本实用新型公开了DC to DC变压器，涉及变压器技术领域，包括变压器骨架；骨架针脚，设于所述变压器骨架上；骨架线圈，设于所述变压器骨架上并与骨架针脚连接；绝缘片，套设于所述骨架针脚底端、用于增加绝缘性能；磁芯，组装于所述绝缘片背离骨架...

本实用新型公开一种用于QFN芯片的压合装置，包括：封装板、支撑板，表面具有若干个封装区域的封装板设置在支撑板上方，在此支撑板的一侧且位于封装板上方设置有一下压板，此下压板与支撑板之间设置有一气缸，位于此下压板与封装板之间设置有一具有若干...

本实用新型公开一种用于芯片的加工装置，其贴装单元用于将供料带上的芯片转移至封装板上，位于贴装单元的一侧且在封装板上方设置有一下压板，在此下压板与封装板之间设置有一条板，沿此条板的长度方向间隔设置有若干个压块，位于封装板的下方设置有一支撑...

本实用新型公开一种贴片式静电抑制器，包括：底板，一开设有连接槽的卡块固定在底板顶部表面，此卡块与一安装在抑制器左、右两侧的连接块滑动连接，在抑制器的左侧设置有一第一限位架、右侧设置有一第二限位架，此第一限位架、第二限位架分别位于同侧相邻...

本实用新型公开一种芯片上料装置，其封装板表面具有若干个等距分布的封装区域，位于此限位板的中部安装有一贴装单元，一供料带垂直于输送带轴线方向设置，贴装单元用于将供料带上的芯片转移至封装板上，贴装单元进一步包括安装架、滑动座以及吸盘，安装架...

本实用新型公开一种双向瞬态抑制器件，其第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的负极、第二瞬态电压抑制芯片的正极电连接，连接片的电极区上间...

本实用新型公开一种瞬态电压抑制单向器件，其位于第一引线框一端的支撑基区与一连接片的电极区之间设置有瞬态电压抑制芯片，瞬态电压抑制芯片、第一引线框、第二引线框各自的一端位于环氧树脂封装体内，连接片的电极区上间隔设置有若干个锥形通孔，此锥形...

本发明公开一种半导体封装装置，其在贴装单元的一侧且位于封装板上方设置有一下压板，位于下压板的两侧各设置有一焊接单元，位于此下压板与封装板之间设置有一具有若干个通孔的条板，沿此条板的长度方向间隔设置有若干个顶部具有插杆的压块，插杆的上端转...

本实用新型公开一种芯片焊接设备，其用于放置QFN芯片的封装板位于两个限位板之间，在输送带一侧且位于封装板上方设置有一焊接单元，焊接枪的输出端均朝向封装板的焊接区域，直线驱动器与焊接枪连接，滑动架进一步包括固定杆、螺纹杆以及上、下分布的第...

本实用新型公开一种ESD静电保护抑制器，包括：底板，一开设有连接槽的卡块固定在底板顶部表面，此卡块与一两侧各设置有若干个连接块的抑制器滑动连接，相邻两个连接块之间设置有一弹性块，当连接块下端于连接槽嵌合时，所述弹性块的下端位于相邻两个卡...

本实用新型公开一种双向TVS器件，其第一瞬态电压抑制芯片、第二瞬态电压抑制芯片位于支撑基区上，且第一瞬态电压抑制芯片的正极、第二瞬态电压抑制芯片的负极与第一引线框的支撑基区电连接，一位于支撑基区上方连接片的电极区与第一瞬态电压抑制芯片的...

本实用新型公开一种单向TVS器件，其位于第一引线框一端的支撑基区与一连接片的电极区之间设置有瞬态电压抑制芯片，瞬态电压抑制芯片、第一引线框、第二引线框各自的一端位于环氧树脂封装体内，此第一引线框、第二引线框各自的另一端从环氧树脂封装体两...

本实用新型公开一种功率MOS器件封装结构，其一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，位于MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引...

本实用新型公开一种功率半导体器件封装结构，其位于MOS芯片上表面的栅极区和源极区分别通过第一金属线和第二金属线电连接到栅极引脚和源极引脚各自的焊接端，位于MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，漏极引脚的焊接条区位于...

本发明提供一种深回扫的静电保护器件，包括底座，所述底座的上表面固定安装有安装基座，所述安装基座的上侧固定安装有静电保护件，所述底座的上表面且位于静电保护件的外侧安装有固定部件，所述固定部件的内部开设有滑动槽，所述滑动槽中设置有若干个静电...

本发明公开了一种低残压的保护器件，具体涉及输电保护装置技术领域，包括残压保护器件，所述残压保护器件的上表面与顶部压板的下表面搭接，所述残压保护器件的上表面开设有定位槽，所述顶部压板位于残压保护器件上表面开设的定位槽内。本发明通过设置定位...

本实用新型公开一种表面贴装瞬态二极管器件，其金属基座位于二极管芯片的正下方并且位于其上端的支撑部通过焊锡层与二极管芯片一极电连接，位于金属基座下端的引脚区部从环氧封装层内延伸出，所述第一竖金属板和第二竖金属板各自与横金属板相背的一端分别...

本实用新型公开一种单向TVS半导体器件，包括二极管芯片、金属基座和引线架，一环氧封装层包覆于二极管芯片、金属基座和引线架上，所述引线架的横金属板位于二极管芯片的正上方且其焊接区通过焊锡层与二极管芯片另一极电连接，所述第一竖金属板和第二竖...

本实用新型公开一种半桥半导体封装结构，包括2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架，一环氧封装层包覆于2个二极管芯片、金属基座、第一引线架和第二引线架上；所述第一引线架和第二引线架均进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的竖金...

本实用新型公开一种耐高压功率二极管器件，其金属基座的上表面具有2个支撑部，所述2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接，位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出；所述引线架进...