TiN薄膜；芯片上依次沉积Al层、Ti层和TiN层，而后退火、沉积钝...

本申请涉及一种绝缘体硅片的切割方法及芯片，其包括以下步骤：S1、提供绝缘体硅片和激光，所述绝缘体硅片具有自下而上依次设置的底硅、绝缘层和顶硅；S2、将所述激光聚焦到所述绝缘体硅片中，以形成一条或多条自裂改质层；S3、沿所述自裂改质层对所...

本申请涉及一种真空键合装置，其包括：真空腔室；设置在所述真空腔室内的承载台，以用于装载晶片和键合基底；以及，设置在所述真空腔室内键合治具，所述键合治具包括键合组件、定位组件和限位组件，以分别对所述晶片和键合基底进行键合、定位和限位。该真...

本申请涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其包括：检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。该深硅刻...

本发明涉及一种硅器件及深硅沟槽刻蚀方法，该深硅沟槽刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供硅衬底和光阻，将所述光阻涂布到硅衬底上；S2、进行曝光显影，采用反应离子刻蚀工艺，利用干法刻蚀对所述硅衬底进行刻蚀，其中，刻蚀气体包括SF6、O2和HBr...

本实用新型涉及一种微机电器件结构，包括刻蚀形成的第一硅片层与第二硅片层，在所述第一硅片层和第二硅片层之间还设置有热氧层，所述微机电器件结构的厚度为180至200μm。该微机电器件结构在厚度为180至200μm的同时具有良好的导热性和翘曲...

本实用新型属于电子材料与元器件技术领域，具体涉及一种加热电极埋入式MEMS器件。本实用新型所提供的加热电极埋入式MEMS器件，包括基底，其特征在于，所述基底上沉积有第一介质膜，所述第一介质膜上设有凹槽，凹槽中设有加热电极，所述加热电极上...

本实用新型的不等高垂直梳齿器件，包括外框架、第一扭转结构、第二扭转结构以及梳齿结构，第二扭转结构设置在第一扭转结构与梳齿结构之间，第一扭转结构与第二扭转结构活动性设置在外框架上，第一扭转结构的一侧固定连接在外框架上，另一侧通过限位结构与...

本实用新型涉及一种喷头结构及微机电喷墨打印头，该喷头结构包括基底、形成在所述基底上的墙体，所述基底上形成有贯通所述基底的进墨口，所述墙体内形成有压力空腔，所述墙体的至少一侧外表面上形成有喷孔；所述压力空腔的一侧与进墨口连通，另一侧与所述...

本发明涉及一种Cu湿法刻蚀方法，所述方法包括如下步骤：(1)将基板放置于PECVD沉积系统中，在所述基板上沉积形成氧化物层；(2)在所述氧化物层表面溅射生长第一金属层，在所述第一金属层的表面溅射生长第二金属层，再在所述第二金属层的表面溅...

本发明公开了一种硅球面微凸块刻蚀方法，所述硅球面微凸块刻蚀方法包括：准备普通硅片，作为用于刻蚀的衬底；在所述衬底上依次进行正性光刻胶的涂布、曝光、显影，形成预设图形；调整光刻胶的烘烤温度，得到光刻胶微凸包结构；匹配光刻胶的厚度和选择比；...

本发明涉及一种具有高台阶结构的硅片表面光刻方法，该光刻方法包括以下步骤：S1、提供硅片、光刻胶以及溶剂，硅片的表面具有台阶结构，台阶结构包括台阶顶部、台阶底部、衔接台阶顶部和台阶底部的台阶侧壁以及尖角；S2、将硅片置于烘箱中进行HMDS...